MMBT4403-R1-00001

MMBT4403-R1-00001
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
57000 шт., срок 7 недель
6 руб.
Кратность заказа 3000 шт.
Добавить в корзину 3000 шт. на сумму 18 000 руб.
Альтернативные предложения3
Номенклатурный номер: 8027803717

Технические параметры

Collector-Emitter Breakdown Voltage 40V
Maximum DC Collector Current 600mA
Pd - Power Dissipation 225mW
Transistor Type PNP
Brand: Panjit
Collector- Base Voltage VCBO: 40 V
Collector- Emitter Voltage VCEO Max: 40 V
Collector-Emitter Saturation Voltage: 750 mV
Configuration: Single
Continuous Collector Current: -600 mA
DC Collector/Base Gain hfe Min: 100 at-150 mA, -2 V
DC Current Gain hFE Max: 300 at-150 mA, -2 V
Emitter- Base Voltage VEBO: 5 V
Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: 3000
Gain Bandwidth Product fT: 200 MHz
Manufacturer: Panjit
Maximum DC Collector Current: 600 mA
Maximum Operating Temperature: +150 C
Minimum Operating Temperature: -55 C
Mounting Style: SMD/SMT
Package / Case: SOT-23-3
Pd - Power Dissipation: 225 mW
Product Category: Bipolar Transistors-BJT
Product Type: BJTs-Bipolar Transistors
Series: GPT-03TP
Subcategory: Transistors
Technology: Si
Transistor Polarity: PNP

Техническая документация

Datasheet
pdf, 458 КБ

Сроки доставки

Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.