IRFP9140PBF

Фото 2/3 IRFP9140PBFФото 3/3 IRFP9140PBF
Фото 1/3 IRFP9140PBF
* Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
Ном. номер: 8640575947
Производитель: Vishay
190 руб.
96 шт. со склада г.Москва,
срок 4 рабочих дня
от 25 шт. — 87 руб.
от 50 шт. — 78 руб.
Мин. кол-во для заказа 5 шт.
Показать альтернативные предложения > > >
Цена Наличие Кратность Минимум Количество
340 руб. 7 дней, 257 шт. 1 шт. 1 шт.
от 25 шт. — 210 руб.
от 100 шт. — 190 руб.
от 250 шт. — 180.32 руб.
293 руб. 3-4 недели, 7 шт. 1 шт. 1 шт.
270 руб. 3-4 недели, 61 шт. 1 шт. 3 шт.
от 26 шт. — 174.62 руб.
Добавить в корзину 0 шт. на сумму 0 руб.

Описание

Транзисторы / Полевые транзисторы / Одиночные MOSFET транзисторы

корпус: TO-247-3, инфо: Полевой транзистор, P-канальный, 100 В, 21 А, 180 Вт

The IRFP9140PBF is a -100V P-channel Power MOSFET, third generation HEXFET® power MOSFET provides the designer with the best combination of fast switching, ruggedized device design and low on-resistance.

• Dynamic dV/dt rating
• Repetitive avalanche rated
• Easy to parallel
• Simple drive requirement
• Isolated central mounting hole
• Fast switching
• 175°C Operating temperature

Технические параметры

Максимальная рабочая температура +175 °C
Максимальный непрерывный ток стока 21 А
Тип корпуса TO-247AC
Максимальное рассеяние мощности 180 Вт
Тип монтажа Монтаж на плату в отверстия
Ширина 5.31мм
Высота 20.7мм
Размеры 15.87 x 5.31 x 20.7мм
Материал транзистора SI
Количество элементов на ИС 1
Длина 15.87мм
Transistor Configuration Одинарный
Типичное время задержки включения 16 ns
Производитель Vishay
Типичное время задержки выключения 34 нс
Минимальная рабочая температура -55 °C
Minimum Gate Threshold Voltage 2V
Максимальное сопротивление сток-исток 200 мОм
Максимальное напряжение сток-исток 100 В
Число контактов 3
Категория Мощный МОП-транзистор
Типичный заряд затвора при Vgs 61 nC @ 10 V
Номер канала Поднятие
Типичная входная емкость при Vds 1400 пФ при 25 В
Тип канала P
Максимальное напряжение затвор-исток -20 В, +20 В
EU RoHS Compliant
ECCN (US) EAR99
Part Status Active
HTS 8541.29.00.95
Product Category Power MOSFET
Configuration Single
Channel Mode Enhancement
Channel Type P
Number of Elements per Chip 1
Maximum Drain Source Voltage (V) 100
Maximum Gate Source Voltage (V) ±20
Maximum Continuous Drain Current (A) 21
Maximum Drain Source Resistance (mOhm) 200@10V
Typical Gate Charge @ Vgs (nC) 61(Max)@10V
Typical Gate Charge @ 10V (nC) 61(Max)
Typical Input Capacitance @ Vds (pF) 1400@25V
Maximum Power Dissipation (mW) 180000
Typical Fall Time (ns) 57
Typical Rise Time (ns) 73
Typical Turn-Off Delay Time (ns) 34
Typical Turn-On Delay Time (ns) 16
Minimum Operating Temperature (°C) -55
Maximum Operating Temperature (°C) 175
Automotive No
Pin Count 3
Supplier Package TO-247AC
Standard Package Name TO-247
Military No
Mounting Through Hole
Package Height 20.82(Max)
Package Length 15.87(Max)
Package Width 5.31(Max)
PCB changed 3
Tab Tab
Lead Shape Through Hole
Вес, г 8.5

Дополнительная информация

Datasheet IRFP9140PBF
Datasheet IRFP9140PBF

Сроки доставки

Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.