APT15GP90BDQ1G, Транзистор: IGBT; PT; 900В; 21А; 250Вт; TO247-3
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
2 610 руб.
от 3 шт. —
2 070 руб.
от 10 шт. —
1 630 руб.
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 2 610 руб.
Описание
Semiconductors\Transistors\IGBT transistors and modules\IGBT transistors
Технические параметры
| Case | TO247-3 |
| Collector current | 21A |
| Collector-emitter voltage | 900V |
| Features of semiconductor devices | integrated anti-parallel diode |
| Gate charge | 60nC |
| Gate-emitter voltage | ±30V |
| Kind of package | tube |
| Manufacturer | MICROCHIP(MICROSEMI) |
| Mounting | THT |
| Power dissipation | 250W |
| Pulsed collector current | 60A |
| Technology | POWER MOS 7®, PT |
| Turn-off time | 170ns |
| Turn-on time | 23ns |
| Type of transistor | IGBT |
| Вес, г | 6 |
