Мой регион: Россия

Транзисторы биполярные с изолированным затвором (IGBTs) ST Microelectronics53 из 436

Спецпредложение
Сортировка: Рекомендуем Хиты продаж Дешевле Дороже
Производители
Технология/семейство
Наличие встроенного диода
Максимальное напряжение КЭ ,В
Максимальный ток КЭ при 25°C, A
Импульсный ток коллектора (Icm), А
Напряжение насыщения при номинальном токе, В
Максимальная рассеиваемая мощность, Вт
Время задержки включения (td(on)) при при 25°C, нс
Время задержки выключения (td(off)) при при 25°C, нс
Рабочая температура (Tj), °C
Корпус
Наличие в магазинах
Москва
Санкт-Петербург
Волгоград
Воронеж
Екатеринбург
Ижевск
Казань
Калуга
Краснодар
Красноярск
Минск
Набережные Челны
Нижний Новгород
Новосибирск
Омск
Пермь
Ростов-на-Дону
Рязань
Самара
Тверь
Томск
Тула
Тюмень
Уфа
Челябинск
Цена
Мин. цена руб.
Макс. цена руб.
 
 
STGB10NB37LZT4, Биполярный транзистор IGBT, 440 В, 20 А, 125 Вт, [D2-PAK]
2072 шт.
Пр-во: ST Microelectronics
Технология/семейство: powermesh, internally clamped
Наличие встроенного диода: нет
Максимальное напряжение КЭ ,В: 440
Максимальный ток КЭ при 25°C, A: 20
Импульсный ток коллектора (Icm), А: 40
Напряжение насыщения при номинальном токе, В: 1.8
Максимальная рассеиваемая мощность, Вт: 125
Время задержки включения (td(on)) при при 25°C, нс: 1300
Время задержки выключения (td(off)) при при 25°C, нс: 8000
Рабочая температура (Tj), °C: -65…+175
Корпус: d2-pak
Добавить к сравнению
2072 шт.
110 руб. ×
от 15 шт. — 107 руб.
STGB10NC60HDT4, Транзистор IGBT N-CH 600V 20A [D2-PAK]
666 шт.
Пр-во: ST Microelectronics
Технология/семейство: powermesh
Наличие встроенного диода: да
Максимальное напряжение КЭ ,В: 600
Максимальный ток КЭ при 25°C, A: 20
Импульсный ток коллектора (Icm), А: 30
Напряжение насыщения при номинальном токе, В: 2.5
Максимальная рассеиваемая мощность, Вт: 65
Время задержки включения (td(on)) при при 25°C, нс: 14.2
Время задержки выключения (td(off)) при при 25°C, нс: 72
Рабочая температура (Tj), °C: -55…+150
Корпус: d2-pak
Добавить к сравнению
666 шт.
59 руб. ×
от 15 шт. — 44 руб.
от 150 шт. — 41 руб.
STGD18N40LZT4, IGBT транзистор, 400V, 25A, [D-PAK]
1344 шт.
Пр-во: ST Microelectronics
Технология/семейство: powermesh, internally clamped
Наличие встроенного диода: нет
Максимальное напряжение КЭ ,В: 420
Максимальный ток КЭ при 25°C, A: 25
Импульсный ток коллектора (Icm), А: 40
Напряжение насыщения при номинальном токе, В: 1.7
Максимальная рассеиваемая мощность, Вт: 125
Время задержки включения (td(on)) при при 25°C, нс: 650
Время задержки выключения (td(off)) при при 25°C, нс: 13500
Рабочая температура (Tj), °C: -55…+175
Корпус: d-pak
Добавить к сравнению
1344 шт.
82 руб. ×
от 15 шт. — 77 руб.
от 150 шт. — 76 руб.
STGP10NC60KD, Транзистор, IGBT, стойкий к коротким замыканиям, 600В, 10А [TO-220]
615 шт.
Пр-во: ST Microelectronics
Технология/семейство: powermesh
Наличие встроенного диода: да
Максимальное напряжение КЭ ,В: 600
Максимальный ток КЭ при 25°C, A: 20
Импульсный ток коллектора (Icm), А: 30
Напряжение насыщения при номинальном токе, В: 2.5
Максимальная рассеиваемая мощность, Вт: 65
Время задержки включения (td(on)) при при 25°C, нс: 17
Время задержки выключения (td(off)) при при 25°C, нс: 72
Рабочая температура (Tj), °C: -55…+150
Корпус: to-220
Добавить к сравнению
615 шт.
85 руб. ×
от 15 шт. — 80 руб.
от 150 шт. — 78 руб.
STGP14NC60KD, Транзистор, IGBT, стойкий к коротким замыканиям, 600В, 14А [TO-220]
144 шт.
Пр-во: ST Microelectronics
Технология/семейство: powermesh
Наличие встроенного диода: да
Максимальное напряжение КЭ ,В: 600
Максимальный ток КЭ при 25°C, A: 25
Импульсный ток коллектора (Icm), А: 50
Напряжение насыщения при номинальном токе, В: 2.5
Максимальная рассеиваемая мощность, Вт: 80
Время задержки включения (td(on)) при при 25°C, нс: 22.5
Время задержки выключения (td(off)) при при 25°C, нс: 116
Рабочая температура (Tj), °C: -55…+150
Корпус: to-220
Добавить к сравнению
144 шт.
72 руб. ×
от 15 шт. — 66 руб.
от 150 шт. — 65 руб.
STGP19NC60HD, Транзистор PowerMESH IGBT VERY FAST 600V 40A [TO-220-3]
481 шт.
Пр-во: ST Microelectronics
Технология/семейство: powermesh
Наличие встроенного диода: да
Максимальное напряжение КЭ ,В: 600
Максимальный ток КЭ при 25°C, A: 40
Импульсный ток коллектора (Icm), А: 60
Напряжение насыщения при номинальном токе, В: 2.5
Максимальная рассеиваемая мощность, Вт: 130
Время задержки включения (td(on)) при при 25°C, нс: 25
Время задержки выключения (td(off)) при при 25°C, нс: 97
Рабочая температура (Tj), °C: -55…+150
Корпус: to-220
Добавить к сравнению
481 шт.
91 руб. ×
от 15 шт. — 85 руб.
от 150 шт. — 84 руб.
STGP7NC60HD, Транзистор, быстрый IGBT с Ultrafast диодом, 600В, 25А [TO-220]
347 шт.
Пр-во: ST Microelectronics
Технология/семейство: powermesh
Наличие встроенного диода: да
Максимальное напряжение КЭ ,В: 600
Максимальный ток КЭ при 25°C, A: 25
Импульсный ток коллектора (Icm), А: 50
Напряжение насыщения при номинальном токе, В: 2.5
Максимальная рассеиваемая мощность, Вт: 80
Время задержки включения (td(on)) при при 25°C, нс: 18.5
Время задержки выключения (td(off)) при при 25°C, нс: 72
Рабочая температура (Tj), °C: -55…+150
Корпус: to-220
Добавить к сравнению
347 шт.
51 руб. ×
от 15 шт. — 45 руб.
от 150 шт. — 44 руб.
Добавить к сравнению
122 шт.
47 руб. ×
от 15 шт. — 41 руб.
от 150 шт. — 40 руб.
STGW20NC60VD, IGBT 50КГц/30А/600В диод, [TO-247]
450 шт.
Пр-во: ST Microelectronics
Технология/семейство: powermesh
Наличие встроенного диода: да
Максимальное напряжение КЭ ,В: 600
Максимальный ток КЭ при 25°C, A: 60
Импульсный ток коллектора (Icm), А: 150
Напряжение насыщения при номинальном токе, В: 2.5
Максимальная рассеиваемая мощность, Вт: 200
Время задержки включения (td(on)) при при 25°C, нс: 31
Время задержки выключения (td(off)) при при 25°C, нс: 100
Рабочая температура (Tj), °C: -55…+150
Корпус: to-247
Добавить к сравнению
450 шт.
120 руб. ×
от 15 шт. — 106 руб.
от 150 шт. — 104 руб.
STGW35HF60WD, IGBT 600В 60А 200Вт, [TO-247]
294 шт.
Пр-во: ST Microelectronics
Технология/семейство: hf, planar
Наличие встроенного диода: да
Максимальное напряжение КЭ ,В: 600
Максимальный ток КЭ при 25°C, A: 60
Импульсный ток коллектора (Icm), А: 150
Напряжение насыщения при номинальном токе, В: 2.5
Максимальная рассеиваемая мощность, Вт: 200
Время задержки включения (td(on)) при при 25°C, нс: 30
Время задержки выключения (td(off)) при при 25°C, нс: 175
Рабочая температура (Tj), °C: -55…+150
Корпус: to-247
Добавить к сравнению
294 шт.
210 руб. ×
от 15 шт. — 203 руб.
от 150 шт. — 202 руб.
STGW38IH130D, IGBT, 1300V, 63A, 250W, [TO-247]
145 шт.
Пр-во: ST Microelectronics
Технология/семейство: powermesh
Наличие встроенного диода: да
Максимальное напряжение КЭ ,В: 1300
Максимальный ток КЭ при 25°C, A: 63
Импульсный ток коллектора (Icm), А: 125
Напряжение насыщения при номинальном токе, В: 2.8
Максимальная рассеиваемая мощность, Вт: 250
Время задержки выключения (td(off)) при при 25°C, нс: 284
Рабочая температура (Tj), °C: -55…+150
Корпус: to-247
Добавить к сравнению
145 шт.
150 руб. ×
от 15 шт. — 140 руб.
от 150 шт. — 138 руб.
STGW39NC60VD, Транзистор PowerMESH IGBT N-CH 600V 40A, [TO-247-3]
130 шт.
Пр-во: ST Microelectronics
Технология/семейство: powermesh
Наличие встроенного диода: да
Максимальное напряжение КЭ ,В: 600
Максимальный ток КЭ при 25°C, A: 80
Импульсный ток коллектора (Icm), А: 220
Напряжение насыщения при номинальном токе, В: 2.4
Максимальная рассеиваемая мощность, Вт: 250
Время задержки включения (td(on)) при при 25°C, нс: 33
Время задержки выключения (td(off)) при при 25°C, нс: 178
Рабочая температура (Tj), °C: -55…+150
Корпус: to-247
Добавить к сравнению
130 шт.
150 руб. ×
от 15 шт. — 133 руб.
от 150 шт. — 131 руб.
STGW40V60DF, Транзистор IGBT 600V 80A 283W, [TO-247]
384 шт.
Пр-во: ST Microelectronics
Технология/семейство: trench and fieldstop
Наличие встроенного диода: да
Максимальное напряжение КЭ ,В: 600
Максимальный ток КЭ при 25°C, A: 80
Импульсный ток коллектора (Icm), А: 160
Напряжение насыщения при номинальном токе, В: 2.3
Максимальная рассеиваемая мощность, Вт: 283
Время задержки включения (td(on)) при при 25°C, нс: 52
Время задержки выключения (td(off)) при при 25°C, нс: 208
Рабочая температура (Tj), °C: -55…+175
Корпус: to-247
Добавить к сравнению
384 шт.
250 руб. ×
от 10 шт. — 240 руб.
от 100 шт. — 237 руб.
STGW45HF60WD, IGBT 100КГц/45А/600В, [TO-247]
1209 шт.
Пр-во: ST Microelectronics
Технология/семейство: hf, planar
Наличие встроенного диода: да
Максимальное напряжение КЭ ,В: 600
Максимальный ток КЭ при 25°C, A: 70
Импульсный ток коллектора (Icm), А: 150
Напряжение насыщения при номинальном токе, В: 2.5
Максимальная рассеиваемая мощность, Вт: 250
Время задержки включения (td(on)) при при 25°C, нс: 30
Время задержки выключения (td(off)) при при 25°C, нс: 145
Рабочая температура (Tj), °C: -55…+150
Корпус: to-247
Добавить к сравнению
1209 шт.
280 руб. ×
от 10 шт. — 265 руб.
от 100 шт. — 260 руб.
STGW60V60DF, Транзистор IGBT, N-канальный, 600 В, 80 А, 375 Вт, [TO-247]
308 шт.
Пр-во: ST Microelectronics
Технология/семейство: trench and fieldstop
Наличие встроенного диода: да
Максимальное напряжение КЭ ,В: 600
Максимальный ток КЭ при 25°C, A: 80
Импульсный ток коллектора (Icm), А: 240
Напряжение насыщения при номинальном токе, В: 2.3
Максимальная рассеиваемая мощность, Вт: 375
Время задержки включения (td(on)) при при 25°C, нс: 60
Время задержки выключения (td(off)) при при 25°C, нс: 208
Рабочая температура (Tj), °C: -55…+175
Корпус: to-247
Добавить к сравнению
308 шт.
310 руб. ×
от 15 шт. — 300 руб.
от 150 шт. — 298 руб.
STGF14NC60KD
2-3 недели, 871 шт.
Пр-во: ST Microelectronics
Технология/семейство: powermesh
Наличие встроенного диода: да
Максимальное напряжение КЭ ,В: 600
Максимальный ток КЭ при 25°C, A: 11
Импульсный ток коллектора (Icm), А: 50
Напряжение насыщения при номинальном токе, В: 2.5
Максимальная рассеиваемая мощность, Вт: 28
Время задержки включения (td(on)) при при 25°C, нс: 22.5
Время задержки выключения (td(off)) при при 25°C, нс: 116
Рабочая температура (Tj), °C: -55…+150
Корпус: to-220fp
Добавить к сравнению
2-3 недели,
871 шт.
170 руб. ×
от 10 шт. — 132 руб.
от 100 шт. — 100 руб.
STGF19NC60HD, Транзистор IGBT N-канал 600В 9А [TO-220FP]
5 дней, 954 шт.
Пр-во: ST Microelectronics
Технология/семейство: powermesh
Наличие встроенного диода: да
Максимальное напряжение КЭ ,В: 600
Максимальный ток КЭ при 25°C, A: 16
Импульсный ток коллектора (Icm), А: 60
Напряжение насыщения при номинальном токе, В: 2.5
Максимальная рассеиваемая мощность, Вт: 32
Время задержки включения (td(on)) при при 25°C, нс: 25
Время задержки выключения (td(off)) при при 25°C, нс: 97
Рабочая температура (Tj), °C: -55…+150
Корпус: to-220fp
Добавить к сравнению
5 дней,
954 шт.
140 руб. ×
от 15 шт. — 120 руб.
от 29 шт. — 105 руб.
STGW19NC60HD, Трпнзистор IGBT, 600В, 42А, 140Вт, [TO-247]
2-3 недели, 515 шт.
Пр-во: ST Microelectronics
Технология/семейство: powermesh
Наличие встроенного диода: да
Максимальное напряжение КЭ ,В: 600
Максимальный ток КЭ при 25°C, A: 42
Импульсный ток коллектора (Icm), А: 60
Напряжение насыщения при номинальном токе, В: 2.5
Максимальная рассеиваемая мощность, Вт: 140
Время задержки включения (td(on)) при при 25°C, нс: 25
Время задержки выключения (td(off)) при при 25°C, нс: 97
Рабочая температура (Tj), °C: -55…+150
Корпус: to-220
Добавить к сравнению
2-3 недели,
515 шт.
280 руб. ×
от 10 шт. — 206 руб.
от 100 шт. — 165 руб.
STGW30NC60KD
5 дней, 97 шт.
Пр-во: ST Microelectronics
Добавить к сравнению
5 дней,
97 шт.
130 руб. ×
от 16 шт. — 110 руб.
от 30 шт. — 98 руб.
STGB10NB37LZT4
1332 шт.
Пр-во: ST Microelectronics
Добавить к сравнению
1332 шт.
110 руб. ×
от 65 шт. — 93.20 руб.
Страницы Ctrl ← предыдущая Ctrl → следующая