Сортировка:
РекомендуемХиты продажДешевлеДорожеКоличество
Бренд: Infineon
Конфигурация: Half-Bridge
Тип канала: независимый
Кол-во каналов: 2
Тип управляемого затвора: IGBT, N-CH MOSFET
Напряжение питания, В: 12…20
Логическое напряжение (VIL), В: 6
Логическое напряжение (VIH), В: 9.5
Пиковый выходной ток нарастания (Source), А: 2
Пиковый выходной ток спада (Sink), А: 2.5
Тип входа: неинвертирующий
Максимальное напряжение смещения, В: 1200
Номинальное время нарастания (Rise Time), нс: 25
Номинальное время затухания (Fall Time), нс: 17
Рабочая температура, °C: -25…+125(TJ)
Корпус: SOIC-16(0.295 inch)
|
быстрый просмотр | 1 180 руб. × |
от 5 шт. — 1 140 руб.
|
|
Бренд: Infineon
Конфигурация: Half-Bridge
Тип канала: 3-фазный
Кол-во каналов: 6
Тип управляемого затвора: IGBT, N-CH MOSFET
Напряжение питания, В: 10…20
Логическое напряжение (VIL), В: 38
Логическое напряжение (VIH), В: 2
Пиковый выходной ток нарастания (Source), А: 0.25
Пиковый выходной ток спада (Sink), А: 0.5
Тип входа: инвертирующий
Максимальное напряжение смещения, В: 1200
Номинальное время нарастания (Rise Time), нс: 90
Номинальное время затухания (Fall Time), нс: 40
Рабочая температура, °C: -25…+125(TJ)
Корпус: PLCC-44, 32 Pins(16.58x16.58)
|
быстрый просмотр | 1 800 руб. × |
от 5 шт. — 1 760 руб.
|
|
Бренд: Infineon
Конфигурация: Low-Side
Тип канала: независимый
Кол-во каналов: 2
Тип управляемого затвора: IGBT, N-CH MOSFET
Напряжение питания, В: 6…20
Логическое напряжение (VIL), В: 0.8
Логическое напряжение (VIH), В: 2.7
Пиковый выходной ток нарастания (Source), А: 2.3
Пиковый выходной ток спада (Sink), А: 3.3
Тип входа: неинвертирующий
Номинальное время нарастания (Rise Time), нс: 15
Номинальное время затухания (Fall Time), нс: 10
Рабочая температура, °C: -40…+150(TJ)
Корпус: SOIC-8(0.154 inch)
|
быстрый просмотр | 330 руб. × |
от 5 шт. — 306 руб.
|
|
Бренд: Infineon
Конфигурация: Half-Bridge
Тип канала: независимый
Кол-во каналов: 2
Тип управляемого затвора: IGBT, N-CH MOSFET
Напряжение питания, В: 10…20
Логическое напряжение (VIL), В: 6
Логическое напряжение (VIH), В: 9.5
Пиковый выходной ток нарастания (Source), А: 2.5
Пиковый выходной ток спада (Sink), А: 2.5
Тип входа: неинвертирующий
Максимальное напряжение смещения, В: 600
Номинальное время нарастания (Rise Time), нс: 25
Номинальное время затухания (Fall Time), нс: 17
Рабочая температура, °C: -40…+150(TJ)
Корпус: SOIC-16(0.295 inch)
|
быстрый просмотр | 450 руб. × |
от 5 шт. — 386 руб.
|
|
Бренд: Infineon
Конфигурация: Low-Side
Тип канала: независимый
Кол-во каналов: 2
Тип управляемого затвора: IGBT, N-CH MOSFET
Напряжение питания, В: 6…20
Логическое напряжение (VIL), В: 0.8
Логическое напряжение (VIH), В: 2.7
Пиковый выходной ток нарастания (Source), А: 2.3
Пиковый выходной ток спада (Sink), А: 3.3
Тип входа: инвертирующий
Номинальное время нарастания (Rise Time), нс: 15
Номинальное время затухания (Fall Time), нс: 10
Рабочая температура, °C: -40…+150(TJ)
Корпус: DIP-8(0.300 inch)
|
быстрый просмотр | 470 руб. × |
от 5 шт. — 432 руб.
|
|
Бренд: Infineon
Конфигурация: Low-Side
Тип канала: независимый
Кол-во каналов: 2
Тип управляемого затвора: IGBT, N-CH MOSFET
Напряжение питания, В: 6…20
Логическое напряжение (VIL), В: 0.8
Логическое напряжение (VIH), В: 2.7
Пиковый выходной ток нарастания (Source), А: 2.3
Пиковый выходной ток спада (Sink), А: 3.3
Тип входа: инвертирующий
Номинальное время нарастания (Rise Time), нс: 15
Номинальное время затухания (Fall Time), нс: 10
Рабочая температура, °C: -40…+150(TJ)
Корпус: SOIC-8(0.154 inch)
|
быстрый просмотр | 260 руб. × |
от 10 шт. — 239 руб.
|
|
Бренд: Infineon
Конфигурация: Low-Side
Тип канала: независимый
Кол-во каналов: 2
Тип управляемого затвора: IGBT, N-CH MOSFET
Напряжение питания, В: 6…20
Логическое напряжение (VIL), В: 0.8
Логическое напряжение (VIH), В: 2.7
Пиковый выходной ток нарастания (Source), А: 2.3
Пиковый выходной ток спада (Sink), А: 3.3
Тип входа: неинвертирующий
Номинальное время нарастания (Rise Time), нс: 15
Номинальное время затухания (Fall Time), нс: 10
Рабочая температура, °C: -40…+150(TJ)
Корпус: DIP-8(0.300 inch)
|
быстрый просмотр | 280 руб. × |
от 15 шт. — 249 руб.
|
|
Бренд: Infineon
Конфигурация: Low-Side
Тип канала: независимый
Кол-во каналов: 2
Тип управляемого затвора: IGBT, N-CH MOSFET
Напряжение питания, В: 6…20
Логическое напряжение (VIL), В: 0.8
Логическое напряжение (VIH), В: 2.7
Пиковый выходной ток нарастания (Source), А: 2.3
Пиковый выходной ток спада (Sink), А: 3.3
Тип входа: неинвертирующий
Номинальное время нарастания (Rise Time), нс: 15
Номинальное время затухания (Fall Time), нс: 10
Рабочая температура, °C: -40…+150(TJ)
Корпус: SOIC-8(0.154 inch)
|
быстрый просмотр | 150 руб. × |
от 15 шт. — 135 руб.
|
|
Бренд: Infineon
Конфигурация: High-Side
Тип канала: Один
Кол-во каналов: 1
Тип управляемого затвора: N-CH MOSFET
Напряжение питания, В: 10…18
Логическое напряжение (VIL), В: 0.8
Логическое напряжение (VIH), В: 2.2
Пиковый выходной ток нарастания (Source), А: 0.16
Пиковый выходной ток спада (Sink), А: 0.24
Тип входа: неинвертирующий
Максимальное напряжение смещения, В: 100
Номинальное время нарастания (Rise Time), нс: 5
Номинальное время затухания (Fall Time), нс: 40
Рабочая температура, °C: -40…+125(TJ)
Корпус: SOT-23-6
|
быстрый просмотр | 240 руб. × |
от 5 шт. — 204 руб.
|
|
Бренд: Infineon
Конфигурация: Half-Bridge
Тип канала: независимый
Кол-во каналов: 2
Тип управляемого затвора: N-CH MOSFET
Напряжение питания, В: 10…20
Логическое напряжение (VIL), В: 0.8
Логическое напряжение (VIH), В: 2.7
Пиковый выходной ток нарастания (Source), А: 1
Пиковый выходной ток спада (Sink), А: 1
Тип входа: инвертирующий
Максимальное напряжение смещения, В: 200
Номинальное время нарастания (Rise Time), нс: 5
Номинальное время затухания (Fall Time), нс: 15
Рабочая температура, °C: -40…+150(TJ)
Корпус: SOIC-8(0.154 inch)
|
быстрый просмотр | 660 руб. × |
от 5 шт. — 646 руб.
|
|
Бренд: Infineon
Конфигурация: High-Side
Тип канала: Один
Кол-во каналов: 1
Тип управляемого затвора: N-CH MOSFET
Напряжение питания, В: 10…18
Логическое напряжение (VIL), В: 0.8
Логическое напряжение (VIH), В: 2.2
Пиковый выходной ток нарастания (Source), А: 0.16
Пиковый выходной ток спада (Sink), А: 0.24
Тип входа: неинвертирующий
Максимальное напряжение смещения, В: 200
Номинальное время нарастания (Rise Time), нс: 85
Номинальное время затухания (Fall Time), нс: 40
Рабочая температура, °C: -40…+125(TJ)
Корпус: SOT-23-6
|
быстрый просмотр | 330 руб. × |
от 5 шт. — 258 руб.
|
|
быстрый просмотр | 180 руб. × |
от 5 шт. — 158 руб.
|
||
Бренд: Infineon
Конфигурация: Half-Bridge
Тип канала: независимый
Кол-во каналов: 2
Тип управляемого затвора: IGBT, N-CH MOSFET
Напряжение питания, В: 10…20
Логическое напряжение (VIL), В: 6
Логическое напряжение (VIH), В: 9.5
Пиковый выходной ток нарастания (Source), А: 2.5
Пиковый выходной ток спада (Sink), А: 2.5
Тип входа: инвертирующий
Максимальное напряжение смещения, В: 500
Номинальное время нарастания (Rise Time), нс: 25
Номинальное время затухания (Fall Time), нс: 17
Рабочая температура, °C: -40…+150(TJ)
Корпус: DIP-14(0.300 inch)
|
быстрый просмотр | 480 руб. × |
от 5 шт. — 411 руб.
|
|
Бренд: Infineon
Конфигурация: Half-Bridge
Тип канала: независимый
Кол-во каналов: 2
Тип управляемого затвора: IGBT, N-CH MOSFET
Напряжение питания, В: 10…20
Логическое напряжение (VIL), В: 6
Логическое напряжение (VIH), В: 9.5
Пиковый выходной ток нарастания (Source), А: 2.5
Пиковый выходной ток спада (Sink), А: 2.5
Тип входа: неинвертирующий
Максимальное напряжение смещения, В: 600
Номинальное время нарастания (Rise Time), нс: 25
Номинальное время затухания (Fall Time), нс: 17
Рабочая температура, °C: -40…+150(TJ)
Корпус: SOIC-16(0.295 inch)
|
быстрый просмотр | 560 руб. × |
от 5 шт. — 520 руб.
|
|
Бренд: Infineon
Конфигурация: Half-Bridge
Тип канала: синхронный
Кол-во каналов: 2
Тип управляемого затвора: N-CH MOSFET
Напряжение питания, В: 10…15.4
Пиковый выходной ток нарастания (Source), А: 0.18
Пиковый выходной ток спада (Sink), А: 0.26
Тип входа: RC входная схема
Максимальное напряжение смещения, В: 600
Номинальное время нарастания (Rise Time), нс: 120
Номинальное время затухания (Fall Time), нс: 50
Рабочая температура, °C: -40…+125(TJ)
Корпус: SOIC-8(0.154 inch)
|
быстрый просмотр | 330 руб. × |
от 5 шт. — 262 руб.
|
|
Бренд: Infineon
Конфигурация: Half-Bridge
Тип канала: синхронный
Кол-во каналов: 2
Тип управляемого затвора: N-CH MOSFET
Напряжение питания, В: 10…15.4
Пиковый выходной ток нарастания (Source), А: 0.18
Пиковый выходной ток спада (Sink), А: 0.26
Тип входа: RC входная схема
Максимальное напряжение смещения, В: 600
Номинальное время нарастания (Rise Time), нс: 120
Номинальное время затухания (Fall Time), нс: 50
Рабочая температура, °C: -40…+125(TJ)
Корпус: DIP-8(0.300 inch)
|
быстрый просмотр | 430 руб. × |
от 5 шт. — 420 руб.
|
|
Бренд: Infineon
Конфигурация: Half-Bridge
Тип канала: синхронный
Кол-во каналов: 2
Тип управляемого затвора: N-CH MOSFET
Напряжение питания, В: 10…15.4
Пиковый выходной ток нарастания (Source), А: 0.18
Пиковый выходной ток спада (Sink), А: 0.26
Тип входа: RC входная схема
Максимальное напряжение смещения, В: 600
Номинальное время нарастания (Rise Time), нс: 120
Номинальное время затухания (Fall Time), нс: 50
Рабочая температура, °C: -40…+125(TJ)
Корпус: SOIC-8(0.154 inch)
|
быстрый просмотр | 230 руб. × |
от 10 шт. — 212 руб.
|
|
Бренд: Infineon
Конфигурация: Half-Bridge
Тип канала: независимый
Кол-во каналов: 2
Тип управляемого затвора: IGBT, N-CH MOSFET
Напряжение питания, В: 10…20
Логическое напряжение (VIL), В: 0.8
Логическое напряжение (VIH), В: 2.5
Пиковый выходной ток нарастания (Source), А: 1.9
Пиковый выходной ток спада (Sink), А: 2.3
Тип входа: неинвертирующий
Максимальное напряжение смещения, В: 600
Номинальное время нарастания (Rise Time), нс: 40
Номинальное время затухания (Fall Time), нс: 20
Рабочая температура, °C: -40…+150(TJ)
Корпус: SOIC-8(0.154 inch)
|
быстрый просмотр | 570 руб. × |
от 5 шт. — 459 руб.
|
|
Бренд: Infineon
Конфигурация: Half-Bridge
Тип канала: синхронный
Кол-во каналов: 2
Тип управляемого затвора: IGBT, N-CH MOSFET
Напряжение питания, В: 10…20
Логическое напряжение (VIL), В: 0.8
Логическое напряжение (VIH), В: 2.5
Пиковый выходной ток нарастания (Source), А: 1.9
Пиковый выходной ток спада (Sink), А: 2.3
Тип входа: неинвертирующий
Максимальное напряжение смещения, В: 600
Номинальное время нарастания (Rise Time), нс: 40
Номинальное время затухания (Fall Time), нс: 20
Рабочая температура, °C: -40…+150(TJ)
Корпус: SOIC-14(0.154 inch)
|
быстрый просмотр | 1 160 руб. × |
от 5 шт. — 977 руб.
|
|
Бренд: Infineon
Конфигурация: Half-Bridge
Тип канала: независимый
Кол-во каналов: 2
Тип управляемого затвора: IGBT, N-CH MOSFET
Напряжение питания, В: 10…20
Логическое напряжение (VIL), В: 0.8
Логическое напряжение (VIH), В: 2.5
Пиковый выходной ток нарастания (Source), А: 4
Пиковый выходной ток спада (Sink), А: 4
Тип входа: неинвертирующий
Максимальное напряжение смещения, В: 600
Номинальное время нарастания (Rise Time), нс: 22
Номинальное время затухания (Fall Time), нс: 15
Рабочая температура, °C: -40…+150(TJ)
Корпус: SOIC-14(0.154 inch)
|
быстрый просмотр | 610 руб. × |
от 5 шт. — 535 руб.
|