FDC658AP
40 шт. со склада г.Москва, срок 8-9 дней
200 руб.
от 2 шт. —
120 руб.
от 10 шт. —
76 руб.
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 200 руб.
Альтернативные предложения1
Описание
Электроэлемент
SOT-23-6 MOSFETs ROHS
Технические параметры
| Continuous Drain Current (Id) | 4.8A |
| Drain Source On Resistance (RDS(on)@Vgs,Id) | 49mΩ@10V, 4.8A |
| Drain Source Voltage (Vdss) | 30V |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)@Id) | - |
| Input Capacitance (Ciss@Vds) | - |
| Power Dissipation (Pd) | - |
| Reverse Transfer Capacitance (Crss@Vds) | - |
| Total Gate Charge (Qg@Vgs) | - |
| Type | P Channel |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 1063 КБ
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.
