IRFP9140PBF, Транзистор полевой P-канальный 100В 21А 180Вт
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
320 руб.
Мин. кол-во для заказа 2 шт.
от 9 шт. —
260 руб.
от 18 шт. —
243 руб.
от 50 шт. —
228 руб.
Добавить в корзину 2 шт.
на сумму 640 руб.
Описание
Транзисторы / Полевые транзисторы / Одиночные MOSFET транзисторы
Транзистор полевой P-канальный 100В 21А 180Вт
Технические параметры
Корпус | TO-247AC | |
EU RoHS | Compliant | |
ECCN (US) | EAR99 | |
Part Status | Active | |
HTS | 8541.29.00.95 | |
Product Category | Power MOSFET | |
Configuration | Single | |
Channel Mode | Enhancement | |
Channel Type | P | |
Number of Elements per Chip | 1 | |
Maximum Drain Source Voltage (V) | 100 | |
Maximum Gate Source Voltage (V) | ±20 | |
Maximum Continuous Drain Current (A) | 21 | |
Maximum Drain Source Resistance (mOhm) | 200@10V | |
Typical Gate Charge @ Vgs (nC) | 61(Max)@10V | |
Typical Gate Charge @ 10V (nC) | 61(Max) | |
Typical Input Capacitance @ Vds (pF) | 1400@25V | |
Maximum Power Dissipation (mW) | 180000 | |
Typical Fall Time (ns) | 57 | |
Typical Rise Time (ns) | 73 | |
Typical Turn-Off Delay Time (ns) | 34 | |
Typical Turn-On Delay Time (ns) | 16 | |
Minimum Operating Temperature (°C) | -55 | |
Maximum Operating Temperature (°C) | 175 | |
Automotive | No | |
Pin Count | 3 | |
Supplier Package | TO-247AC | |
Standard Package Name | TO-247 | |
Military | No | |
Mounting | Through Hole | |
Package Height | 20.82(Max) | |
Package Length | 15.87(Max) | |
Package Width | 5.31(Max) | |
PCB changed | 3 | |
Tab | Tab | |
Lead Shape | Through Hole | |
Maximum Continuous Drain Current | 21 A | |
Maximum Drain Source Resistance | 200 mΩ | |
Maximum Drain Source Voltage | 100 V | |
Maximum Gate Source Voltage | -20 V, +20 V | |
Maximum Operating Temperature | +175 °C | |
Maximum Power Dissipation | 180 W | |
Minimum Gate Threshold Voltage | 2V | |
Minimum Operating Temperature | -55 °C | |
Mounting Type | Through Hole | |
Package Type | TO-247AC | |
Transistor Configuration | Single | |
Transistor Material | Si | |
Typical Gate Charge @ Vgs | 61 nC @ 10 V | |
Width | 5.31mm | |
Вес, г | 8.5 |
Техническая документация
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов