L2N7002SLT1G
29616 шт., срок 7-9 недель
2 руб.
Мин. кол-во для заказа 240 шт.
от 1000 шт. —
1.20 руб.
Добавить в корзину 240 шт.
на сумму 480 руб.
Альтернативные предложения1
Номенклатурный номер: 8023061008
Бренд: Leshan Radio Co
Описание
60V 320mA 300mW 2.8Ω@10V,500mA 2V@250uA N Channel SOT-23 MOSFETs ROHS
Технические параметры
| Continuous Drain Current (Id) @ 25В°C | 320mA |
| Power Dissipation-Max (Ta=25В°C) | 300mW |
| Rds On - Drain-Source Resistance | 2.8О© @ 500mA,10V |
| Transistor Polarity | N Channel |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage | 60V |
| Vgs - Gate-Source Voltage | 2V @ 250uA |
| Continuous Drain Current (Id) | 300mA |
| Drain Source On Resistance (RDS(on)@Vgs,Id) | 1.5Ω@10V, 500mA |
| Drain Source Voltage (Vdss) | 60V |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)@Id) | 1.5V@250uA |
| Power Dissipation (Pd) | 200mW |
| Type | N Channel |
Техническая документация
Datasheet L2N7002SLT1G
pdf, 965 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.
