IS66WV51216EBLL-55TLI

IS66WV51216EBLL-55TLI
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
1 830 руб.
от 2 шт.1 670 руб.
от 3 шт.1 570 руб.
Добавить в корзину 1 шт. на сумму 1 830 руб.
Номенклатурный номер: 8008412239

Описание

Электроэлемент
PSRAM, 8MBIT, 60NS, TSOP-II-44; Memory Size:8Mbit; SRAM Memory Configuration:512K x 16bit; Supply Voltage Range:2.5V to 3.6V; Memory Case Style:TSOP-II; No. of Pins:44Pins; Access Time:55ns; Operating Temperature Min:-40В°C; Operating Temperature Max:85В°C; Product Range:-; Automotive Qualification Standard:-; RoHS Phthalates Compliant:Yes; MSL:MSL 3 - 168 hours; SVHC:No SVHC (15-Jan-2018)

Технические параметры

Access Time 55ns
Manufacturer ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Memory Format PSRAM
Memory Interface Parallel
Memory Size 8Mb(512K x 16)
Memory Type Volatile
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -40В°C ~ 85В°C(TA)
Package / Case 44-TSOP(0.400", 10.16mm Width)
Packaging Tray
Part Status Active
Series -
Supplier Device Package 44-TSOP II
Technology PSRAM(Pseudo SRAM)
Voltage - Supply 2.5V ~ 3.6V
Write Cycle Time - Word, Page 55ns
Время Доступа 55нс
Диапазон Напряжения Питания 2.5В до 3.6В
Количество Выводов 44вывод(-ов)
Конфигурация Памяти SRAM 512К x 16бит
Максимальная Рабочая Температура 85 C
Минимальная Рабочая Температура -40 C
Размер Памяти 8Мбит
Стиль Корпуса Микросхемы Памяти TSOP-II
Уровень Чувствительности к Влажности (MSL) MSL 3-168 часов
Вес, г 5.4

Техническая документация

Datasheet
pdf, 692 КБ

Дополнительная информация

Калькуляторы группы «Микросхемы памяти»
Типы корпусов импортных микросхем