WMJ80N60EM, Transistor: N-MOSFET; WMOS™ EM; unipolar; 600V; 48A; Idm: 295A; 430W

WMJ80N60EM, Transistor: N-MOSFET; WMOS™ EM; unipolar; 600V; 48A; Idm: 295A; 430W
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
30 шт., срок 6 недель
5 810 руб.
от 3 шт.4 370 руб.
от 10 шт.3 130 руб.
от 30 шт.2 823 руб.
Добавить в корзину 1 шт. на сумму 5 810 руб.
Номенклатурный номер: 8031424056
Артикул: WMJ80N60EM
Бренд: Wayon

Описание

Semiconductors\Transistors\Unipolar transistors\N channel transistors

Технические параметры

Case TO247-3
Drain current 48A
Drain-source voltage 600V
Gate charge 142nC
Gate-source voltage ±30V
Kind of channel enhanced
Kind of package tube
Manufacturer WAYON
Mounting THT
On-state resistance 43mΩ
Polarisation unipolar
Power dissipation 430W
Pulsed drain current 295A
Technology WMOS™ EM
Type of transistor N-MOSFET
Вес, г 5

Сроки доставки

Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.