L2N7002WT1G
48000 шт., срок 6-8 недель
4 руб.
Кратность заказа 3000 шт.
Добавить в корзину 3000 шт.
на сумму 12 000 руб.
Альтернативные предложения2
Номенклатурный номер: 8027745245
Бренд: Leshan Radio Co
Описание
60V 115mA 7.5Ω@10V,500mA 225mW 2.5V@250uA N Channel SC-70-3 MOSFETs ROHS
Технические параметры
| Continuous Drain Current (Id) @ 25В°C | 115mA |
| Power Dissipation-Max (Ta=25В°C) | 225mW |
| Rds On - Drain-Source Resistance | 7.5О© @ 500mA,10V |
| Transistor Polarity | N Channel |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage | 60V |
| Vgs - Gate-Source Voltage | 2.5V @ 250uA |
| Continuous Drain Current (Id) | 300mA |
| Drain Source On Resistance (RDS(on)@Vgs,Id) | 1.5Ω@10V, 500mA |
| Drain Source Voltage (Vdss) | 60V |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)@Id) | 1.5V@250uA |
| Power Dissipation (Pd) | 200mW |
| Type | N Channel |
| Вес, г | 1.11 |
Техническая документация
Datasheet L2N7002WT1G
pdf, 149 КБ
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.
