Транзисторы биполярные с изолированным затвором (IGBTs) 350

Спецпредложение
Сортировка: Рекомендуем Хиты продаж Дешевле Дороже Срок поставки
Производители
Структура
Максимальное напряжение кэ ,В
Максимальный ток кэ при 25 гр. С,A
Мощность макс.,Вт
Крутизна характеристики, S
Корпус
Наличие в магазинах
Москва
Санкт-Петербург
Волгоград
Воронеж
Екатеринбург
Казань
Калуга
Краснодар
Красноярск
Минск
Нижний Новгород
Новосибирск
Омск
Пермь
Ростов-на-Дону
Рязань
Самара
Тверь
Тула
Уфа
Челябинск
Цена
Мин. цена руб.
Макс. цена руб.
 
 
AUIRGP50B60PD1, Auto IGBT 600В 75А 150кГц [TO-247AC]
Со склада
Пр-во: IR
Структура: npt
Максимальное напряжение кэ ,В: 600
Максимальный ток кэ при 25 гр. С,A: 75
Мощность макс.,Вт: 390
Крутизна характеристики, S: 41
Корпус: to-247
Добавить к сравнению
Со склада
380 руб. ×
от 5 шт. — 371 руб.
от 50 шт. — 370 руб.
BUP314D, IGBT 1200В 52A 300W, [TO-218AB]
Со склада
Пр-во: Infineon
Структура: igbt+диод
Максимальное напряжение кэ ,В: 1200
Максимальный ток кэ при 25 гр. С,A: 42
Мощность макс.,Вт: 300
Крутизна характеристики, S: 20
Корпус: to-218
Добавить к сравнению
Со склада
420 руб. ×
от 3 шт. — 398 руб.
от 30 шт. — 395 руб.
FGA25N120ANTDTU, Транзистор IGBT 1200В 25А 312Вт, встроенный диод [TO-3PN]
Со склада
Пр-во: ON Semiconductor
Структура: igbt+диод
Максимальное напряжение кэ ,В: 1200
Максимальный ток кэ при 25 гр. С,A: 50
Мощность макс.,Вт: 312
Корпус: to-3p
Добавить к сравнению
Со склада
160 руб. ×
от 10 шт. — 136 руб.
от 100 шт. — 133 руб.
Добавить к сравнению
Со склада
230 руб. ×
от 10 шт. — 207 руб.
от 100 шт. — 204 руб.
FGH40N60SFDTU, Транзистор, IGBT 600В 40А, [TO-247]
Со склада
Пр-во: ON Semiconductor
Структура: n-канал
Максимальное напряжение кэ ,В: 600
Максимальный ток кэ при 25 гр. С,A: 80
Мощность макс.,Вт: 290
Корпус: to-247
Добавить к сравнению
Со склада
170 руб. ×
от 10 шт. — 155 руб.
от 100 шт. — 152 руб.
FGH40N60SMD, Транзистор, IGBT, 600В, 80А, 290Вт [TO-247]
Со склада
Пр-во: ON Semiconductor
Добавить к сравнению
Со склада
240 руб. ×
от 10 шт. — 221 руб.
от 100 шт. — 218 руб.
FGH40N60UFDTU, IGBT FIELD STOP 600В 80А, [TO-247]
Со склада
Пр-во: Fairchild
Структура: n-канал+диод
Максимальное напряжение кэ ,В: 600
Максимальный ток кэ при 25 гр. С,A: 80
Мощность макс.,Вт: 290
Корпус: to-247
Добавить к сравнению
Со склада
240 руб. ×
от 10 шт. — 220 руб.
от 100 шт. — 217 руб.
Добавить к сравнению
Со склада
170 руб. ×
от 15 шт. — 159 руб.
от 150 шт. — 157 руб.
Добавить к сравнению
Со склада
220 руб. ×
от 10 шт. — 201 руб.
от 100 шт. — 198 руб.
FGH60N60SMD, Транзистор, IGBT, Field Stop, 600В, 60А, [TO-247]
Со склада
Пр-во: ON Semiconductor
Структура: n-канал+диод
Максимальное напряжение кэ ,В: 600
Максимальный ток кэ при 25 гр. С,A: 60
Мощность макс.,Вт: 600
Корпус: to-247
Добавить к сравнению
Со склада
360 руб. ×
от 10 шт. — 347 руб.
от 100 шт. — 345 руб.
Добавить к сравнению
Со склада
210 руб. ×
от 10 шт. — 194 руб.
от 100 шт. — 191 руб.
FGL40N120ANDTU, Транзистор IGBT 1200В 64А 500Вт + диод [TO-264]
Со склада
Пр-во: Fairchild
Структура: n-канал+диод
Максимальное напряжение кэ ,В: 1200
Максимальный ток кэ при 25 гр. С,A: 64
Мощность макс.,Вт: 500
Корпус: TO-264
Добавить к сравнению
Со склада
430 руб. ×
от 3 шт. — 414 руб.
от 30 шт. — 411 руб.
FGY75N60SMD, IGBT 600В 75А [TO-247]
Со склада
Пр-во: Fairchild
Структура: n-канал+диод
Максимальное напряжение кэ ,В: 600
Максимальный ток кэ при 25 гр. С,A: 75
Мощность макс.,Вт: 750
Корпус: to-247
Добавить к сравнению
Со склада
320 руб. ×
от 5 шт. — 305 руб.
от 50 шт. — 302 руб.
HGT1S7N60C3DS9A, IGBT 600В 14А [D2-PAK]
Со склада
Пр-во: Fairchild
Структура: n-канал+диод
Максимальное напряжение кэ ,В: 600
Максимальный ток кэ при 25 гр. С,A: 14
Мощность макс.,Вт: 60
Корпус: d2pak
Добавить к сравнению
Со склада
75 руб. ×
от 15 шт. — 60 руб.
от 150 шт. — 57 руб.
HGTG10N120BND, IGBT транзистор, [TO-247]
Со склада
Пр-во: ON Semiconductor
Структура: n-канал
Максимальное напряжение кэ ,В: 1200
Максимальный ток кэ при 25 гр. С,A: 35
Мощность макс.,Вт: 298
Корпус: to-247
Добавить к сравнению
Со склада
170 руб. ×
от 10 шт. — 152 руб.
от 100 шт. — 149 руб.
Добавить к сравнению
Со склада
140 руб. ×
от 10 шт. — 125 руб.
от 100 шт. — 122 руб.
Добавить к сравнению
Со склада
120 руб. ×
от 10 шт. — 103 руб.
от 100 шт. — 100 руб.
HGTG20N60A4, IGBT 600В 70А [TO-247]
Со склада
Пр-во: ON Semiconductor
Структура: n-канал
Максимальное напряжение кэ ,В: 600
Максимальный ток кэ при 25 гр. С,A: 70
Мощность макс.,Вт: 290
Корпус: to-247
Добавить к сравнению
Со склада
160 руб. ×
от 10 шт. — 150 руб.
от 100 шт. — 145 руб.
HGTG20N60A4D, Транзистор IGBT 600В 70А 290Вт встроенный диод [TO-247]
Со склада
Пр-во: ON Semiconductor
Структура: igbt+диод
Максимальное напряжение кэ ,В: 600
Максимальный ток кэ при 25 гр. С,A: 70
Мощность макс.,Вт: 290
Корпус: to-247
Добавить к сравнению
Со склада
220 руб. ×
от 10 шт. — 201 руб.
от 100 шт. — 198 руб.
HGTG20N60B3, IGBT 600В 40А [TO-247AC]
Со склада
Пр-во: Fairchild
Структура: n-канал
Максимальное напряжение кэ ,В: 600
Максимальный ток кэ при 25 гр. С,A: 40
Мощность макс.,Вт: 165
Корпус: to-247
Добавить к сравнению
Со склада
220 руб. ×
от 10 шт. — 201 руб.
от 100 шт. — 198 руб.
Страницы Ctrl ← предыдущая Ctrl → следующая

IGBT-транзисторы (биполярные транзисторы с изолированным затвором) – трёхэлектродные силовые электронные приборы, которые используются в качестве мощного электронного ключа в инверторах, импульсных источниках питания и системах управления электроприводами.

Внутренняя структура IGBT-транзисторов имеет вид каскадного включения двух электронных ключей: входные ключи, основанные на полевых транзисторах, управляют мощными ключами, основанными на биполярных транзисторах. Управляющим электродом является затвор (как у полевых), а двумя другими электродами – эмиттер и коллектор (как у биполярных).

Посмотреть и купить товар вы можете в наших магазинах в городах: Москва, Санкт-Петербург, Волгоград, Воронеж, Екатеринбург, Казань, Калуга, Краснодар, Красноярск, Минск, Нижний Новгород, Новосибирск, Омск, Пермь, Ростов-на-Дону, Рязань, Самара, Тверь, Тула, Уфа, Челябинск. Доставка заказа почтой или через салоны «Евросеть» в следующие города: Тольятти, Саратов, Ижевск, Барнаул, Ульяновск, Тюмень, Иркутск, Ярославль, Оренбург, Томск, Кемерово, Хабаровск, Владивосток и др.

Товары из группы «Транзисторы биполярные с изолированным затвором (IGBTs)» вы можете купить оптом и в розницу.