APT10050LVFRG, Транзистор: N-MOSFET; POWER MOS 5®; полевой; 1кВ; 21А; Idm: 84А
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
9 790 руб.
от 3 шт. —
7 880 руб.
от 10 шт. —
6 770 руб.
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 9 790 руб.
Описание
Semiconductors\Transistors\Unipolar transistors\N channel transistors
Технические параметры
| Case | TO264 |
| Drain current | 21A |
| Drain-source voltage | 1kV |
| Gate charge | 500nC |
| Gate-source voltage | ±30V |
| Kind of channel | enhanced |
| Manufacturer | MICROCHIP(MICROSEMI) |
| Mounting | THT |
| On-state resistance | 0.5Ω |
| Polarisation | unipolar |
| Power dissipation | 520W |
| Pulsed drain current | 84A |
| Technology | POWER MOS 5® |
| Type of transistor | N-MOSFET |
| Вес, г | 6 |
