STGB10NB37LZT4, Биполярный транзистор IGBT, 440 В, 20 А, 125 Вт, [D2-PAK]

Фото 2/6 STGB10NB37LZT4, Биполярный транзистор IGBT, 440 В, 20 А, 125 Вт, [D2-PAK]Фото 3/6 STGB10NB37LZT4, Биполярный транзистор IGBT, 440 В, 20 А, 125 Вт, [D2-PAK]Фото 4/6 STGB10NB37LZT4, Биполярный транзистор IGBT, 440 В, 20 А, 125 Вт, [D2-PAK]Фото 5/6 STGB10NB37LZT4, Биполярный транзистор IGBT, 440 В, 20 А, 125 Вт, [D2-PAK]Фото 6/6 STGB10NB37LZT4, Биполярный транзистор IGBT, 440 В, 20 А, 125 Вт, [D2-PAK]
Фото 1/6 STGB10NB37LZT4, Биполярный транзистор IGBT, 440 В, 20 А, 125 Вт, [D2-PAK]
514 шт. со склада г.Москва
140 руб.
от 15 шт.139 руб.
от 150 шт.134 руб.
Добавить в корзину 1 шт. на сумму 140 руб.
В кредит от 0 руб./мес
Номенклатурный номер: 9000102845
Артикул: STGB10NB37LZT4
Производитель: ST Microelectronics

Описание

IGBT транзистор - [TO-263-2]; Uкэ.макс: 410 В; Iк@25°C: 10 А; Uкэ.нас: 1.2 В; tнар: 1.3 мкс; tспада: 3.6 мкс
Корпус TO263, Напряжение К-Э максимальное 440 В, Ток коллектора максимальный при 25°C 20 А, Напряжение насыщения К-Э 1.8 В, Максимальная мощность 125 Вт, Заряд затвора 28 нКл, Тип входа стандартный

Технические параметры

Технология/семейство powermesh, internally clamped
Наличие встроенного диода нет
Максимальное напряжение КЭ ,В 440
Максимальный ток КЭ при 25°C, A 20
Импульсный ток коллектора (Icm), А 40
Напряжение насыщения при номинальном токе, В 1.8
Максимальная рассеиваемая мощность, Вт 125
Время задержки включения (td(on)) при при 25°C, нс 1300
Время задержки выключения (td(off)) при при 25°C, нс 8000
Рабочая температура (Tj), °C -65…+175
Корпус d2-pak
Структура n-канал+диод
Управляющее напряжение,В 2.4
Вес, г 2.5

Техническая документация

STGB10NB37LZT4 datasheet
pdf, 94 КБ

Дополнительная информация

SMD справочник
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов

Сроки доставки

Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.

Цена и наличие в магазинах