BFR93AE6327
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
26 руб.
Мин. кол-во для заказа 4 шт.
Добавить в корзину 4 шт.
на сумму 104 руб.
Описание
РЧ биполярные транзисторы NPN Silicon RF TRANSISTOR
Технические параметры
Другие названия товара № | BFR 93A E6327 SP000011066 |
Категория продукта | РЧ биполярные транзисторы |
Подкатегория | Transistors |
Размер фабричной упаковки | 3000 |
Серия | BFR93 |
Технология | Si |
Тип продукта | RF Bipolar Transistors |
Торговая марка | Infineon Technologies |
Упаковка / блок | SOT-23-3 |
Pd - рассеивание мощности | 300 mW |
Вид монтажа | SMD/SMT |
Высота | 1 mm |
Длина | 2.9 mm |
Конфигурация | Single |
Коэффициент усиления по постоянному току (hFE), макс. | 70 at 30 mA at 8 V |
Максимальная рабочая температура | + 150 C |
Максимальный постоянный ток коллектора | 0.09 A |
Минимальная рабочая температура | 65 C |
Напряжение коллектор-база (VCBO) | 20 V |
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | 12 V |
Напряжение эмиттер-база (VEBO) | 2 V |
Полярность транзистора | NPN |
Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT) | 6000 MHz |
Тип | RF Bipolar Small Signal |
Тип транзистора | Bipolar |
Ширина | 1.3 mm |
AEC Qualified Number | AEC-Q101 |
Automotive | Yes |
Maximum 3rd Order Intercept Point - (dBm) | 15(Typ) |
Maximum Collector Base Voltage - (V) | 20 |
Maximum Collector-Emitter Voltage - (V) | 12 |
Maximum DC Collector Current - (A) | 0.09 |
Maximum Emitter Base Voltage - (V) | 2 |
Maximum Noise Figure - (dB) | 2.6(Typ) |
Maximum Power 1dB Compression - (dBm) | 6(Typ) |
Maximum Power Dissipation - (mW) | 300 |
Maximum Transition Frequency - (MHz) | 6000(Typ) |
Military | No |
Minimum DC Current Gain | 70@30mA@8V |
Minimum DC Current Gain Range | 50 to 120 |
Number of Elements per Chip | 1 |
Operating Temperature - (??C) | -55~150 |
Operational Bias Conditions | 8V/30mA |
Packaging | Tape and Reel |
Pin Count | 3 |
Standard Package Name | SOT-23 |
Supplier Package | SOT-23 |
Typical Input Capacitance - (pF) | 1.9 |
Typical Output Capacitance - (pF) | 0.54 |
Typical Power Gain - (dB) | 14.5 |
Maximum Collector Base Voltage | 20 V |
Maximum Collector Emitter Voltage | 12 V |
Maximum DC Collector Current | 90 mA |
Maximum Emitter Base Voltage | 2 V |
Maximum Operating Frequency | 6 GHz |
Maximum Operating Temperature | +150 °C |
Maximum Power Dissipation | 300 mW |
Mounting Type | Surface Mount |
Package Type | SOT-23 |
Transistor Configuration | Single |
Transistor Type | NPN |
Вес, г | 0.008 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 1680 КБ
Datasheet
pdf, 606 КБ
Datasheet BFR93AE6327HTSA1
pdf, 609 КБ
Datasheet BFR93AE6327HTSA1
pdf, 603 КБ