Сортировка:
РекомендуемХиты продажДешевлеДорожеКоличество
Бренд: ON Semiconductor
Структура: npn darlington
Макс. напр. к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи э.(Uкбо макс),В: 120
Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В: 120
Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А): 30
Статический коэффициент передачи тока h21э мин: 1000
Граничная частота коэффициента передачи тока fгр.МГц: 4
Максимальная рассеиваемая мощность ,Вт: 200
Корпус: то-3
|
быстрый просмотр | 1 170 руб. × |
от 5 шт. — 1 100 руб.
|
|
Бренд: ON Semiconductor
Структура: npn darlington
Макс. напр. к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи э.(Uкбо макс),В: 120
Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В: 120
Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А): 50
Статический коэффициент передачи тока h21э мин: 1000
Максимальная рассеиваемая мощность ,Вт: 300
Корпус: то-3
|
быстрый просмотр | 2 200 руб. × |
от 15 шт. — 2 150 руб.
|
|
Бренд: ON Semiconductor
Структура: npn
Макс. напр. к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи э.(Uкбо макс),В: 140
Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В: 140
Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А): 20
Статический коэффициент передачи тока h21э мин: 25
Граничная частота коэффициента передачи тока fгр.МГц: 2
Максимальная рассеиваемая мощность ,Вт: 250
Корпус: то-3
|
быстрый просмотр | 1 310 руб. × |
от 15 шт. — 1 270 руб.
|
|
Бренд: ON Semiconductor
Структура: pnp
Макс. напр. к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи э.(Uкбо макс),В: 140
Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В: 140
Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А): 20
Статический коэффициент передачи тока h21э мин: 25
Граничная частота коэффициента передачи тока fгр.МГц: 2
Максимальная рассеиваемая мощность ,Вт: 250
Корпус: то-3
|
быстрый просмотр | 1 070 руб. × |
от 15 шт. — 1 040 руб.
|
|
быстрый просмотр | 253 шт. |
470 руб. × |
от 15 шт. — 432 руб.
|
|
быстрый просмотр | 294 шт. |
470 руб. × |
от 15 шт. — 432 руб.
|
|
быстрый просмотр | 259 шт. |
640 руб. × |
от 15 шт. — 594 руб.
|
|
быстрый просмотр | 278 шт. |
640 руб. × |
от 15 шт. — 594 руб.
|
|
быстрый просмотр | 217 шт. |
640 руб. × |
от 15 шт. — 594 руб.
|
|
быстрый просмотр | 222 шт. |
640 руб. × |
от 15 шт. — 594 руб.
|
|
Бренд: ON Semiconductor
Структура: pnp
Макс. напр. к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи э.(Uкбо макс),В: 400
Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В: 250
Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А): 16
Статический коэффициент передачи тока h21э мин: 25
Граничная частота коэффициента передачи тока fгр.МГц: 4
Максимальная рассеиваемая мощность ,Вт: 250
Корпус: то-3
|
быстрый просмотр | 1 010 руб. × |
от 15 шт. — 963 руб.
|
|
Бренд: ON Semiconductor
Структура: npn
Макс. напр. к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи э.(Uкбо макс),В: 400
Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В: 250
Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А): 16
Статический коэффициент передачи тока h21э мин: 25
Граничная частота коэффициента передачи тока fгр.МГц: 4
Максимальная рассеиваемая мощность ,Вт: 250
Корпус: то-3
|
быстрый просмотр | 1 270 руб. × |
от 15 шт. — 1 220 руб.
|
|
Бренд: ON Semiconductor
Структура: pnp
Макс. напр. к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи э.(Uкбо макс),В: 400
Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В: 250
Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А): 16
Статический коэффициент передачи тока h21э мин: 25
Граничная частота коэффициента передачи тока fгр.МГц: 4
Максимальная рассеиваемая мощность ,Вт: 250
Корпус: то-3
|
быстрый просмотр | 1 200 руб. × |
от 15 шт. — 1 150 руб.
|
|
146 шт.
Бренд: Inchange
Структура: pnp
Макс. напр. к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи э.(Uкбо макс),В: 100
Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В: 60
Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А): 15
Статический коэффициент передачи тока h21э мин: 20
Граничная частота коэффициента передачи тока fгр.МГц: 2.5
Максимальная рассеиваемая мощность ,Вт: 115
Корпус: то-3
|
быстрый просмотр | 146 шт. |
360 руб. × |
от 15 шт. — 336 руб.
|
Бренд: ON Semiconductor
Структура: npn
Макс. напр. к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи э.(Uкбо макс),В: 100
Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В: 90
Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А): 30
Статический коэффициент передачи тока h21э мин: 25
Граничная частота коэффициента передачи тока fгр.МГц: 2
Максимальная рассеиваемая мощность ,Вт: 200
Корпус: то-3
|
быстрый просмотр | 1 090 руб. × |
от 15 шт. — 1 070 руб.
|
|
быстрый просмотр | 2080 шт. |
36 руб. × |
от 100 шт. — 33 руб.
|
|
169 шт.
Бренд: ST Microelectronics
Структура: npn darlington c 2 резисторами и диодом
Макс. напр. к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи э.(Uкбо макс),В: 100
Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В: 100
Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А): 8
Статический коэффициент передачи тока h21э мин: 1000…12000
Граничная частота коэффициента передачи тока fгр.МГц: 4
Максимальная рассеиваемая мощность ,Вт: 1.75
Корпус: dpak(to-252)
|
быстрый просмотр | 169 шт. |
63 руб. × |
от 50 шт. — 62 руб.
|
быстрый просмотр | 1612 шт. |
36 руб. × |
от 100 шт. — 33 руб.
|
|
быстрый просмотр | 4459 шт. |
30 руб. × |
от 15 шт. — 27 руб.
|
|
92 шт.
Бренд: ST Microelectronics
Структура: pnp
Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В: 100
Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А): 4
Статический коэффициент передачи тока h21э мин: 10
Максимальная рассеиваемая мощность ,Вт: 15
Корпус: dpak(to-252)
|
быстрый просмотр | 92 шт. |
39 руб. × |
от 15 шт. — 37 руб.
|