WMJ28N60F2, Transistor: N-MOSFET; WMOS™ F2; unipolar; 600V; 13A; Idm: 65A; 160W

WMJ28N60F2, Transistor: N-MOSFET; WMOS™ F2; unipolar; 600V; 13A; Idm: 65A; 160W
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
60 шт., срок 6 недель
1 490 руб.
от 3 шт.1 170 руб.
от 10 шт.779 руб.
от 30 шт.655.81 руб.
Добавить в корзину 1 шт. на сумму 1 490 руб.
Номенклатурный номер: 8031412384
Артикул: WMJ28N60F2
Бренд: Wayon

Описание

Semiconductors\Transistors\Unipolar transistors\N channel transistors

Технические параметры

Case TO247-3
Drain current 13A
Drain-source voltage 600V
Gate charge 27.3nC
Gate-source voltage ±30V
Kind of channel enhanced
Kind of package tube
Manufacturer WAYON
Mounting THT
On-state resistance 0.19Ω
Polarisation unipolar
Power dissipation 160W
Pulsed drain current 65A
Technology WMOS™ F2
Type of transistor N-MOSFET
Вес, г 5

Сроки доставки

Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.