IRF540ZL
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
270 руб.
Мин. кол-во для заказа 2 шт.
от 5 шт. —
200 руб.
от 10 шт. —
174 руб.
от 13 шт. —
163.80 руб.
Добавить в корзину 2 шт.
на сумму 540 руб.
Описание
Электроэлемент
MOSFET, N-CH, 100V, 36A, TO-262; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:36A; Drain Source Voltage Vds:100V; On Resistance Rds(on):0.021ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs:4V; Powe
Технические параметры
| Brand | Infineon Technologies |
| Channel Mode | Enhancement |
| Configuration | Single |
| Factory Pack Quantity | 3200 |
| Fall Time | 39 ns |
| Height | 9.45 mm |
| Id - Continuous Drain Current | 36 A |
| Length | 10.2 mm |
| Manufacturer | Infineon |
| Maximum Operating Temperature | +175 C |
| Minimum Operating Temperature | -55 C |
| Mounting Style | Through Hole |
| Number of Channels | 1 Channel |
| Package / Case | TO-262-3 |
| Packaging | Tube |
| Pd - Power Dissipation | 92 W |
| Product Category | MOSFET |
| Qg - Gate Charge | 42 nC |
| Rds On - Drain-Source Resistance | 26.5 mOhms |
| Rise Time | 51 ns |
| RoHS | Details |
| Technology | Si |
| Transistor Polarity | N-Channel |
| Transistor Type | 1 N-Channel |
| Type | Automotive Mosfet |
| Typical Turn-Off Delay Time | 43 ns |
| Typical Turn-On Delay Time | 15 ns |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage | 100 V |
| Vgs - Gate-Source Voltage | 20 V |
| Width | 4.5 mm |
| Id - непрерывный ток утечки | 36 A |
| Pd - рассеивание мощности | 92 W |
| Qg - заряд затвора | 42 nC |
| Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 26.5 mOhms |
| Vds - напряжение пробоя сток-исток | 100 V |
| Vgs - напряжение затвор-исток | 20 V |
| Вид монтажа | Through Hole |
| Время нарастания | 51 ns |
| Время спада | 39 ns |
| Высота | 9.45 mm |
| Длина | 10.2 mm |
| Другие названия товара № | SP001559652 |
| Канальный режим | Enhancement |
| Категория продукта | МОП-транзистор |
| Количество каналов | 1 Channel |
| Конфигурация | Single |
| Максимальная рабочая температура | + 175 C |
| Минимальная рабочая температура | 55 C |
| Подкатегория | MOSFETs |
| Полярность транзистора | N-Channel |
| Размер фабричной упаковки | 1000 |
| Технология | Si |
| Тип | Automotive MOSFET |
| Тип продукта | MOSFET |
| Тип транзистора | 1 N-Channel |
| Типичное время задержки выключения | 43 ns |
| Типичное время задержки при включении | 15 ns |
| Торговая марка | Infineon Technologies |
| Упаковка | Tube |
| Упаковка / блок | TO-262-3 |
| Ширина | 4.5 mm |
| Channel Type | N Channel |
| Drain Source On State Resistance | 0.021Ом |
| Power Dissipation | 92Вт |
| Количество Выводов | 3вывод(-ов) |
| Монтаж транзистора | Through Hole |
| Напряжение Измерения Rds(on) | 10В |
| Напряжение Истока-стока Vds | 100В |
| Непрерывный Ток Стока | 36А |
| Пороговое Напряжение Vgs | 4В |
| Рассеиваемая Мощность | 92Вт |
| Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on) | 0.021Ом |
| Стиль Корпуса Транзистора | TO-262 |
| Вес, г | 3.148 |
Техническая документация
Datasheet IRF540ZPBF
pdf, 378 КБ
