AON1606, Транзистор N-MOSFET, полевой, 20В, 0,55А, 0,55Вт, DFN3
29 руб.
Кратность заказа 5 шт.
от 50 шт. —
18 руб.
от 150 шт. —
15 руб.
от 500 шт. —
12.87 руб.
Добавить в корзину 5 шт.
на сумму 145 руб.
Описание
20V 700mA 900mW 275mΩ@400mA,4.5V 1V@250uA null DFN-3(0.6x1) MOSFETs ROHS
Технические параметры
| Continuous Drain Current (Id) | 700mA |
| Drain Source On Resistance (RDS(on)@Vgs,Id) | 275mΩ@400mA, 4.5V |
| Drain Source Voltage (Vdss) | 20V |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)@Id) | 1V@250uA |
| Input Capacitance (Ciss@Vds) | 62.5pF@10V |
| Operating Temperature | -55℃~+150℃@(Tj) |
| Power Dissipation (Pd) | 900mW |
| Total Gate Charge (Qg@Vgs) | 850pC@4.5V |
| Type | null |
| Вес, г | 1 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 260 КБ
