WMO12N80M3, Транзистор: N-MOSFET; SJ-MOSFET M3; полевой; 800В; 12А; 86Вт; TO252

WMO12N80M3, Транзистор: N-MOSFET; SJ-MOSFET M3; полевой; 800В; 12А; 86Вт; TO252
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
1490 шт., срок 6 недель
620 руб.
от 3 шт.520 руб.
от 10 шт.443 руб.
от 25 шт.347.65 руб.
Добавить в корзину 1 шт. на сумму 620 руб.
Номенклатурный номер: 8028808982
Артикул: WMO12N80M3
Бренд: Wayon

Описание

Semiconductors\Transistors\Unipolar transistors\N channel transistors

Технические параметры

Case TO252
Drain current 12A
Drain-source voltage 800V
Gate-source voltage ±30V
Kind of channel enhanced
Kind of package reel, tape
Manufacturer WAYON
Mounting SMD
On-state resistance 620mΩ
Polarisation unipolar
Power dissipation 86W
Technology WMOS™ M3
Type of transistor N-MOSFET
Вес, г 0.62

Техническая документация

Datasheet
pdf, 594 КБ

Сроки доставки

Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.