IRLB4030PBF, Транзистор полевой N-канальный 100В 180А 370Вт

Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию

680 руб.

от 5 шт. — 560 руб.

от 9 шт. — 525 руб.

от 18 шт. — 494 руб.

Добавить в корзину 1 шт. на сумму 680 руб.

Альтернативные предложения1

Номенклатурный номер: 8933410049

Артикул: IRLB4030PBF

Транзисторы / Полевые транзисторы / Одиночные MOSFET транзисторы

Транзистор полевой N-канальный 100В 180А 370Вт

Корпус	TO-220AB
Channel Mode	Enhancement
Channel Type	N
Maximum Continuous Drain Current	180 A
Maximum Drain Source Resistance	4 mΩ
Maximum Drain Source Voltage	100 V
Maximum Gate Source Voltage	-16 V, +16 V
Maximum Gate Threshold Voltage	2.5V
Maximum Operating Temperature	+175 °C
Maximum Power Dissipation	370 W
Minimum Gate Threshold Voltage	1V
Minimum Operating Temperature	-55 °C
Mounting Type	Through Hole
Number of Elements per Chip	1
Package Type	TO-220AB
Pin Count	3
Series	HEXFET
Transistor Configuration	Single
Transistor Material	Si
Typical Gate Charge @ Vgs	87 nC @ 4.5 V
Width	4.83mm
Вес, г	2.9