BF998E6327

PartNumber: BF998E6327
Ном. номер: 8144154667
Производитель: Infineon Technologies
BF998E6327
Доступно на заказ 1605 шт. Отгрузка со склада в г.Москва 5 дней.
26 руб. × = 260 руб.
Минимальное количество для заказа 10 шт.
от 300 шт. — 10 руб.
от 1500 шт. — 7.48 руб.

Описание

Infineon Dual-gate MOSFET Tetrode
Dual-gate Low noise Tetrode MOSFET RF transistors from Infineon

MOSFET Transistors, Infineon
Infineon's large and comprehensive portfolio of MOSFET devices includes the OptiMOS™ and CoolMOS™ families. These products deliver best-in-class performance from the latest generation of state-of-the-art power MOSFETs

Транзисторы / Полевые транзисторы / Радиочастотные (RF FET) транзисторы
Корпус: SOT143B, инфо: Полевой транзистор, радиочастотный, N-канальный, 12 В, 0.03 А

Технические параметры

Категория
MOSFET Tetrode
Тип канала
N
Конфигурация
Dual Gate
Размеры
2.9 x 1 x 1.3мм
Максимальный непрерывный ток стока
0.03 A
Максимальное напряжение сток-исток
12 V
Максимальное напряжение затвор-исток
-2 В (шлюз 2), -2.5 В (шлюз 1)
Максимальная рабочая температура
+150 °C
Максимальное рассеяние мощности
0.2 W
Тип корпуса
SOT-143
Число контактов
4
Типичная входная емкость при Vds
1.2 пФ при 8 В, 2.1 пФ при 8 В
Типичный коэффициент усиления по мощности
28 dB
Ширина
1mm
Материал транзистора
Кремний
Maximum Gate Threshold Voltage
2.5V
Minimum Gate Threshold Voltage
0.8V
Высота
1.3mm
Длина
2.9mm
Тип монтажа
Surface Mount

Дополнительная информация

BF998, Silicon N-Channel MOSFET Tetrode