WMJ99N60F2, Transistor: N-MOSFET; WMOS™ F2; unipolar; 600V; 60A; Idm: 350A; 460W
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
30 шт., срок 6 недель
5 960 руб.
от 3 шт. —
4 470 руб.
от 10 шт. —
3 220 руб.
от 30 шт. —
2 892.26 руб.
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 5 960 руб.
Описание
Semiconductors\Transistors\Unipolar transistors\N channel transistors
Технические параметры
| Case | TO247-3 |
| Drain current | 60A |
| Drain-source voltage | 600V |
| Gate charge | 174nC |
| Gate-source voltage | ±30V |
| Kind of channel | enhanced |
| Kind of package | tube |
| Manufacturer | WAYON |
| Mounting | THT |
| On-state resistance | 25.5mΩ |
| Polarisation | unipolar |
| Power dissipation | 460W |
| Pulsed drain current | 350A |
| Technology | WMOS™ F2 |
| Type of transistor | N-MOSFET |
| Вес, г | 5 |
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.
