BC847BS-R1-00001
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
54000 шт., срок 7 недель
6 руб.
Кратность заказа 3000 шт.
Добавить в корзину 3000 шт.
на сумму 18 000 руб.
Альтернативные предложения1
Номенклатурный номер: 8027803791
Бренд: PanJit Semiconductors
Технические параметры
| Brand: | Panjit |
| Collector- Base Voltage VCBO: | 50 V |
| Collector- Emitter Voltage VCEO Max: | 45 V |
| Collector-Emitter Saturation Voltage: | 600 mV |
| Configuration: | Dual |
| Continuous Collector Current: | 100 mA |
| DC Collector/Base Gain hfe Min: | 200 |
| DC Current Gain hFE Max: | 450 |
| Emitter- Base Voltage VEBO: | 6 V |
| Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 3000 |
| Gain Bandwidth Product fT: | 100 MHz |
| Manufacturer: | Panjit |
| Maximum DC Collector Current: | 100 mA |
| Maximum Operating Temperature: | +150 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Package / Case: | SOT-363-6 |
| Pd - Power Dissipation: | 300 mW |
| Product Category: | Bipolar Transistors-BJT |
| Product Type: | BJTs-Bipolar Transistors |
| Series: | DT-02TSN |
| Subcategory: | Transistors |
| Technology: | Si |
| Transistor Polarity: | NPN |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 176 КБ
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.
