Драйверы MOSFET и IGBT_{более 1000}

Сортировка: РекомендуемХиты продажДешевлеДороже

Мин. цена	руб.
Макс. цена	руб.

ADP3110AKCPZ-RL, Драйвер МОП-транзистора, высокой стороны и низкой стороны, питание 4.6В-13.2В, 1А, 20нс, [DFN-8] 158 шт. Пр-во: ON Semiconductor Конфигурация: half-bridge Тип канала: синхронный Кол-во каналов: 2 Тип управляемого затвора: N-CH MOSFET Напряжение питания, В: 4.6…13.2 Логическое напряжение (VIL), В: 0.8 Логическое напряжение (VIH), В: 2 Тип входа: Инвертирующий, Неинвертирующий Максимальное напряжение смещения, В: 35 Номинальное время нарастания (Rise Time), нс: 20 Номинальное время затухания (Fall Time), нс: 11 Рабочая температура, °C: 0…+150 (TJ) Корпус: DFN-8 EP (3x3)	быстрый просмотр	158 шт.	57 руб. × от 5 шт. — 52 руб. от 50 шт. — 50.40 руб.
FAN7380MX, Драйвер MOSFET-IGBT, 2-канала, 600В, 018А [SO-8] 542 шт. Пр-во: ON Semiconductor Конфигурация: half-bridge Тип канала: независимый Кол-во каналов: 2 Тип управляемого затвора: IGBT, N-CH MOSFET Напряжение питания, В: 10…20 Логическое напряжение (VIL), В: 0.8 Логическое напряжение (VIH), В: 2.5 Пиковый выходной ток нарастания (Source), А: 0.09 Пиковый выходной ток спада (Sink), А: 0.18 Тип входа: неинвертирующий Максимальное напряжение смещения, В: 600 Номинальное время нарастания (Rise Time), нс: 230 Номинальное время затухания (Fall Time), нс: 90 Рабочая температура, °C: -40…+150 (TJ) Корпус: soic-8 (0.154 inch)	быстрый просмотр	542 шт.	94 руб. × от 5 шт. — 88 руб. от 50 шт. — 85.20 руб.
FAN73832MX, Микросхема Half-Bridge Gate-Drive, 15В-20В, 650мА, задержка 180нс [SO-8] 113 шт. Пр-во: ON Semiconductor Конфигурация: half-bridge Тип канала: синхронный Кол-во каналов: 2 Тип управляемого затвора: IGBT, N-CH MOSFET Напряжение питания, В: 15…20 Логическое напряжение (VIL), В: 1.2 Логическое напряжение (VIH), В: 2.9 Пиковый выходной ток нарастания (Source), А: 0.35 Пиковый выходной ток спада (Sink), А: 0.65 Тип входа: неинвертирующий Максимальное напряжение смещения, В: 600 Номинальное время нарастания (Rise Time), нс: 50 Номинальное время затухания (Fall Time), нс: 30 Рабочая температура, °C: -40…+150 (TJ) Корпус: soic-8 (0.154 inch)	быстрый просмотр	113 шт.	150 руб. × от 5 шт. — 136 руб. от 50 шт. — 135 руб.
FAN7383MX, Драйвер MOSFET/IGBT, полумостовой [SOP-14] 202 шт. Пр-во: ON Semiconductor Конфигурация: half-bridge Тип канала: синхронный Кол-во каналов: 2 Тип управляемого затвора: IGBT, N-CH MOSFET Напряжение питания, В: 15…20 Логическое напряжение (VIL), В: 1.2 Логическое напряжение (VIH), В: 2.9 Пиковый выходной ток нарастания (Source), А: 0.35 Пиковый выходной ток спада (Sink), А: 0.65 Тип входа: неинвертирующий Максимальное напряжение смещения, В: 600 Номинальное время нарастания (Rise Time), нс: 50 Номинальное время затухания (Fall Time), нс: 30 Рабочая температура, °C: -40…+150 (TJ) Корпус: SOP-14 (0.209 inch)	быстрый просмотр	202 шт.	200 руб. × от 5 шт. — 171 руб. от 50 шт. — 170 руб.
FAN7842MX, Драйвер для управления затвором верхнего и нижнего уровней, [SO-8] 240 шт. Пр-во: ON Semiconductor Конфигурация: half-bridge Тип канала: независимый Кол-во каналов: 2 Тип управляемого затвора: IGBT, N-CH MOSFET Напряжение питания, В: 10…20 Логическое напряжение (VIL), В: 0.8 Логическое напряжение (VIH), В: 2.9 Пиковый выходной ток нарастания (Source), А: 0.35 Пиковый выходной ток спада (Sink), А: 0.65 Тип входа: неинвертирующий Максимальное напряжение смещения, В: 200 Номинальное время нарастания (Rise Time), нс: 60 Номинальное время затухания (Fall Time), нс: 30 Рабочая температура, °C: -40…+150 (TJ) Корпус: soic-8 (0.154 inch)	быстрый просмотр	240 шт.	90 руб. × от 5 шт. — 86 руб. от 50 шт. — 84 руб.
HIP4082IBZT, Полумостовой драйвер, 80В, 1.25А пик [SO-16] 35 шт. Пр-во: Intersil Конфигурация: half-bridge Тип канала: независимый Кол-во каналов: 4 Тип управляемого затвора: N-CH MOSFET Напряжение питания, В: 8.5…15 Логическое напряжение (VIL), В: 1 Логическое напряжение (VIH), В: 2.5 Пиковый выходной ток нарастания (Source), А: 1.5 Пиковый выходной ток спада (Sink), А: 1.5 Тип входа: неинвертирующий Максимальное напряжение смещения, В: 95 Номинальное время нарастания (Rise Time), нс: 9 Номинальное время затухания (Fall Time), нс: 9 Рабочая температура, °C: -55…+150 (TJ) Корпус: SOIC-16 (0.154 inch)	быстрый просмотр	35 шт.	1 170 руб. × от 15 шт. — 1 160 руб. от 150 шт. — 1 157 руб.
HIP4082IPZ, Полумостовой драйвер, [DIP-16] 38 шт. Пр-во: Intersil Конфигурация: half-bridge Тип канала: независимый Кол-во каналов: 4 Тип управляемого затвора: N-CH MOSFET Напряжение питания, В: 8.5…15 Логическое напряжение (VIL), В: 1 Логическое напряжение (VIH), В: 2.5 Пиковый выходной ток нарастания (Source), А: 1.5 Пиковый выходной ток спада (Sink), А: 1.5 Тип входа: неинвертирующий Максимальное напряжение смещения, В: 95 Номинальное время нарастания (Rise Time), нс: 9 Номинальное время затухания (Fall Time), нс: 9 Рабочая температура, °C: -55…+150 (TJ) Корпус: dip-16 (0.300 inch)	быстрый просмотр	38 шт.	440 руб. × от 5 шт. — 423 руб. от 50 шт. — 422 руб.
IR1167BSTRPBF, Интеллектуальный драйвер управления синхронным выпрямителем, [SOIC-8] 151 шт. Пр-во: Infineon Конфигурация: Low-Side Тип канала: Один Кол-во каналов: 1 Тип управляемого затвора: N-CH MOSFET Напряжение питания, В: 12…18 Логическое напряжение (VIL), В: 2 Логическое напряжение (VIH), В: 2.15 Пиковый выходной ток нарастания (Source), А: 2 Пиковый выходной ток спада (Sink), А: 7 Тип входа: неинвертирующий Номинальное время нарастания (Rise Time), нс: 18 Номинальное время затухания (Fall Time), нс: 10 Рабочая температура, °C: -25…+125 (TJ) Корпус: soic-8 (0.154 inch)	быстрый просмотр	151 шт.	150 руб. × от 5 шт. — 138 руб. от 50 шт. — 137 руб.
IR2010PBF, Драйвер MOSFET/IGBT, неинвертируюший вход, 2-OUT, High и Low-Side, полумост [DIP-14] 477 шт. Пр-во: Infineon Конфигурация: half-bridge Тип канала: независимый Кол-во каналов: 2 Тип управляемого затвора: IGBT, N-CH MOSFET Напряжение питания, В: 10…20 Логическое напряжение (VIL), В: 6 Логическое напряжение (VIH), В: 9.5 Пиковый выходной ток нарастания (Source), А: 3 Пиковый выходной ток спада (Sink), А: 3 Тип входа: неинвертирующий Максимальное напряжение смещения, В: 200 Номинальное время нарастания (Rise Time), нс: 10 Номинальное время затухания (Fall Time), нс: 15 Рабочая температура, °C: -40…+150 (TJ) Корпус: dip-14 (0.300 inch)	быстрый просмотр	477 шт.	230 руб. × от 5 шт. — 222 руб. от 50 шт. — 221 руб.
IR2010SPBF, Драйвер ключей верхнего и нижнего уровней, [SO-16W] 82 шт. Пр-во: Infineon Конфигурация: half-bridge Тип канала: независимый Кол-во каналов: 2 Тип управляемого затвора: IGBT, N-CH MOSFET Напряжение питания, В: 10…20 Логическое напряжение (VIL), В: 6 Логическое напряжение (VIH), В: 9.5 Пиковый выходной ток нарастания (Source), А: 3 Пиковый выходной ток спада (Sink), А: 3 Тип входа: неинвертирующий Максимальное напряжение смещения, В: 200 Номинальное время нарастания (Rise Time), нс: 10 Номинальное время затухания (Fall Time), нс: 15 Рабочая температура, °C: -40…+150 (TJ) Корпус: soic-16 (0.295 inch)	быстрый просмотр	82 шт.	320 руб. × от 5 шт. — 285 руб. от 50 шт. — 284 руб.
IR2011SPBF, Драйвер ключей верхнего и нижнего уровней, [SO-8N] 188 шт. Пр-во: Infineon Конфигурация: High-Side/Low-Side Тип канала: независимый Кол-во каналов: 2 Тип управляемого затвора: N-CH MOSFET Напряжение питания, В: 10…20 Логическое напряжение (VIL), В: 0.7 Логическое напряжение (VIH), В: 2.2 Пиковый выходной ток нарастания (Source), А: 1 Пиковый выходной ток спада (Sink), А: 1 Тип входа: инвертирующий Максимальное напряжение смещения, В: 200 Номинальное время нарастания (Rise Time), нс: 35 Номинальное время затухания (Fall Time), нс: 20 Рабочая температура, °C: -40…+150 (TJ) Корпус: soic-8 (0.154 inch)	быстрый просмотр	188 шт.	230 руб. × от 5 шт. — 208 руб. от 50 шт. — 207 руб.
IR2101PBF, Драйвер ключей верхнего и нижнего уровней, [DIP-8] 2738 шт. Пр-во: Infineon Конфигурация: half-bridge Тип канала: независимый Кол-во каналов: 2 Тип управляемого затвора: IGBT, N-CH MOSFET Напряжение питания, В: 10…20 Логическое напряжение (VIL), В: 0.8 Логическое напряжение (VIH), В: 3 Пиковый выходной ток нарастания (Source), А: 0.21 Пиковый выходной ток спада (Sink), А: 0.36 Тип входа: неинвертирующий Максимальное напряжение смещения, В: 600 Номинальное время нарастания (Rise Time), нс: 100 Номинальное время затухания (Fall Time), нс: 50 Рабочая температура, °C: -40…+150 (TJ) Корпус: DIP-8 (0.300 inch)	быстрый просмотр	2738 шт.	93 руб. × от 5 шт. — 88 руб. от 50 шт. — 86.40 руб.
IR2101SPBF, Драйвер ключей верхнего и нижнего уровней, [SO-8] 341 шт. Пр-во: Infineon Конфигурация: half-bridge Тип канала: независимый Кол-во каналов: 2 Тип управляемого затвора: IGBT, N-CH MOSFET Напряжение питания, В: 10…20 Логическое напряжение (VIL), В: 0.8 Логическое напряжение (VIH), В: 3 Пиковый выходной ток нарастания (Source), А: 0.21 Пиковый выходной ток спада (Sink), А: 0.36 Тип входа: неинвертирующий Максимальное напряжение смещения, В: 600 Номинальное время нарастания (Rise Time), нс: 100 Номинальное время затухания (Fall Time), нс: 50 Рабочая температура, °C: -40…+150 (TJ) Корпус: soic-8 (0.154 inch)	быстрый просмотр	341 шт.	88 руб. × от 5 шт. — 83 руб. от 50 шт. — 81.60 руб.
IR2101STRPBF, Драйвер ключей верхнего и нижнего уровней [SOIC-8] 685 шт. Пр-во: Infineon Конфигурация: half-bridge Тип канала: независимый Кол-во каналов: 2 Тип управляемого затвора: IGBT, N-CH MOSFET Напряжение питания, В: 10…20 Логическое напряжение (VIL), В: 0.8 Логическое напряжение (VIH), В: 3 Пиковый выходной ток нарастания (Source), А: 0.21 Пиковый выходной ток спада (Sink), А: 0.36 Тип входа: неинвертирующий Максимальное напряжение смещения, В: 600 Номинальное время нарастания (Rise Time), нс: 100 Номинальное время затухания (Fall Time), нс: 50 Рабочая температура, °C: -40…+150 (TJ) Корпус: soic-8 (0.154 inch)	быстрый просмотр	685 шт.	110 руб. × от 5 шт. — 98 руб. от 50 шт. — 96 руб.
IR2102PBF, Драйвер ключей верхнего и нижнего уровней, [DIP-8] 295 шт. Пр-во: Infineon Конфигурация: half-bridge Тип канала: независимый Кол-во каналов: 2 Тип управляемого затвора: IGBT, N-CH MOSFET Напряжение питания, В: 10…20 Логическое напряжение (VIL), В: 0.8 Логическое напряжение (VIH), В: 3 Пиковый выходной ток нарастания (Source), А: 0.21 Пиковый выходной ток спада (Sink), А: 0.36 Тип входа: инвертирующий Максимальное напряжение смещения, В: 600 Номинальное время нарастания (Rise Time), нс: 100 Номинальное время затухания (Fall Time), нс: 50 Рабочая температура, °C: -40…+150 (TJ) Корпус: DIP-8 (0.300 inch)	быстрый просмотр	295 шт.	140 руб. × от 5 шт. — 122 руб. от 50 шт. — 120 руб.
IR2102SPBF, Драйвер ключей верхнего и нижнего уровней [SOIC-8] 286 шт. Пр-во: Infineon Конфигурация: half-bridge Тип канала: независимый Кол-во каналов: 2 Тип управляемого затвора: IGBT, N-CH MOSFET Напряжение питания, В: 10…20 Логическое напряжение (VIL), В: 0.8 Логическое напряжение (VIH), В: 3 Пиковый выходной ток нарастания (Source), А: 0.21 Пиковый выходной ток спада (Sink), А: 0.36 Тип входа: инвертирующий Максимальное напряжение смещения, В: 600 Номинальное время нарастания (Rise Time), нс: 100 Номинальное время затухания (Fall Time), нс: 50 Рабочая температура, °C: -40…+150 (TJ) Корпус: soic-8 (0.154 inch)	быстрый просмотр	286 шт.	120 руб. × от 5 шт. — 112 руб. от 50 шт. — 111 руб.
IR2103PBF, Полумостовой драйвер, [DIP-8] 342 шт. Пр-во: Infineon Конфигурация: half-bridge Тип канала: независимый Кол-во каналов: 2 Тип управляемого затвора: IGBT, N-CH MOSFET Напряжение питания, В: 10…20 Логическое напряжение (VIL), В: 0.8 Логическое напряжение (VIH), В: 3 Пиковый выходной ток нарастания (Source), А: 0.21 Пиковый выходной ток спада (Sink), А: 0.36 Тип входа: Инвертирующий, Неинвертирующий Максимальное напряжение смещения, В: 600 Номинальное время нарастания (Rise Time), нс: 100 Номинальное время затухания (Fall Time), нс: 50 Рабочая температура, °C: -40…+150 (TJ) Корпус: DIP-8 (0.300 inch)	быстрый просмотр	342 шт.	97 руб. × от 5 шт. — 93 руб. от 50 шт. — 92 руб.
IR2103STRPBF, Драйвер FET-IGBT, [SO-8] 57 шт. Пр-во: Infineon Конфигурация: half-bridge Тип канала: независимый Кол-во каналов: 2 Тип управляемого затвора: IGBT, N-CH MOSFET Напряжение питания, В: 10…20 Логическое напряжение (VIL), В: 0.8 Логическое напряжение (VIH), В: 3 Пиковый выходной ток нарастания (Source), А: 0.21 Пиковый выходной ток спада (Sink), А: 0.36 Тип входа: Инвертирующий, Неинвертирующий Максимальное напряжение смещения, В: 600 Номинальное время нарастания (Rise Time), нс: 100 Номинальное время затухания (Fall Time), нс: 50 Рабочая температура, °C: -40…+150 (TJ) Корпус: soic-8 (0.154 inch)	быстрый просмотр	57 шт.	140 руб. × от 5 шт. — 117 руб. от 50 шт. — 116 руб.
IR2104PBF, Полумостовой драйвер, [DIP-8] 989 шт. Пр-во: Infineon Конфигурация: half-bridge Тип канала: синхронный Кол-во каналов: 2 Тип управляемого затвора: IGBT, N-CH MOSFET Напряжение питания, В: 10…20 Логическое напряжение (VIL), В: 0.8 Логическое напряжение (VIH), В: 3 Пиковый выходной ток нарастания (Source), А: 0.21 Пиковый выходной ток спада (Sink), А: 0.36 Тип входа: неинвертирующий Максимальное напряжение смещения, В: 600 Номинальное время нарастания (Rise Time), нс: 100 Номинальное время затухания (Fall Time), нс: 50 Рабочая температура, °C: -40…+150 (TJ) Корпус: DIP-8 (0.300 inch)	быстрый просмотр	989 шт.	94 руб. × от 5 шт. — 89 руб. от 50 шт. — 87.60 руб.
IR2104SPBF, Полумостовой драйвер, [SO-8] 1053 шт. Пр-во: Infineon Конфигурация: half-bridge Тип канала: синхронный Кол-во каналов: 2 Тип управляемого затвора: IGBT, N-CH MOSFET Напряжение питания, В: 10…20 Логическое напряжение (VIL), В: 0.8 Логическое напряжение (VIH), В: 3 Пиковый выходной ток нарастания (Source), А: 0.21 Пиковый выходной ток спада (Sink), А: 0.36 Тип входа: неинвертирующий Максимальное напряжение смещения, В: 600 Номинальное время нарастания (Rise Time), нс: 100 Номинальное время затухания (Fall Time), нс: 50 Рабочая температура, °C: -40…+150 (TJ) Корпус: soic-8 (0.154 inch)	быстрый просмотр	1053 шт.	120 руб. × от 5 шт. — 108 руб. от 50 шт. — 107 руб.

Драйверы MOSFET и IGBTболее 1000

Драйверы MOSFET и IGBT_{более 1000}