IR2010PBF, Драйвер MOSFET/IGBT, неинвертируюший вход, 2-OUT, High и Low-Side, полумост [DIP-14]

Фото 2/6 IR2010PBF, Драйвер MOSFET/IGBT, неинвертируюший вход, 2-OUT, High и Low-Side, полумост [DIP-14]Фото 3/6 IR2010PBF, Драйвер MOSFET/IGBT, неинвертируюший вход, 2-OUT, High и Low-Side, полумост [DIP-14]Фото 4/6 IR2010PBF, Драйвер MOSFET/IGBT, неинвертируюший вход, 2-OUT, High и Low-Side, полумост [DIP-14]Фото 5/6 IR2010PBF, Драйвер MOSFET/IGBT, неинвертируюший вход, 2-OUT, High и Low-Side, полумост [DIP-14]Фото 6/6 IR2010PBF, Драйвер MOSFET/IGBT, неинвертируюший вход, 2-OUT, High и Low-Side, полумост [DIP-14]
Фото 1/6 IR2010PBF, Драйвер MOSFET/IGBT, неинвертируюший вход, 2-OUT, High и Low-Side, полумост [DIP-14]
Ном. номер: 997703377
Артикул: IR2010PBF
Производитель: Infineon Technologies
230 руб.
539 шт. со склада г.Москва
от 5 шт. — 222 руб.
от 50 шт. — 221 руб.
Добавить в корзину 1 шт. на сумму 230 руб.
В кредит от 0 руб./мес

Описание

MOSFET & IGBT Gate Drivers, High and Low Side, Infineon
Gate Driver ICs from Infineon to control MOSFET or IGBT power devices in high-side and low-side configurations.

Технические параметры

Конфигурация half-bridge
Тип канала независимый
Кол-во каналов 2
Тип управляемого затвора IGBT, N-CH MOSFET
Напряжение питания, В 10…20
Логическое напряжение (VIL), В 6
Логическое напряжение (VIH), В 9.5
Пиковый выходной ток нарастания (Source), А 3
Пиковый выходной ток спада (Sink), А 3
Тип входа неинвертирующий
Максимальное напряжение смещения, В 200
Номинальное время нарастания (Rise Time), нс 10
Номинальное время затухания (Fall Time), нс 15
Рабочая температура, °C -40…+150 (TJ)
Корпус dip-14 (0.300 inch)
Вес, г 1.9

Техническая документация

Дополнительная информация

Datasheet IR2010PBF
SMD справочник
Типы корпусов импортных микросхем

Сроки доставки

Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.

Цена и наличие в магазинах