Сортировка: Рекомендуем Хиты продаж Дешевле Дороже
Производители
Конфигурация
Тип канала
Кол-во каналов
Тип управляемого затвора
Напряжение питания, В
Логическое напряжение (VIL), В
Логическое напряжение (VIH), В
Пиковый выходной ток нарастания (Source), А
Пиковый выходной ток спада (Sink), А
Тип входа
Максимальное напряжение смещения, В
Номинальное время нарастания (Rise Time), нс
Номинальное время затухания (Fall Time), нс
Рабочая температура, °C
Корпус
Наличие в магазинах
Москва
Санкт-Петербург
Белгород
Владимир
Волгоград
Вологда
Воронеж
Гомель
Екатеринбург
Ижевск
Казань
Калуга
Кемерово
Киров
Краснодар
Красноярск
Курск
Липецк
Минск
Набережные Челны
Нижний Новгород
Новосибирск
Омск
Орёл
Пермь
Псков
Ростов-на-Дону
Рязань
Самара
Саранск
Саратов
Смоленск
Ставрополь
Тверь
Томск
Тула
Тюмень
Уфа
Чебоксары
Челябинск
Ярославль
Цена
Мин. цена руб.
Макс. цена руб.
 
 
IR2011SPBF, Драйвер ключей верхнего и нижнего уровней, [SO-8N]
303 шт.
Пр-во: Infineon
Конфигурация: High-Side/Low-Side
Тип канала: независимый
Кол-во каналов: 2
Тип управляемого затвора: N-CH MOSFET
Напряжение питания, В: 10…20
Логическое напряжение (VIL), В: 0.7
Логическое напряжение (VIH), В: 2.2
Пиковый выходной ток нарастания (Source), А: 1
Пиковый выходной ток спада (Sink), А: 1
Тип входа: инвертирующий
Максимальное напряжение смещения, В: 200
Номинальное время нарастания (Rise Time), нс: 35
Номинальное время затухания (Fall Time), нс: 20
Рабочая температура, °C: -40…+150 (TJ)
Корпус: soic-8 (0.154 inch)
быстрый просмотр
303 шт.
160 руб. ×
от 5 шт. — 150 руб.
от 50 шт. — 149 руб.
IR2121PBF, Драйвер ключа нижнего уровня с ограничением тока, [DIP-8]
430 шт.
Пр-во: Infineon
Конфигурация: Low-Side
Тип канала: Один
Кол-во каналов: 1
Тип управляемого затвора: IGBT, N-CH MOSFET
Напряжение питания, В: 12…18
Логическое напряжение (VIL), В: 0.8
Логическое напряжение (VIH), В: 2.2
Пиковый выходной ток нарастания (Source), А: 1.6
Пиковый выходной ток спада (Sink), А: 3.3
Тип входа: неинвертирующий
Номинальное время нарастания (Rise Time), нс: 43
Номинальное время затухания (Fall Time), нс: 26
Рабочая температура, °C: -40…+150 (TJ)
Корпус: DIP-8 (0.300 inch)
быстрый просмотр
430 шт.
160 руб. ×
от 5 шт. — 156 руб.
от 50 шт. — 154 руб.
IR2125PBF, Одноканальный драйвер с ограничением тока, [PDIP-8]
165 шт.
Пр-во: IR
Конфигурация: high-side
Тип канала: Один
Кол-во каналов: 1
Тип управляемого затвора: IGBT, N-CH MOSFET
Напряжение питания, В: 12…18
Логическое напряжение (VIL), В: 0.8
Логическое напряжение (VIH), В: 2.2
Пиковый выходной ток нарастания (Source), А: 1.6
Пиковый выходной ток спада (Sink), А: 3.3
Тип входа: неинвертирующий
Максимальное напряжение смещения, В: 500
Номинальное время нарастания (Rise Time), нс: 43
Номинальное время затухания (Fall Time), нс: 26
Рабочая температура, °C: -40…+150 (TJ)
Корпус: DIP-8 (0.300 inch)
быстрый просмотр
165 шт.
150 руб. ×
от 5 шт. — 139 руб.
от 50 шт. — 135 руб.
IR2130PBF, Трехфазный мостовой драйвер, [DIP-28]
220 шт.
Пр-во: Infineon
Конфигурация: half-bridge
Тип канала: 3-фазный
Кол-во каналов: 6
Тип управляемого затвора: IGBT, N-CH MOSFET
Напряжение питания, В: 10…20
Логическое напряжение (VIL), В: 0.8
Логическое напряжение (VIH), В: 2.2
Пиковый выходной ток нарастания (Source), А: 0.25
Пиковый выходной ток спада (Sink), А: 0.5
Тип входа: инвертирующий
Максимальное напряжение смещения, В: 600
Номинальное время нарастания (Rise Time), нс: 80
Номинальное время затухания (Fall Time), нс: 35
Рабочая температура, °C: -40…+150 (TJ)
Корпус: dip-28 (0.600 inch)
быстрый просмотр
220 шт.
450 руб. ×
от 5 шт. — 439 руб.
от 50 шт. — 438 руб.
IR2130SPBF, Трехфазный мостовой драйвер, [SO-28]
137 шт.
Пр-во: IR
Конфигурация: half-bridge
Тип канала: 3-фазный
Кол-во каналов: 6
Тип управляемого затвора: IGBT, N-CH MOSFET
Напряжение питания, В: 10…20
Логическое напряжение (VIL), В: 0.8
Логическое напряжение (VIH), В: 2.2
Пиковый выходной ток нарастания (Source), А: 0.25
Пиковый выходной ток спада (Sink), А: 0.5
Тип входа: инвертирующий
Максимальное напряжение смещения, В: 600
Номинальное время нарастания (Rise Time), нс: 80
Номинальное время затухания (Fall Time), нс: 35
Рабочая температура, °C: -40…+150 (TJ)
Корпус: dip-28 (0.600 inch)
быстрый просмотр
137 шт.
500 руб. ×
от 5 шт. — 479 руб.
от 50 шт. — 478 руб.
IR2132SPBF, Драйвер MOSFET/IGBT, инвертируюший вход, 6-OUT, High и Low-Side, 3-фазный мост [SOIC-28W]
147 шт.
Пр-во: Infineon
Конфигурация: half-bridge
Тип канала: 3-фазный
Кол-во каналов: 6
Тип управляемого затвора: IGBT, N-CH MOSFET
Напряжение питания, В: 10…20
Логическое напряжение (VIL), В: 0.8
Логическое напряжение (VIH), В: 2.2
Пиковый выходной ток нарастания (Source), А: 0.25
Пиковый выходной ток спада (Sink), А: 0.5
Тип входа: инвертирующий
Максимальное напряжение смещения, В: 600
Номинальное время нарастания (Rise Time), нс: 80
Номинальное время затухания (Fall Time), нс: 35
Рабочая температура, °C: -40…+150 (TJ)
Корпус: dip-28 (0.600 inch)
быстрый просмотр
147 шт.
330 руб. ×
от 5 шт. — 315 руб.
от 50 шт. — 313 руб.
IR2133JPBF, Драйвер MOSFET/IGBT, инвертируюший вход, 6-OUT, High и Low-Side, 3-фазный мост [PLCC-44, 32 pins]
99 шт.
Пр-во: Infineon
Конфигурация: half-bridge
Тип канала: 3-фазный
Кол-во каналов: 6
Тип управляемого затвора: IGBT, N-CH MOSFET
Напряжение питания, В: 10…20
Логическое напряжение (VIL), В: 0.8
Логическое напряжение (VIH), В: 2.2
Пиковый выходной ток нарастания (Source), А: 0.25
Пиковый выходной ток спада (Sink), А: 0.5
Тип входа: инвертирующий
Максимальное напряжение смещения, В: 600
Номинальное время нарастания (Rise Time), нс: 90
Номинальное время затухания (Fall Time), нс: 40
Рабочая температура, °C: -25…+125 (TJ)
Корпус: PLCC-44, 32 Pins (16.58 x 16.58)
быстрый просмотр
99 шт.
600 руб. ×
от 5 шт. — 582 руб.
от 50 шт. — 581 руб.
IRS10752LTRPBF, Драйвер верхнего плеча 100В 160/240мА [SOT-23-6L]
116 шт.
Пр-во: IR
Конфигурация: high-side
Тип канала: Один
Кол-во каналов: 1
Тип управляемого затвора: N-CH MOSFET
Напряжение питания, В: 10…18
Логическое напряжение (VIL), В: 0.8
Логическое напряжение (VIH), В: 2.2
Пиковый выходной ток нарастания (Source), А: 0.16
Пиковый выходной ток спада (Sink), А: 0.24
Тип входа: неинвертирующий
Максимальное напряжение смещения, В: 100
Номинальное время нарастания (Rise Time), нс: 5
Номинальное время затухания (Fall Time), нс: 40
Рабочая температура, °C: -40…+125 (TJ)
Корпус: sot-23-6
быстрый просмотр
116 шт.
88 руб. ×
от 5 шт. — 83 руб.
от 50 шт. — 81 руб.
IRS20752LTRPBF, Драйвер верхнего плеча 200В 160/240мА [SOT-23-6L]
153 шт.
Пр-во: IR
Конфигурация: high-side
Тип канала: Один
Кол-во каналов: 1
Тип управляемого затвора: N-CH MOSFET
Напряжение питания, В: 10…18
Логическое напряжение (VIL), В: 0.8
Логическое напряжение (VIH), В: 2.2
Пиковый выходной ток нарастания (Source), А: 0.16
Пиковый выходной ток спада (Sink), А: 0.24
Тип входа: неинвертирующий
Максимальное напряжение смещения, В: 200
Номинальное время нарастания (Rise Time), нс: 85
Номинальное время затухания (Fall Time), нс: 40
Рабочая температура, °C: -40…+125 (TJ)
Корпус: sot-23-6
быстрый просмотр
153 шт.
86 руб. ×
от 5 шт. — 81 руб.
от 50 шт. — 79 руб.
MIC4605-2YM, Драйвер МОП-транзистора, полумостовой, 5.5В-16В питание [SOIC-8]
2 шт.
Пр-во: Microchip
Конфигурация: half-bridge
Тип канала: независимый
Кол-во каналов: 2
Тип управляемого затвора: N-CH MOSFET
Напряжение питания, В: 5.5…16
Логическое напряжение (VIL), В: 0.8
Логическое напряжение (VIH), В: 2.2
Пиковый выходной ток нарастания (Source), А: 1
Пиковый выходной ток спада (Sink), А: 1
Тип входа: неинвертирующий
Максимальное напряжение смещения, В: 108
Номинальное время нарастания (Rise Time), нс: 20
Номинальное время затухания (Fall Time), нс: 20
Рабочая температура, °C: -40…+125 (TJ)
Корпус: soic-8 (0.154 inch)
быстрый просмотр
2 шт.
85 руб. ×
от 5 шт. — 81 руб.
от 50 шт. — 80 руб.