BD139G, Транзистор
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
79 руб.
Мин. кол-во для заказа 78 шт.
Добавить в корзину 78 шт.
на сумму 6 162 руб.
Посмотреть аналоги18
Описание
Описание Транзистор: NPN, биполярный, 80В, 1,5А, 12,5Вт, TO126 Характеристики
Категория | Транзистор |
Тип | биполярный |
Вид | NPN |
Технические параметры
Pd - рассеивание мощности | 1.25 W |
Вид монтажа | SMD/SMT |
Высота | 11.04 mm |
Длина | 7.74 mm |
Категория продукта | Биполярные транзисторы - BJT |
Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe) | 25 |
Конфигурация | Single |
Максимальная рабочая температура | + 150 C |
Максимальный постоянный ток коллектора | 1.5 A |
Минимальная рабочая температура | 55 C |
Напряжение коллектор-база (VCBO) | 80 V |
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | 80 V |
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | 0.5 V |
Напряжение эмиттер-база (VEBO) | 5 V |
Непрерывный коллекторный ток | 1.5 A |
Подкатегория | Transistors |
Полярность транзистора | NPN |
Размер фабричной упаковки | 500 |
Серия | BD139 |
Технология | Si |
Тип продукта | BJTs - Bipolar Transistors |
Торговая марка | ON Semiconductor |
Упаковка | Bulk |
Упаковка / блок | TO-225-3 |
Ширина | 2.66 mm |
Brand | ON Semiconductor |
Collector- Base Voltage VCBO | 80 V |
Collector- Emitter Voltage VCEO Max | 80 V |
Collector-Emitter Saturation Voltage | 0.5 V |
Configuration | Single |
Continuous Collector Current | 1.5 A |
DC Collector/Base Gain Hfe Min | 25 |
Emitter- Base Voltage VEBO | 5 V |
Factory Pack Quantity | 500 |
Manufacturer | ON Semiconductor |
Maximum DC Collector Current | 1.5 A |
Maximum Operating Temperature | +150 C |
Minimum Operating Temperature | -55 C |
Mounting Style | SMD/SMT |
Package / Case | TO-225-3 |
Packaging | Bulk |
Pd - Power Dissipation | 1.25 W |
Product Category | Bipolar Transistors-BJT |
Product Type | BJTs-Bipolar Transistors |
Series | BD139 |
Subcategory | Transistors |
Transistor Polarity | NPN |
Height | 11.04 mm |
Length | 7.74 mm |
RoHS | Details |
Width | 2.66 mm |
Maximum Collector Base Voltage | 80 V |
Maximum Collector Emitter Voltage | 80 V |
Maximum Emitter Base Voltage | 5 V |
Maximum Power Dissipation | 1.25 W |
Minimum DC Current Gain | 40 |
Mounting Type | Through Hole |
Number of Elements per Chip | 1 |
Package Type | TO-225 |
Pin Count | 3 |
Transistor Configuration | Single |
Transistor Type | NPN |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 134 КБ
Datasheet
pdf, 77 КБ
Datasheet
pdf, 80 КБ
Datasheet
pdf, 1680 КБ
Документация
pdf, 133 КБ