FGA40N65SMD, Транзистор, IGBT, Field Stop, 650В, 40А [TO-3PN]

Фото 2/3 FGA40N65SMD, Транзистор, IGBT, Field Stop, 650В, 40А [TO-3PN]Фото 3/3 FGA40N65SMD, Транзистор, IGBT, Field Stop, 650В, 40А [TO-3PN]
Фото 1/3 FGA40N65SMD, Транзистор, IGBT, Field Stop, 650В, 40А [TO-3PN]
27 шт. со склада г.Екатеринбург
380 руб.
от 15 шт.360 руб.
от 150 шт.по запросу
Добавить в корзину 1 шт. на сумму 380 руб.
В кредит от 0 руб./мес
Посмотреть альтернативные предложения1
Номенклатурный номер: 9000348812
Артикул: FGA40N65SMD
Производитель: ON Semiconductor

Описание

Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 650V, 40A Field Stop IGBT

Технические параметры

Технология/семейство field stop
Наличие встроенного диода да
Максимальное напряжение КЭ ,В 650
Максимальный ток КЭ при 25°C, A 80
Импульсный ток коллектора (Icm), А 120
Напряжение насыщения при номинальном токе, В 2.5
Максимальная рассеиваемая мощность, Вт 349
Время задержки включения (td(on)) при при 25°C, нс 12
Время задержки выключения (td(off)) при при 25°C, нс 92
Рабочая температура (Tj), °C -55…+175
Корпус TO-3PN
Вес, г 6.5

Техническая документация

FGA40N65SMD
pdf, 345 КБ
Datasheet
pdf, 1280 КБ
Datasheet FGA40N65SMD
pdf, 1278 КБ

Дополнительная информация

SMD справочник
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов

Сроки доставки

Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.

Цена и наличие в магазинах