IGBT транзисторы ST Microelectronics 48 из 332

Спецпредложение
Сортировка: Рекомендуем Хиты продаж Дешевле Дороже Наличие
Производители
Структура
Максимальное напряжение кэ ,В
Максимальный ток кэ при 25 гр. С,A
Мощность макс.,Вт
Крутизна характеристики, S
Корпус
Наличие в магазинах
Москва
Санкт-Петербург
Волгоград
Воронеж
Екатеринбург
Казань
Калуга
Краснодар
Нижний Новгород
Новосибирск
Омск
Пермь
Рязань
Самара
Симферополь
Тверь
Тула
Уфа
Челябинск
Цена
Мин. цена
Макс. цена
 
 
STGB10NB37LZ, IGBT 425В 20А, [D2-PAK]
Со склада
Пр-во: ST Microelectronics
Структура: n-канал
Максимальное напряжение кэ ,В: 425
Максимальный ток кэ при 25 гр. С,A: 20
Мощность макс.,Вт: 125
Крутизна характеристики, S: 18
Корпус: d2pak
Добавить к сравнению
Со склада
120
от 5 шт. — 99
от 50 шт. — 97.20
STGB10NB37LZT4, [D2-Pak]
Со склада
Пр-во: ST Microelectronics
Структура: n-канал+диод
Максимальное напряжение кэ ,В: 400
Максимальный ток кэ при 25 гр. С,A: 10
Мощность макс.,Вт: 125
Корпус: d2pak
Добавить к сравнению
Со склада
140
от 15 шт. — 120
от 150 шт. — 111
STGD18N40LZT4, IGBT транзистор, 400V, 25A, [DPAK]
Со склада
Пр-во: ST Microelectronics
Максимальное напряжение кэ ,В: 390
Максимальный ток кэ при 25 гр. С,A: 25
Мощность макс.,Вт: 125
Корпус: dpak
Добавить к сравнению
Со склада
80
от 25 шт. — 77
от 250 шт. — 76
STGW20NC60VD, IGBT 50КГц/30А/600В диод TO-247
Со склада
Пр-во: ST Microelectronics
Структура: n-канал
Максимальное напряжение кэ ,В: 600
Максимальный ток кэ при 25 гр. С,A: 60
Мощность макс.,Вт: 200
Крутизна характеристики, S: 15
Корпус: to-247
Добавить к сравнению
Со склада
100
от 25 шт. — 93
от 30 шт. — 83
STGW35HF60WD, IGBT 600В 60А 200Вт TO-247
Со склада
Пр-во: ST Microelectronics
Структура: n-канал
Максимальное напряжение кэ ,В: 600
Максимальный ток кэ при 25 гр. С,A: 60
Мощность макс.,Вт: 200
Корпус: to-247
Добавить к сравнению
Со склада
220
от 5 шт. — 210
от 50 шт. — 190
STGW38IH130D, IGBT, 1300V, 63A, 250W, [TO-247]
Со склада
Пр-во: ST Microelectronics
Добавить к сравнению
Со склада
150
от 10 шт. — 144
от 100 шт. — 142
STGW45HF60WD, IGBT 100КГц/45А/600В TO247
Со склада
Пр-во: ST Microelectronics
Структура: n-канал+диод
Максимальное напряжение кэ ,В: 600
Максимальный ток кэ при 25 гр. С,A: 45
Мощность макс.,Вт: 250
Корпус: to-247
Добавить к сравнению
Со склада
280
от 5 шт. — 270
от 50 шт. — 250
STGB10NC60HDT4, Транзистор IGBT N-CH 600V 20A [D2PAK]
5 дней
Пр-во: ST Microelectronics
Добавить к сравнению
5 дней
65
от 50 шт. — 32
от 200 шт. — 24.61
STGD3NB60SDT4
5 дней
Пр-во: ST Microelectronics
Добавить к сравнению
5 дней
58
от 50 шт. — 27
от 250 шт. — 21.55
STGF14NC60KD
5 дней
Пр-во: ST Microelectronics
Структура: n-канал
Максимальное напряжение кэ ,В: 600
Максимальный ток кэ при 25 гр. С,A: 25
Мощность макс.,Вт: 80
Корпус: to220fp
Добавить к сравнению
5 дней
90
от 50 шт. — 41
STGF19NC60HD, Транзистор IGBT N-канал 600В 9А [TO220FP]
Со склада
Пр-во: ST Microelectronics
Добавить к сравнению
Со склада
93
от 3 шт. — 85
от 30 шт. — 81.90
STGB10NC60KDT4
5 дней
Пр-во: ST Microelectronics
Добавить к сравнению
5 дней
70
от 50 шт. — 36
от 100 шт. — 27.36
STGB20NB37LZT4
5 дней
Пр-во: ST Microelectronics
Добавить к сравнению
5 дней
190
от 10 шт. — 110
от 40 шт. — 77
STGB6NC60HDT4
5 дней
Пр-во: ST Microelectronics
Добавить к сравнению
5 дней
97
STGB7NC60HDT4
5 дней
Пр-во: ST Microelectronics
Добавить к сравнению
5 дней
87
от 50 шт. — 40
от 100 шт. — 33.28
STGB8NC60KDT4
5 дней
Пр-во: ST Microelectronics
Добавить к сравнению
5 дней
100
от 20 шт. — 45
STGD14NC60KT4
5 дней
Пр-во: ST Microelectronics
Добавить к сравнению
5 дней
97
от 50 шт. — 42
от 250 шт. — 32.93
STGD5NB120SZ-1
5 дней
Пр-во: ST Microelectronics
Добавить к сравнению
5 дней
94
от 10 шт. — 66
STGD6NC60HDT4
5 дней
Пр-во: ST Microelectronics
Добавить к сравнению
5 дней
73
от 50 шт. — 34
от 250 шт. — 27.76
STGF10NB60SD
5 дней
Пр-во: ST Microelectronics
Добавить к сравнению
5 дней
140
от 10 шт. — 78
от 50 шт. — 61.65
Страницы Ctrl ← предыдущая Ctrl → следующая