Транзисторы биполярные с изолированным затвором ST Microelectronics

200 из более 1000
Сортировка: РекомендуемХиты продажДешевлеДороже
Бренд / Производитель
Технология/семейство
Наличие встроенного диода
Максимальное напряжение КЭ ,В
Максимальный ток КЭ при 25°C, A
Импульсный ток коллектора (Icm), А
Напряжение насыщения при номинальном токе, В
Максимальная рассеиваемая мощность, Вт
Время задержки включения (td(on)) при при 25°C, нс
Время задержки выключения (td(off)) при при 25°C, нс
Рабочая температура (Tj), °C
Корпус
Наличие в магазинах
Москва
Санкт-Петербург
Архангельск
Астрахань
Барнаул
Белгород
Брянск
Владимир
Волгоград
Вологда
Воронеж
Екатеринбург
Иваново
Ижевск
Иркутск
Казань
Калуга
Кемерово
Киров
Кострома
Краснодар
Красноярск
Курган
Курск
Липецк
Набережные Челны
Нижний Новгород
Новосибирск
Омск
Орёл
Пенза
Пермь
Псков
Ростов-на-Дону
Рязань
Самара
Саранск
Саратов
Смоленск
Ставрополь
Тверь
Томск
Тула
Тюмень
Ульяновск
Уфа
Чебоксары
Челябинск
Ярославль
Цена
Мин. цена руб.
Макс. цена руб.
 
STGB10NB37LZT4, Транзистор IGBT, 440 В, 20 А, 125 Вт, [D2-PAK]
734 шт.
Пр-во: ST Microelectronics
Технология/семейство: powermesh, internally clamped
Наличие встроенного диода: нет
Максимальное напряжение КЭ ,В: 440
Максимальный ток КЭ при 25°C, A: 20
Импульсный ток коллектора (Icm), А: 40
Напряжение насыщения при номинальном токе, В: 1.8
Максимальная рассеиваемая мощность, Вт: 125
Время задержки включения (td(on)) при при 25°C, нс: 1300
Время задержки выключения (td(off)) при при 25°C, нс: 8000
Рабочая температура (Tj), °C: -65…+175
Корпус: d2-pak
быстрый просмотр
734 шт.
480 руб. ×
от 15 шт. — 429 руб.
от 150 шт. — 364 руб.
STGB10NC60HDT4, Транзистор IGBT N-CH 600V 20A [D2-PAK]
271 шт.
Пр-во: ST Microelectronics
Технология/семейство: powermesh
Наличие встроенного диода: да
Максимальное напряжение КЭ ,В: 600
Максимальный ток КЭ при 25°C, A: 20
Импульсный ток коллектора (Icm), А: 30
Напряжение насыщения при номинальном токе, В: 2.5
Максимальная рассеиваемая мощность, Вт: 65
Время задержки включения (td(on)) при при 25°C, нс: 14.2
Время задержки выключения (td(off)) при при 25°C, нс: 72
Рабочая температура (Tj), °C: -55…+150
Корпус: d2-pak
быстрый просмотр
271 шт.
190 руб. ×
от 15 шт. — 159 руб.
от 150 шт. — 152 руб.
STGF19NC60KD, Транзистор IGBT 600В 16А 32Вт [TO-220FP]
37 шт.
Пр-во: ST Microelectronics
Технология/семейство: powermesh
Наличие встроенного диода: да
Максимальное напряжение КЭ ,В: 600
Максимальный ток КЭ при 25°C, A: 16
Импульсный ток коллектора (Icm), А: 75
Напряжение насыщения при номинальном токе, В: 2.75
Максимальная рассеиваемая мощность, Вт: 32
Время задержки включения (td(on)) при при 25°C, нс: 30
Время задержки выключения (td(off)) при при 25°C, нс: 105
Рабочая температура (Tj), °C: -55…+150
Корпус: to-220fp
быстрый просмотр
37 шт.
360 руб. ×
от 15 шт. — 316 руб.
от 150 шт. — 311 руб.
STGP10NC60KD, Транзистор, IGBT, стойкий к коротким замыканиям, 600В, 10А [TO-220]
235 шт.
Пр-во: ST Microelectronics
Технология/семейство: powermesh
Наличие встроенного диода: да
Максимальное напряжение КЭ ,В: 600
Максимальный ток КЭ при 25°C, A: 20
Импульсный ток коллектора (Icm), А: 30
Напряжение насыщения при номинальном токе, В: 2.5
Максимальная рассеиваемая мощность, Вт: 65
Время задержки включения (td(on)) при при 25°C, нс: 17
Время задержки выключения (td(off)) при при 25°C, нс: 72
Рабочая температура (Tj), °C: -55…+150
Корпус: to-220
быстрый просмотр
235 шт.
280 руб. ×
от 15 шт. — 255 руб.
от 150 шт. — 245 руб.
STGP7NC60HD, Транзистор, быстрый IGBT с Ultrafast диодом, 600В, 25А [TO-220]
245 шт.
Пр-во: ST Microelectronics
Технология/семейство: powermesh
Наличие встроенного диода: да
Максимальное напряжение КЭ ,В: 600
Максимальный ток КЭ при 25°C, A: 25
Импульсный ток коллектора (Icm), А: 50
Напряжение насыщения при номинальном токе, В: 2.5
Максимальная рассеиваемая мощность, Вт: 80
Время задержки включения (td(on)) при при 25°C, нс: 18.5
Время задержки выключения (td(off)) при при 25°C, нс: 72
Рабочая температура (Tj), °C: -55…+150
Корпус: to-220
быстрый просмотр
245 шт.
230 руб. ×
от 15 шт. — 206 руб.
от 150 шт. — 185 руб.
STGP8NC60KD, Транзистор, IGBT, стойкий к коротким замыканиям, 600В, 8А [TO-220]
59 шт.
Пр-во: ST Microelectronics
Технология/семейство: powermesh
Наличие встроенного диода: да
Максимальное напряжение КЭ ,В: 600
Максимальный ток КЭ при 25°C, A: 15
Импульсный ток коллектора (Icm), А: 30
Напряжение насыщения при номинальном токе, В: 2.75
Максимальная рассеиваемая мощность, Вт: 65
Время задержки включения (td(on)) при при 25°C, нс: 17
Время задержки выключения (td(off)) при при 25°C, нс: 72
Рабочая температура (Tj), °C: -55…+150
Корпус: to-220
быстрый просмотр
59 шт.
170 руб. ×
от 15 шт. — 128 руб.
от 150 шт. — 117 руб.
STGW20NC60VD, Транзистор IGBT 600В 30А 200Вт [TO-247]
312 шт.
Пр-во: ST Microelectronics
Технология/семейство: powermesh
Наличие встроенного диода: да
Максимальное напряжение КЭ ,В: 600
Максимальный ток КЭ при 25°C, A: 60
Импульсный ток коллектора (Icm), А: 150
Напряжение насыщения при номинальном токе, В: 2.5
Максимальная рассеиваемая мощность, Вт: 200
Время задержки включения (td(on)) при при 25°C, нс: 31
Время задержки выключения (td(off)) при при 25°C, нс: 100
Рабочая температура (Tj), °C: -55…+150
Корпус: to-247
быстрый просмотр
312 шт.
550 руб. ×
от 15 шт. — 495 руб.
от 150 шт. — 487 руб.
STGW30H60DFB, Транзистор IGBT 600В 60А 260Вт [TO-247]
156 шт.
Пр-во: ST Microelectronics
Технология/семейство: trench and fieldstop
Наличие встроенного диода: да
Максимальное напряжение КЭ ,В: 600
Максимальный ток КЭ при 25°C, A: 60
Импульсный ток коллектора (Icm), А: 120
Напряжение насыщения при номинальном токе, В: 2
Максимальная рассеиваемая мощность, Вт: 260
Время задержки включения (td(on)) при при 25°C, нс: 37
Время задержки выключения (td(off)) при при 25°C, нс: 146
Рабочая температура (Tj), °C: -55…+175
Корпус: to-247
быстрый просмотр
156 шт.
440 руб. ×
от 15 шт. — 392 руб.
от 150 шт. — 381 руб.
STGW30NC60WD, Транзистор IGBT, 600В, 60А, 200Вт [TO-247]
63 шт.
Пр-во: ST Microelectronics
Технология/семейство: powermesh
Наличие встроенного диода: да
Максимальное напряжение КЭ ,В: 600
Максимальный ток КЭ при 25°C, A: 60
Импульсный ток коллектора (Icm), А: 150
Напряжение насыщения при номинальном токе, В: 2.5
Максимальная рассеиваемая мощность, Вт: 200
Время задержки включения (td(on)) при при 25°C, нс: 29.5
Время задержки выключения (td(off)) при при 25°C, нс: 118
Рабочая температура (Tj), °C: -55…+150
Корпус: to-247
быстрый просмотр
63 шт.
790 руб. ×
от 15 шт. — 663 руб.
от 150 шт. — 644 руб.
STGW39NC60VD, Транзистор PowerMESH IGBT N-CH 600V 40A, [TO-247-3]
186 шт.
Пр-во: ST Microelectronics
Технология/семейство: powermesh
Наличие встроенного диода: да
Максимальное напряжение КЭ ,В: 600
Максимальный ток КЭ при 25°C, A: 80
Импульсный ток коллектора (Icm), А: 220
Напряжение насыщения при номинальном токе, В: 2.4
Максимальная рассеиваемая мощность, Вт: 250
Время задержки включения (td(on)) при при 25°C, нс: 33
Время задержки выключения (td(off)) при при 25°C, нс: 178
Рабочая температура (Tj), °C: -55…+150
Корпус: to-247
быстрый просмотр
186 шт.
440 руб. ×
от 15 шт. — 394 руб.
от 150 шт. — 384 руб.
STGW40V60DF, Транзистор IGBT 600V 80A 283W, [TO-247]
448 шт.
Пр-во: ST Microelectronics
Технология/семейство: trench and fieldstop
Наличие встроенного диода: да
Максимальное напряжение КЭ ,В: 600
Максимальный ток КЭ при 25°C, A: 80
Импульсный ток коллектора (Icm), А: 160
Напряжение насыщения при номинальном токе, В: 2.3
Максимальная рассеиваемая мощность, Вт: 283
Время задержки включения (td(on)) при при 25°C, нс: 52
Время задержки выключения (td(off)) при при 25°C, нс: 208
Рабочая температура (Tj), °C: -55…+175
Корпус: to-247
быстрый просмотр
448 шт.
770 руб. ×
от 10 шт. — 732 руб.
от 100 шт. — 712 руб.
STGW60V60DF, Транзистор IGBT, N-канальный, 600 В, 80 А, 375 Вт, [TO-247]
251 шт.
Пр-во: ST Microelectronics
Технология/семейство: trench and fieldstop
Наличие встроенного диода: да
Максимальное напряжение КЭ ,В: 600
Максимальный ток КЭ при 25°C, A: 80
Импульсный ток коллектора (Icm), А: 240
Напряжение насыщения при номинальном токе, В: 2.3
Максимальная рассеиваемая мощность, Вт: 375
Время задержки включения (td(on)) при при 25°C, нс: 60
Время задержки выключения (td(off)) при при 25°C, нс: 208
Рабочая температура (Tj), °C: -55…+175
Корпус: to-247
быстрый просмотр
251 шт.
1 370 руб. ×
от 15 шт. — 1 350 руб.
от 150 шт. — 1 314 руб.
STGD18N40LZT4, Транзистор IGBT 400В 25А [D-PAK]
125 шт.
Пр-во: ST Microelectronics
Технология/семейство: powermesh, internally clamped
Наличие встроенного диода: нет
Максимальное напряжение КЭ ,В: 420
Максимальный ток КЭ при 25°C, A: 25
Импульсный ток коллектора (Icm), А: 40
Напряжение насыщения при номинальном токе, В: 1.7
Максимальная рассеиваемая мощность, Вт: 125
Время задержки включения (td(on)) при при 25°C, нс: 650
Время задержки выключения (td(off)) при при 25°C, нс: 13500
Рабочая температура (Tj), °C: -55…+175
Корпус: d-pak
быстрый просмотр
125 шт.
120 руб. ×
от 15 шт. — 110 руб.
от 150 шт. — 105 руб.
STGW30V60F, Транзистор
2 шт.
Пр-во: ST Microelectronics
Технология/семейство: trench and fieldstop
Наличие встроенного диода: нет
Максимальное напряжение КЭ ,В: 600
Максимальный ток КЭ при 25°C, A: 60
Импульсный ток коллектора (Icm), А: 120
Напряжение насыщения при номинальном токе, В: 2.3
Максимальная рассеиваемая мощность, Вт: 260
Время задержки включения (td(on)) при при 25°C, нс: 45
Время задержки выключения (td(off)) при при 25°C, нс: 189
Рабочая температура (Tj), °C: -55…+150
Корпус: to-247
2 шт.
580 руб. ×
от 5 шт. — 579 руб.
STGW40V60DF
10 шт.
Пр-во: ST Microelectronics
быстрый просмотр
10 шт.
770 руб. ×
STGF19NC60HD, Транзистор IGBT N-канал 600В 9А [TO-220FP]
По запросу
Пр-во: ST Microelectronics
Технология/семейство: powermesh
Наличие встроенного диода: да
Максимальное напряжение КЭ ,В: 600
Максимальный ток КЭ при 25°C, A: 16
Импульсный ток коллектора (Icm), А: 60
Напряжение насыщения при номинальном токе, В: 2.5
Максимальная рассеиваемая мощность, Вт: 32
Время задержки включения (td(on)) при при 25°C, нс: 25
Время задержки выключения (td(off)) при при 25°C, нс: 97
Рабочая температура (Tj), °C: -55…+150
Корпус: to-220fp
быстрый просмотр
По запросу
93 руб. ×
от 3 шт. — 85 руб.
от 30 шт. — 81.90 руб.
STGW40NC60WD, Транзистьор IGBT 600В 70А 250Вт [TO-247]
По запросу
Пр-во: ST Microelectronics
По запросу
310 руб. ×
от 5 шт. — 297 руб.
от 50 шт. — 282 руб.
STGB10NC60KDT4
3-4 дня, 1 шт.
Пр-во: ST Microelectronics
быстрый просмотр
3-4 дня,
1 шт.
350 руб. ×
STGB10NC60KDT4
6 дней, 169 шт.
Пр-во: ST Microelectronics
быстрый просмотр
6 дней,
169 шт.
55 руб. ×
от 30 шт. — 48 руб.
от 59 шт. — 44 руб.
от 117 шт. — 41 руб.
STGB18N40LZT4
3-4 дня, 1 шт.
Пр-во: ST Microelectronics
быстрый просмотр
3-4 дня,
1 шт.
570 руб. ×
Товаров на странице
  • 20
  • 40
  • 60