FGA40N65SMD, Транзистор, IGBT, Field Stop, 650В, 40А [TO-3PN]

Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию

770 руб.

от 15 шт. — 714 руб.

Добавить в корзину 1 шт. на сумму 770 руб.

Номенклатурный номер: 9000348812

Артикул: FGA40N65SMD

The Insulated Gate Bipolar Transistor or IGBT is a three-terminal power semiconductor device, noted for high efficiency and fast switching.

pdf, 1680 КБ

pdf, 1278 КБ

pdf, 1243 КБ

pdf, 345 КБ

Мы рекомендуем

Технология/семейство	Field Stop/Gen 2
Наличие встроенного диода	Да
Максимальное напряжение КЭ ,В	650
Максимальный ток КЭ при 25°C, A	80
Импульсный ток коллектора (Icm), А	120
Напряжение насыщения при номинальном токе, В	2.5
Максимальная рассеиваемая мощность, Вт	349
Время задержки включения (td(on)) при при 25°C, нс	12
Время задержки выключения (td(off)) при при 25°C, нс	92
Рабочая температура (Tj), °C	-55…+175
Корпус	to-3pn
Вес, г	6