IRG4BC40KPBF, Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 42 А, 160 Вт
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
580 руб.
от 6 шт. —
480 руб.
от 11 шт. —
444 руб.
от 21 шт. —
428 руб.
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 580 руб.
Описание
Транзисторы / IGBT (БТИЗ) транзисторы / Одиночные IGBT транзисторы
Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 42 А, 160 Вт
Технические параметры
| Корпус | to-220 | |
| Channel Type | N | |
| Collector Current (DC) | 42(A) | |
| Collector-Emitter Voltage | 600(V) | |
| Configuration | Single | |
| Gate to Emitter Voltage (Max) | ±20(V) | |
| Mounting | Through Hole | |
| Operating Temperature (Max) | 150C | |
| Operating Temperature (Min) | -55C | |
| Operating Temperature Classification | Military | |
| Package Type | TO-220AB | |
| Packaging | Rail/Tube | |
| Pin Count | 3+Tab | |
| Rad Hardened | No | |
| Вес, г | 3.07 |
Техническая документация
Документация
pdf, 281 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы биполярные с изолированным затвором (IGBTs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
