WMJ28N60F2, Transistor: N-MOSFET; WMOS™ F2; unipolar; 600V; 13A; Idm: 65A; 160W
![WMJ28N60F2, Transistor: N-MOSFET; WMOS™ F2; unipolar; 600V; 13A; Idm: 65A; 160W](https://static.chipdip.ru/lib/560/DOC045560790.jpg)
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
60 шт., срок 6 недель
1 490 руб.
от 3 шт. —
1 170 руб.
от 10 шт. —
779 руб.
от 30 шт. —
655.81 руб.
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 1 490 руб.
Описание
Semiconductors\Transistors\Unipolar transistors\N channel transistors
Технические параметры
Case | TO247-3 |
Drain current | 13A |
Drain-source voltage | 600V |
Gate charge | 27.3nC |
Gate-source voltage | ±30V |
Kind of channel | enhanced |
Kind of package | tube |
Manufacturer | WAYON |
Mounting | THT |
On-state resistance | 0.19Ω |
Polarisation | unipolar |
Power dissipation | 160W |
Pulsed drain current | 65A |
Technology | WMOS™ F2 |
Type of transistor | N-MOSFET |
Вес, г | 5 |
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.