SI3900DV-T1-GE3
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
230 руб.
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 230 руб.
Описание
транзисторы полевые импортные
Технические параметры
Структура | N-канал | |
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 20 | |
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 2.4 | |
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 1.15 | |
Корпус | TSOP6 | |
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл.,мОм | 125 | |
Температура, С | -55…+150 | |
Вес, г | 0.02 |
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов