Главная › Электронные компоненты › Транзисторы › Биполярные (BJTs)

Транзисторы биполярные (BJTs), стр.12

_{717 из более 1000}

Сортировка: РекомендуемХиты продажДешевлеДорожеКоличество

KTC9012S-H-RTK/P, Биполярный транзистор, PNP, -30В, -500 мА, 350 мВт, 150 МГц [SOT-23] 280 шт. Бренд: KEC Структура: pnp Макс. напр. к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи э.(Uкбо макс),В: 40 Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В: 30 Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А): 0.5 Статический коэффициент передачи тока h21э мин: 144 Граничная частота коэффициента передачи тока fгр.МГц: 150 Максимальная рассеиваемая мощность ,Вт: 0.35 Корпус: sot-23	быстрый просмотр	280 шт.	18 руб. ×	от 100 шт. — 9.80 руб.
MJ15004G, Транзистор PNP 140В 20А 250Вт [TO-3] Бренд: ON Semiconductor Структура: pnp Макс. напр. к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи э.(Uкбо макс),В: 140 Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В: 140 Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А): 20 Статический коэффициент передачи тока h21э мин: 25 Граничная частота коэффициента передачи тока fгр.МГц: 2 Максимальная рассеиваемая мощность ,Вт: 250 Корпус: то-3	быстрый просмотр		1 070 руб. ×	от 15 шт. — 1 040 руб.
MJ21193G, Транзистор, PNP, 250В, 16А, 250Вт, [TO-3] Бренд: ON Semiconductor Структура: pnp Макс. напр. к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи э.(Uкбо макс),В: 400 Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В: 250 Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А): 16 Статический коэффициент передачи тока h21э мин: 25 Граничная частота коэффициента передачи тока fгр.МГц: 4 Максимальная рассеиваемая мощность ,Вт: 250 Корпус: то-3	быстрый просмотр		1 010 руб. ×	от 15 шт. — 963 руб.
MJ21195G, Транзистор PNP 250В 16А [TO-3] Бренд: ON Semiconductor Структура: pnp Макс. напр. к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи э.(Uкбо макс),В: 400 Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В: 250 Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А): 16 Статический коэффициент передачи тока h21э мин: 25 Граничная частота коэффициента передачи тока fгр.МГц: 4 Максимальная рассеиваемая мощность ,Вт: 250 Корпус: то-3	быстрый просмотр		1 200 руб. ×	от 15 шт. — 1 150 руб.
MJ2955, Транзистор, PNP -60В -15А 115Вт [TO-3] (= КТ818АМ...ГМ) 145 шт. Бренд: Inchange Структура: pnp Макс. напр. к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи э.(Uкбо макс),В: 100 Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В: 60 Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А): 15 Статический коэффициент передачи тока h21э мин: 20 Граничная частота коэффициента передачи тока fгр.МГц: 2.5 Максимальная рассеиваемая мощность ,Вт: 115 Корпус: то-3	быстрый просмотр	145 шт.	360 руб. ×	от 15 шт. — 336 руб.
MJD32CT4, Транзистор PNP 100В 3A [DPAK] 102 шт. Бренд: ST Microelectronics Структура: pnp Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В: 100 Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А): 4 Статический коэффициент передачи тока h21э мин: 10 Максимальная рассеиваемая мощность ,Вт: 15 Корпус: dpak(to-252)	быстрый просмотр	102 шт.	39 руб. ×	от 15 шт. — 37 руб.
MJD350T4, Транзистор PNP 300В 0.5A [DPAK] 7 дней, 9 шт. Бренд: ST Microelectronics Структура: pnp Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В: 300 Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А): 0.5 Статический коэффициент передачи тока h21э мин: 30 Максимальная рассеиваемая мощность ,Вт: 15 Корпус: dpak(to-252)	быстрый просмотр	7 дней, 9 шт.	66 руб. ×	от 15 шт. — 65 руб.
MJD45H11G, Транзистор, PNP, 8A, 80V, [D-PAK] Бренд: ON Semiconductor Структура: pnp Макс. напр. к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи э.(Uкбо макс),В: 80 Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В: 80 Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А): 8 Статический коэффициент передачи тока h21э мин: 40 Граничная частота коэффициента передачи тока fгр.МГц: 90 Максимальная рассеиваемая мощность ,Вт: 1.75 Корпус: dpak(to-252)	быстрый просмотр		98 руб. ×	от 15 шт. — 83 руб.
MJD45H11T4G, Биполярный транзистор, PNP, 80 В, 8 А, [TO-252] Бренд: ON Semiconductor Структура: pnp Макс. напр. к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи э.(Uкбо макс),В: 80 Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В: 60 Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А): 8 Статический коэффициент передачи тока h21э мин: 40 Граничная частота коэффициента передачи тока fгр.МГц: 90 Максимальная рассеиваемая мощность ,Вт: 1.75 Корпус: dpak(to-252)	быстрый просмотр		98 руб. ×	от 15 шт. — 79 руб.
MJE15030G, Транзистор NPN 150В 8А [TO-220] Бренд: ON Semiconductor Структура: pnp Макс. напр. к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи э.(Uкбо макс),В: 150 Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В: 150 Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А): 8 Статический коэффициент передачи тока h21э мин: 40 Граничная частота коэффициента передачи тока fгр.МГц: 30 Максимальная рассеиваемая мощность ,Вт: 50 Корпус: to-126	быстрый просмотр		290 руб. ×	от 15 шт. — 231 руб.
MJE15031, Транзистор PNP 150В 8А [TO-220] 253 шт. Бренд: Inchange Структура: pnp Макс. напр. к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи э.(Uкбо макс),В: 150 Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В: 150 Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А): 8 Статический коэффициент передачи тока h21э мин: 40 Граничная частота коэффициента передачи тока fгр.МГц: 20 Максимальная рассеиваемая мощность ,Вт: 50 Корпус: to-220	быстрый просмотр	253 шт.	190 руб. ×	от 15 шт. — 152 руб.
MJE15031G, Транзистор PNP 150В 8А [TO-220] Бренд: ON Semiconductor Структура: pnp Макс. напр. к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи э.(Uкбо макс),В: 150 Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В: 150 Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А): 8 Статический коэффициент передачи тока h21э мин: 40 Граничная частота коэффициента передачи тока fгр.МГц: 30 Максимальная рассеиваемая мощность ,Вт: 50 Корпус: to-220	быстрый просмотр		290 руб. ×	от 15 шт. — 234 руб.
MJE15033G, Транзистор PNP 250В 8А [TO-220] Бренд: ON Semiconductor Структура: pnp Макс. напр. к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи э.(Uкбо макс),В: 250 Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В: 250 Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А): 8 Статический коэффициент передачи тока h21э мин: 10 Граничная частота коэффициента передачи тока fгр.МГц: 30 Максимальная рассеиваемая мощность ,Вт: 2 Корпус: to-220	быстрый просмотр		240 руб. ×	от 15 шт. — 196 руб.
MJE15035G, Транзистор PNP 350В 4А [TO-220] Бренд: ON Semiconductor Структура: pnp Макс. напр. к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи э.(Uкбо макс),В: 350 Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В: 350 Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А): 4 Статический коэффициент передачи тока h21э мин: 100 Граничная частота коэффициента передачи тока fгр.МГц: 30 Максимальная рассеиваемая мощность ,Вт: 2 Корпус: to-220	быстрый просмотр		220 руб. ×	от 15 шт. — 191 руб.
MJE253G, Транзистор PNP 100В 4А [TO-126] Бренд: ON Semiconductor Структура: pnp Макс. напр. к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи э.(Uкбо макс),В: 100 Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В: 100 Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А): 4 Статический коэффициент передачи тока h21э мин: 40 Граничная частота коэффициента передачи тока fгр.МГц: 40 Максимальная рассеиваемая мощность ,Вт: 1.5 Корпус: to-126	быстрый просмотр		72 руб. ×	от 15 шт. — 60 руб.
MJE2955T, PNP биполярный транзистор, [TO-220] 158 шт. Бренд: ST Microelectronics Структура: pnp Макс. напр. к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи э.(Uкбо макс),В: 70 Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В: 60 Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А): 10 Статический коэффициент передачи тока h21э мин: 20 Граничная частота коэффициента передачи тока fгр.МГц: 2 Максимальная рассеиваемая мощность ,Вт: 75 Корпус: to-220	быстрый просмотр	158 шт.	90 руб. ×	от 15 шт. — 72 руб.
MJE350, Транзистор PNP, 300В, 0.5А, 20Вт [ТО-126] 875 шт. Бренд: ST Microelectronics Структура: pnp Макс. напр. к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи э.(Uкбо макс),В: 300 Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В: 300 Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А): 0.5 Статический коэффициент передачи тока h21э мин: 30 Максимальная рассеиваемая мощность ,Вт: 20.8 Корпус: to-126	быстрый просмотр	875 шт.	71 руб. ×	от 15 шт. — 70 руб.
MJE350G, Транзистор PNP 300В 500мА [ТО-126] Бренд: ON Semiconductor Структура: pnp Макс. напр. к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи э.(Uкбо макс),В: 300 Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В: 300 Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А): 0.5 Статический коэффициент передачи тока h21э мин: 30 Максимальная рассеиваемая мощность ,Вт: 20 Корпус: to-126	быстрый просмотр		73 руб. ×	от 15 шт. — 61 руб.
MJL1302AG, Транзистор PNP 15A 200V, [TO-264] Бренд: ON Semiconductor Структура: pnp Макс. напр. к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи э.(Uкбо макс),В: 260 Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В: 260 Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А): 15 Статический коэффициент передачи тока h21э мин: 75 Граничная частота коэффициента передачи тока fгр.МГц: 30 Максимальная рассеиваемая мощность ,Вт: 200 Корпус: TO-264	быстрый просмотр		710 руб. ×	от 15 шт. — 662 руб.
MJL21193G, Биполярный транзистор, PNP, 250 В, 16 А, 200 Вт, [TO-264] Бренд: ON Semiconductor Структура: pnp Макс. напр. к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи э.(Uкбо макс),В: 400 Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В: 250 Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А): 16 Статический коэффициент передачи тока h21э мин: 25 Граничная частота коэффициента передачи тока fгр.МГц: 4 Максимальная рассеиваемая мощность ,Вт: 200 Корпус: TO-264	быстрый просмотр		790 руб. ×	от 15 шт. — 738 руб.