BC556ABU, Транзистор биполярный PNP, напряжение сток-исток 80 В, ток коллекторный 0.1 А, мощность рассеиваемая 0.5 Вт
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
11 руб.
Мин. кол-во для заказа 1010 шт.
Добавить в корзину 1010 шт.
на сумму 11 110 руб.
Описание
Биполярные транзисторы - BJT PNP -65V -100mA HFE/220
Технические параметры
| Pd - рассеивание мощности | 500 mW |
| Вид монтажа | Through Hole |
| Высота | 5.33 mm |
| Длина | 5.2 mm |
| Категория продукта | Биполярные транзисторы - BJT |
| Конфигурация | Single |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Максимальный постоянный ток коллектора | 0.1 A |
| Минимальная рабочая температура | 65 C |
| Напряжение коллектор-база (VCBO) | 80 V |
| Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | 65 V |
| Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | 250 mV |
| Напряжение эмиттер-база (VEBO) | 5 V |
| Непрерывный коллекторный ток | 0.1 A |
| Подкатегория | Transistors |
| Полярность транзистора | PNP |
| Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT) | 150 MHz |
| Размер фабричной упаковки | 10000 |
| Серия | BC556 |
| Технология | Si |
| Тип продукта | BJTs - Bipolar Transistors |
| Торговая марка | ON Semiconductor / Fairchild |
| Упаковка | Bulk |
| Упаковка / блок | TO-92-3 |
| Ширина | 4.19 mm |
| Maximum Collector Base Voltage | -80 V |
| Maximum Collector Emitter Voltage | -65 V |
| Maximum DC Collector Current | -100 mA |
| Maximum Emitter Base Voltage | -5 V |
| Maximum Operating Frequency | 10 MHz |
| Maximum Operating Temperature | +150 °C |
| Maximum Power Dissipation | 500 mW |
| Mounting Type | Through Hole |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Package Type | TO-92 |
| Pin Count | 3 |
| Transistor Configuration | Single |
| Transistor Type | PNP |
