BCP53-10HX

Фото 1/2 BCP53-10HX
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
120 руб.
Мин. кол-во для заказа 2 шт.
от 5 шт.62 руб.
от 10 шт.43 руб.
от 100 шт.25.58 руб.
Добавить в корзину 2 шт. на сумму 240 руб.
Альтернативные предложения3
Номенклатурный номер: 8030442157
Бренд: NXP Semiconductor

Описание

Электроэлемент
Биполярные транзисторы - BJT BCP53-10H/SOT223/SC-

Технические параметры

Pd - рассеивание мощности 2.2 W
Вид монтажа SMD/SMT
Категория продукта Биполярные транзисторы - BJT
Конфигурация Single
Коэффициент усиления по постоянному току (hFE), макс. 160
Максимальная рабочая температура + 175 C
Максимальный постоянный ток коллектора 1 A
Минимальная рабочая температура 55 C
Напряжение коллектор-база (VCBO) 100 V
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. 80 V
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер 500 mV
Напряжение эмиттер-база (VEBO) 7 V
Подкатегория Transistors
Полярность транзистора PNP
Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT) 140 MHz
Размер фабричной упаковки 1000
Технология Si
Тип продукта BJTs - Bipolar Transistors
Торговая марка Nexperia
Упаковка / блок SOT-223-4
Collector Emitter Voltage Max 80В
Continuous Collector Current
DC Current Gain hFE Min 63hFE
DC Усиление Тока hFE 63hFE
Power Dissipation 2.2Вт
Квалификация AEC-Q101
Количество Выводов 4вывод(-ов)
Линейка Продукции BCP53H
Монтаж транзистора Surface Mount
Стиль Корпуса Транзистора SOT-223
Уровень Чувствительности к Влажности (MSL) MSL 1-Безлимитный
Частота Перехода ft 140МГц
Вес, г 0.1855

Техническая документация

Datasheet BCP53-10HX
pdf, 1270 КБ