WMJ80N60EM, Transistor: N-MOSFET; WMOS™ EM; unipolar; 600V; 48A; Idm: 295A; 430W
![WMJ80N60EM, Transistor: N-MOSFET; WMOS™ EM; unipolar; 600V; 48A; Idm: 295A; 430W](https://static.chipdip.ru/lib/561/DOC045561104.jpg)
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
30 шт., срок 6 недель
5 810 руб.
от 3 шт. —
4 370 руб.
от 10 шт. —
3 130 руб.
от 30 шт. —
2 823 руб.
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 5 810 руб.
Описание
Semiconductors\Transistors\Unipolar transistors\N channel transistors
Технические параметры
Case | TO247-3 |
Drain current | 48A |
Drain-source voltage | 600V |
Gate charge | 142nC |
Gate-source voltage | ±30V |
Kind of channel | enhanced |
Kind of package | tube |
Manufacturer | WAYON |
Mounting | THT |
On-state resistance | 43mΩ |
Polarisation | unipolar |
Power dissipation | 430W |
Pulsed drain current | 295A |
Technology | WMOS™ EM |
Type of transistor | N-MOSFET |
Вес, г | 5 |
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.