MMBT3904W-R1-00001
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
57000 шт., срок 7 недель
4 руб.
Кратность заказа 3000 шт.
Добавить в корзину 3000 шт.
на сумму 12 000 руб.
Альтернативные предложения2
Номенклатурный номер: 8027803757
Бренд: PanJit Semiconductors
Технические параметры
| Collector-Emitter Breakdown Voltage | 40V |
| Maximum DC Collector Current | 200mA |
| Pd - Power Dissipation | 150mW |
| Transistor Type | NPN |
| Brand: | Panjit |
| Collector- Base Voltage VCBO: | 60 V |
| Collector- Emitter Voltage VCEO Max: | 40 V |
| Collector-Emitter Saturation Voltage: | 300 mV |
| Configuration: | Single |
| Continuous Collector Current: | 200 mA |
| DC Collector/Base Gain hfe Min: | 100 at 10 mA, 1 V |
| DC Current Gain hFE Max: | 300 at 10 mA, 1 V |
| Emitter- Base Voltage VEBO: | 6 V |
| Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 3000 |
| Manufacturer: | Panjit |
| Maximum DC Collector Current: | 200 mA |
| Maximum Operating Temperature: | +150 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Package / Case: | SOT-323-3 |
| Pd - Power Dissipation: | 150 mW |
| Product Category: | Bipolar Transistors-BJT |
| Product Type: | BJTs-Bipolar Transistors |
| Series: | GPT-02TAN |
| Subcategory: | Transistors |
| Technology: | Si |
| Transistor Polarity: | NPN |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 239 КБ
Datasheet MMBT3904W_R1_00001
pdf, 200 КБ
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.
