Главная › Каталог брендов › Infineon › Позиции на заказ › IRFZ44NPBF

IRFZ44NPBF

Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию

48 руб.

Мин. кол-во для заказа 395 шт.

Добавить в корзину 395 шт. на сумму 18 960 руб.

Альтернативные предложения1

Номенклатурный номер: 8030738881

Бренд: INFINEON TECHNOLOGIES AG.

Описание

МОП-транзистор MOSFT 55V 49A 17.5mOhm 42nC

Технические параметры

Id - непрерывный ток утечки	49 A
Pd - рассеивание мощности	83 W
Qg - заряд затвора	42 nC
Rds Вкл - сопротивление сток-исток	23 mOhms
Vds - напряжение пробоя сток-исток	55 V
Vgs - напряжение затвор-исток	20 V
Вид монтажа	Through Hole
Высота	15.65 mm
Длина	10 mm
Другие названия товара №	SP001565354
Категория продукта	МОП-транзистор
Количество каналов	1 Channel
Конфигурация	Single
Подкатегория	MOSFETs
Полярность транзистора	N-Channel
Размер фабричной упаковки	1000
Технология	Si
Тип продукта	MOSFET
Тип транзистора	1 N-Channel
Торговая марка	Infineon Technologies
Упаковка	Tube
Упаковка / блок	TO-220-3
Ширина	4.4 mm
Manufacturer	VBsemi Elec
Package / Case	TO-220
Packaging	Tube-packed
Крутизна характеристики S,А/В	19
Максимальное пороговое напряжение затвор-исток Uзи макс.,В	4
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл.,мОм	17.5
Температура, С	-55…+175
Channel Mode	Enhancement
Channel Type	N
Maximum Continuous Drain Current	49 A
Maximum Drain Source Resistance	17.5 mΩ
Maximum Drain Source Voltage	55 V
Maximum Gate Source Voltage	-20 V, +20 V
Maximum Gate Threshold Voltage	4V
Maximum Operating Temperature	+175 °C
Maximum Power Dissipation	94 W
Minimum Gate Threshold Voltage	2V
Minimum Operating Temperature	-55 °C
Mounting Type	Through Hole
Number of Elements per Chip	1
Package Type	TO-220AB
Pin Count	3
Series	HEXFET
Transistor Configuration	Single
Transistor Material	Si
Typical Gate Charge @ Vgs	63 nC @ 10 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25В°C	49A(Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss)	55V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	10V
FET Feature	-
FET Type	N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	63nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	1470pF @ 25V
Operating Temperature	-55В°C ~ 175В°C(TJ)
Part Status	Active
Power Dissipation (Max)	94W(Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	17.5mOhm @ 25A, 10V
Supplier Device Package	TO-220AB
Technology	MOSFET(Metal Oxide)
Vgs (Max)	В±20V
Vgs(th) (Max) @ Id	4V @ 250ВµA
Вес брутто	2.93
Диапазон рабочих температур	-55…+175 °С
Заряд затвора, нКл	63
Максимально допустимое напряжение	затвор-исток(Vgs)±20 В
Максимальное напряжение сток-исток, В	55
Максимальный ток стока (при Ta=25C), А	49
Минимальное сопротивление открытого канала, мОм	17.5
Мощность	рассеиваемая(Pd)-94 Вт
Напряжение	пороговое затвора(Vgs th)-2 В
Описание	55V, 49A N-Channel MOSFET
Способ монтажа	Through Hole
Тип	MOSFET
Тип проводимости	N