2N7002PS,115, Сборка из полевых транзисторов, 2N-канальный, 60 В, 0.32 А, 0.42 Вт
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
8965 шт. со склада г.Москва, срок 10 дней
15 руб.
Мин. кол-во для заказа 32 шт.
от 165 шт. —
11 руб.
от 330 шт. —
9.80 руб.
от 659 шт. —
8.70 руб.
Добавить в корзину 32 шт.
на сумму 480 руб.
Альтернативные предложения4
Описание
Транзисторы / Полевые транзисторы / Сборки MOSFET транзисторов
Сборка из полевых транзисторов, 2N-канальный, 60 В, 0.32 А, 0.42 Вт
Технические параметры
| Корпус | TSSOP6 | |
| Максимальная рабочая температура | +150 °C | |
| Максимальный непрерывный ток стока | 320 мА | |
| Тип корпуса | SOT-363 (SC-88) | |
| Максимальное рассеяние мощности | 420 мВт | |
| Тип монтажа | Поверхностный монтаж | |
| Ширина | 1.35мм | |
| Высота | 1мм | |
| Размеры | 2.2 x 1.35 x 1мм | |
| Материал транзистора | SI | |
| Количество элементов на ИС | 1 | |
| Длина | 2.2мм | |
| Transistor Configuration | Одинарный | |
| Типичное время задержки включения | 3 нс | |
| Производитель | Nexperia | |
| Типичное время задержки выключения | 10 нс | |
| Минимальная рабочая температура | -55 °C | |
| Maximum Gate Threshold Voltage | 2.4V | |
| Minimum Gate Threshold Voltage | 1.1V | |
| Максимальное сопротивление сток-исток | 2 Ω | |
| Максимальное напряжение сток-исток | 60 В | |
| Число контактов | 6 | |
| Типичный заряд затвора при Vgs | 0,6 нКл | |
| Номер канала | Поднятие | |
| Типичная входная емкость при Vds | 30 пФ при 10 В | |
| Тип канала | N | |
| Максимальное напряжение затвор-исток | -20 В, +20 В | |
| Brand: | Nexperia | |
| Channel Mode: | Enhancement | |
| Configuration: | Dual | |
| Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 3000 | |
| Fall Time: | 4 ns | |
| Id - Continuous Drain Current: | 320 mA | |
| Manufacturer: | Nexperia | |
| Maximum Operating Temperature: | +150 C | |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C | |
| Mounting Style: | SMD/SMT | |
| Number of Channels: | 2 Channel | |
| Package/Case: | SOT-363-6 | |
| Part # Aliases: | 934064134115 | |
| Pd - Power Dissipation: | 280 mW | |
| Product Category: | MOSFET | |
| Product Type: | MOSFET | |
| Product: | MOSFET Small Signal | |
| Qg - Gate Charge: | 800 pC | |
| Qualification: | AEC-Q101 | |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 1 Ohms | |
| Rise Time: | 4 ns | |
| Subcategory: | MOSFETs | |
| Technology: | Si | |
| Transistor Polarity: | N-Channel | |
| Transistor Type: | 2 N-Channel | |
| Typical Turn-Off Delay Time: | 10 ns | |
| Typical Turn-On Delay Time: | 3 ns | |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 60 V | |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -20 V, +20 V | |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 1.1 V | |
| Channel Mode | Enhancement | |
| Channel Type | N | |
| Maximum Continuous Drain Current | 320 mA | |
| Maximum Drain Source Resistance | 2 Ω | |
| Maximum Drain Source Voltage | 60 V | |
| Maximum Gate Source Voltage | -20 V, +20 V | |
| Maximum Operating Temperature | +150 °C | |
| Maximum Power Dissipation | 420 mW | |
| Minimum Operating Temperature | -55 °C | |
| Mounting Type | Surface Mount | |
| Number of Elements per Chip | 1 | |
| Package Type | SOT-363 | |
| Pin Count | 6 | |
| Transistor Material | Si | |
| Typical Gate Charge @ Vgs | 0.6 nC @ 2.5 V | |
| Width | 1.35mm | |
| Вес, г | 0.005 |
Техническая документация
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.
