SIHD5N80AE-GE3, MOSFET DPAK
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
130 руб.
Кратность заказа 3000 шт.
Добавить в корзину 3000 шт.
на сумму 390 000 руб.
Описание
The Vishay E Series Power MOSFET reduced switching and conduction losses. Low figure-of-merit (FOM) Ron x Qg
Технические параметры
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | N |
| Maximum Continuous Drain Current | 4.4 A |
| Maximum Drain Source Resistance | 1.35 Ω |
| Maximum Drain Source Voltage | 850 V |
| Maximum Gate Threshold Voltage | 4V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Package Type | DPAK(TO-252) |
| Pin Count | 3 |
| Series | E Series |
| Transistor Material | Si |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 142 КБ
