Главная › Электронные компоненты › Транзисторы › Полевые (FETs, MOSFETs)

Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs), стр.3

_{220 из более 1000}

Сортировка: РекомендуемХиты продажДешевлеДорожеКоличество

FDPF4N60NZ, Транзистор, UniFET II, N-канал, 600В, 3.8А, 2.5Ом (=SSS4N60B), [TO-220FP] Бренд: ON Semiconductor Структура: N-канал Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 600 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 3.8 Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 2.5 Ом/1.9А, 10В Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 28 Крутизна характеристики, S: 3.3 Корпус: TO-220F	быстрый просмотр	240 руб. ×	от 15 шт. — 191 руб.
FQA11N90C-F109, Транзистор, QFET, N-канал, 900В, 11А [TO-3PN] Бренд: ON Semiconductor Структура: N-канал Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 900 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 11 Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 1.1 Ом/5.5А, 10В Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 300 Корпус: to-3pn	быстрый просмотр	1 100 руб. ×	от 15 шт. — 1 050 руб.
FQA9N90C_F109, Транзистор, QFET, N-канал, 900В, 9А [TO-3PN] Бренд: ON Semiconductor Структура: N-канал Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 900 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 9 Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 1.4 Ом/4.5А, 10В Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 280 Корпус: to-3pn	быстрый просмотр	620 руб. ×	от 15 шт. — 556 руб.
FQP2N60C, Транзистор, N-канал 600В 2А [TO-220] Бренд: ON Semiconductor Структура: N-канал Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 600 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 2 Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 4.7 Ом/1А, 10В Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 54 Крутизна характеристики, S: 5 Корпус: to-220	быстрый просмотр	220 руб. ×	от 15 шт. — 176 руб.
FQP4N90C, Транзистор, N-канал 900В 4А [TO-220] Бренд: ON Semiconductor Структура: N-канал Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 900 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 4 Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 4.2 Ом/2А, 10В Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 140 Крутизна характеристики, S: 5 Корпус: to-220	быстрый просмотр	220 руб. ×	от 15 шт. — 186 руб.
FQP6N80C, Транзистор, QFET, N-канал, 800В, 5.5А [TO-220] Бренд: ON Semiconductor Структура: N-канал Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 800 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 5.5 Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 2.5 Ом/2.75А, 10В Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 158 Корпус: to-220	быстрый просмотр	220 руб. ×	от 15 шт. — 215 руб.
FQP6N90C, Транзистор N-MOSFET 900В 6А [TO-220] Бренд: ON Semiconductor Структура: N-канал Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 900 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 6 Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 2.3 Ом/3А, 10В Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 167 Корпус: to-220	быстрый просмотр	330 руб. ×	от 15 шт. — 294 руб.
FQPF10N60C, Транзистор, N-канал 600В 9.5А [TO-220F] Бренд: ON Semiconductor Структура: N-канал Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 600 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 9.5 Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.73 Ом/4.75А, 10В Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 156 Крутизна характеристики, S: 8 Корпус: TO-220F	быстрый просмотр	250 руб. ×	от 15 шт. — 223 руб.
FQPF3N80C, Транзистор, QFET, N-канал, 800В, 3А [TO-220F] Бренд: ON Semiconductor Структура: N-канал Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 800 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 3 Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 4.8 Ом/1.5А, 10В Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 39 Корпус: TO-220F	быстрый просмотр	180 руб. ×	от 15 шт. — 140 руб.
FQPF4N90C, Транзистор N-CH 900V 4A [TO-220F] Бренд: ON Semiconductor Структура: N-канал Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 900 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 4 Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 4.2 Ом/2А, 10В Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 47 Крутизна характеристики, S: 5 Корпус: TO-220F	быстрый просмотр	240 руб. ×	от 15 шт. — 204 руб.
FQPF5N60C, Транзистор, QFET, N-канал, 600В, 4.5А [TO-220] Бренд: ON Semiconductor Структура: N-канал Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 600 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 4.5 Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 2.5 Ом/2.25А, 10В Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 33 Корпус: TO-220F	быстрый просмотр	200 руб. ×	от 15 шт. — 172 руб.
FQPF6N90C, Транзистор N-CH 900V 6A [TO-220F] Бренд: ON Semiconductor Структура: N-канал Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 900 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 6 Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 2.3 Ом/3А, 10В Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 47 Крутизна характеристики, S: 5 Корпус: TO-220F	быстрый просмотр	250 руб. ×	от 15 шт. — 216 руб.
FQPF8N60CFT, Транзистор, N-канал 600В 7.5А (=SSP7N60B), [TO-220F] Бренд: ON Semiconductor Структура: N-канал Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 600 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 7 Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 1.5 Ом/3.13А, 10В Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 147 Крутизна характеристики, S: 8.2 Корпус: TO-220F	быстрый просмотр	250 руб. ×	от 15 шт. — 216 руб.
FQPF8N80C, Транзистор, QFET, N-канал, 800В, 8А [TO-220F] Бренд: ON Semiconductor Структура: N-канал Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 800 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 8 Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 1.55 Ом/4А, 10В Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 59 Корпус: TO-220F	быстрый просмотр	330 руб. ×	от 15 шт. — 294 руб.
IPA60R950C6XKSA1 (6R950C6), Транзистор CoolMOS C6, N-канал 650В 4.4А [TO-220FP] Бренд: Infineon Структура: N-канал Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 600 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 4.4 Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.95 Ом/1.5А, 10В Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 26 Корпус: TO-220FP	быстрый просмотр	150 руб. ×	от 15 шт. — 121 руб.
IPW60R060P7XKSA1, Транзистор N-MOSFET 600В 48А [PG-TO247-3] Бренд: Infineon Структура: N-канал Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 600 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 48 Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.06 Ом/15.9А, 10В Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 164 Корпус: TO-247	быстрый просмотр	1 330 руб. ×	от 15 шт. — 1 290 руб.
IPW60R099C6FKSA1 (6R099C6), Транзистор MOSFET N-канал 600В 37.9А [TO-247] Бренд: Infineon Структура: N-канал Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 600 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 37.9 Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.099 Ом/18.1А, 10В Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 278 Корпус: TO-247	быстрый просмотр	1 600 руб. ×	от 15 шт. — 1 550 руб.
IPW60R160C6FKSA1 (6R160C6), Транзистор MOSFET N-канал 600В 23.8А [TO-247] Бренд: Infineon Структура: N-канал Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 600 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 23.8 Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.16 Ом/11.3А, 10В Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 176 Корпус: TO-247	быстрый просмотр	880 руб. ×	от 15 шт. — 818 руб.
IRFB9N60APBF, Транзистор, N-канал 600В 9.2А [TO-220AB] Бренд: Vishay Структура: N-канал Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 600 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 9.2 Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.75 Ом/5.5А, 10В Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 170 Крутизна характеристики, S: 5.5 Корпус: TO-220AB	быстрый просмотр	370 руб. ×	от 15 шт. — 323 руб.
IRFBC30PBF, Транзистор, N-канал 600В 3.6А [TO-220AB] Бренд: Vishay Структура: N-канал Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 600 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 3.6 Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 2.2 Ом/2.2А, 10В Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 74 Крутизна характеристики, S: 2.4 Корпус: TO-220AB	быстрый просмотр	140 руб. ×	от 15 шт. — 106 руб.