Транзисторы биполярные с изолированным затвором без диода77 из более 1000

Спецпредложения
Сортировка: РекомендуемХиты продажДешевлеДороже
Производители
Технология/семейство
Наличие встроенного диода
Максимальное напряжение КЭ ,В
Максимальный ток КЭ при 25°C, A
Импульсный ток коллектора (Icm), А
Напряжение насыщения при номинальном токе, В
Максимальная рассеиваемая мощность, Вт
Время задержки включения (td(on)) при при 25°C, нс
Время задержки выключения (td(off)) при при 25°C, нс
Рабочая температура (Tj), °C
Корпус
Наличие в магазинах
Москва
Санкт-Петербург
Алматы
Архангельск
Астрахань
Барнаул
Белгород
Владимир
Волгоград
Вологда
Воронеж
Гомель
Екатеринбург
Иваново
Ижевск
Казань
Калуга
Кемерово
Киров
Кострома
Краснодар
Красноярск
Курган
Курск
Липецк
Минск
Набережные Челны
Нижний Новгород
Новосибирск
Омск
Орёл
Пермь
Псков
Ростов-на-Дону
Рязань
Самара
Саранск
Саратов
Смоленск
Ставрополь
Тверь
Томск
Тула
Тюмень
Уфа
Чебоксары
Челябинск
Ярославль
Цена
Мин. цена руб.
Макс. цена руб.
 
 
GT30J127 Formed Leads, Транзистор, IGBT, 600В, 30А [TO-220SIS]
194 шт.
Пр-во: Toshiba
Технология/семейство: gen6
Наличие встроенного диода: нет
Максимальное напряжение КЭ ,В: 600
Импульсный ток коллектора (Icm), А: 200
Максимальная рассеиваемая мощность, Вт: 25
Корпус: TO-220SIS
быстрый просмотр
194 шт.
140 руб. ×
от 15 шт. — 126 руб.
от 150 шт. — 120 руб.
HGTG20N60A4, IGBT 600В 70А [TO-247]
1363 шт.
Пр-во: ON Semiconductor
Технология/семейство: SMPS
Наличие встроенного диода: нет
Максимальное напряжение КЭ ,В: 600
Максимальный ток КЭ при 25°C, A: 70
Импульсный ток коллектора (Icm), А: 280
Напряжение насыщения при номинальном токе, В: 2.7
Максимальная рассеиваемая мощность, Вт: 290
Время задержки включения (td(on)) при при 25°C, нс: 15
Время задержки выключения (td(off)) при при 25°C, нс: 73
Рабочая температура (Tj), °C: -55…+150
Корпус: to-247
быстрый просмотр
1363 шт.
370 руб. ×
от 15 шт. — 360 руб.
от 150 шт. — 358 руб.
HGTG20N60B3 [HG20N60B3], Транзистор IGBT UFS 600В 40А 165Вт [TO-247AC]
194 шт.
Пр-во: ON Semiconductor
Технология/семейство: ufs
Наличие встроенного диода: нет
Максимальное напряжение КЭ ,В: 600
Максимальный ток КЭ при 25°C, A: 40
Импульсный ток коллектора (Icm), А: 160
Напряжение насыщения при номинальном токе, В: 2
Максимальная рассеиваемая мощность, Вт: 165
Рабочая температура (Tj), °C: -40…+150
Корпус: to-247
быстрый просмотр
194 шт.
270 руб. ×
от 15 шт. — 237 руб.
от 150 шт. — 234 руб.
HGTG30N60A4, IGBT 600В 75А, [TO-247]
2042 шт.
Пр-во: ON Semiconductor
Технология/семейство: SMPS
Наличие встроенного диода: нет
Максимальное напряжение КЭ ,В: 600
Максимальный ток КЭ при 25°C, A: 75
Импульсный ток коллектора (Icm), А: 240
Напряжение насыщения при номинальном токе, В: 2.6
Максимальная рассеиваемая мощность, Вт: 463
Время задержки включения (td(on)) при при 25°C, нс: 25
Время задержки выключения (td(off)) при при 25°C, нс: 150
Рабочая температура (Tj), °C: -55…+150
Корпус: to-247
быстрый просмотр
2042 шт.
390 руб. ×
от 15 шт. — 372 руб.
от 150 шт. — 370 руб.
IGW25T120FKSA1 (G25T120), Транзистор IGBT Chip N-CH 1200В 25А 190Вт [PG-TO-247-3]
173 шт.
Пр-во: Infineon
Технология/семейство: trench and fieldstop
Наличие встроенного диода: нет
Максимальное напряжение КЭ ,В: 1200
Максимальный ток КЭ при 25°C, A: 50
Импульсный ток коллектора (Icm), А: 75
Напряжение насыщения при номинальном токе, В: 2.2
Максимальная рассеиваемая мощность, Вт: 190
Время задержки включения (td(on)) при при 25°C, нс: 50
Время задержки выключения (td(off)) при при 25°C, нс: 560
Рабочая температура (Tj), °C: -40…+150
Корпус: pg-to-247-3
быстрый просмотр
173 шт.
330 руб. ×
от 15 шт. — 308 руб.
от 150 шт. — 305 руб.
IGW40T120FKSA1 (G40T120), Транзистор IGBT Chip N-CH 1200В 40А 270Вт [PG-TO-247-3] (замена BUP314)
455 шт.
Пр-во: Infineon
Технология/семейство: trench and fieldstop
Наличие встроенного диода: нет
Максимальное напряжение КЭ ,В: 1200
Максимальный ток КЭ при 25°C, A: 75
Импульсный ток коллектора (Icm), А: 105
Напряжение насыщения при номинальном токе, В: 2.3
Максимальная рассеиваемая мощность, Вт: 270
Время задержки включения (td(on)) при при 25°C, нс: 48
Время задержки выключения (td(off)) при при 25°C, нс: 480
Рабочая температура (Tj), °C: -40…+150
Корпус: pg-to-247-3
быстрый просмотр
455 шт.
450 руб. ×
от 15 шт. — 437 руб.
от 150 шт. — 434 руб.
IGW60T120FKSA1 (G60T120), Транзистор IGBT Chip N-CH 1200В 60А 375Вт [PG-TO-247-3]
388 шт.
Пр-во: Infineon
Технология/семейство: trench and fieldstop
Наличие встроенного диода: нет
Максимальное напряжение КЭ ,В: 1200
Максимальный ток КЭ при 25°C, A: 100
Импульсный ток коллектора (Icm), А: 150
Напряжение насыщения при номинальном токе, В: 2.4
Максимальная рассеиваемая мощность, Вт: 375
Время задержки включения (td(on)) при при 25°C, нс: 50
Время задержки выключения (td(off)) при при 25°C, нс: 480
Рабочая температура (Tj), °C: -40…+150
Корпус: pg-to-247-3
быстрый просмотр
388 шт.
540 руб. ×
от 3 шт. — 515 руб.
от 30 шт. — 510 руб.
IRGP4063PBF, IGBT 600В 96А 8-30кГЦ [TO-247AC]
163 шт.
Пр-во: Infineon
Технология/семейство: trench
Наличие встроенного диода: нет
Максимальное напряжение КЭ ,В: 600
Максимальный ток КЭ при 25°C, A: 96
Импульсный ток коллектора (Icm), А: 144
Напряжение насыщения при номинальном токе, В: 2.14
Максимальная рассеиваемая мощность, Вт: 330
Время задержки включения (td(on)) при при 25°C, нс: 60
Время задержки выключения (td(off)) при при 25°C, нс: 145
Рабочая температура (Tj), °C: -55…+175
Корпус: to-247ac
быстрый просмотр
163 шт.
540 руб. ×
от 15 шт. — 526 руб.
от 150 шт. — 525 руб.
ISL9V3040D3ST, Транзистор IGBT 430В 21A [TO-252AA]
95 шт.
Пр-во: ON Semiconductor
Технология/семейство: ignition
Наличие встроенного диода: нет
Максимальное напряжение КЭ ,В: 430
Максимальный ток КЭ при 25°C, A: 21
Напряжение насыщения при номинальном токе, В: 1.6
Максимальная рассеиваемая мощность, Вт: 150
Время задержки выключения (td(off)) при при 25°C, нс: 4800
Рабочая температура (Tj), °C: -40…+175
Корпус: d-pak
быстрый просмотр
95 шт.
240 руб. ×
от 15 шт. — 232 руб.
от 150 шт. — 231 руб.
ISL9V3040S3ST, Транзистор IGBT 400В 21А [D2-PAK/ TO-263AB]
1377 шт.
Пр-во: ON Semiconductor
Технология/семейство: ignition
Наличие встроенного диода: нет
Максимальное напряжение КЭ ,В: 430
Максимальный ток КЭ при 25°C, A: 21
Напряжение насыщения при номинальном токе, В: 1.6
Максимальная рассеиваемая мощность, Вт: 150
Время задержки выключения (td(off)) при при 25°C, нс: 4800
Рабочая температура (Tj), °C: -40…+175
Корпус: d2-pak
быстрый просмотр
1377 шт.
150 руб. ×
от 15 шт. — 138 руб.
от 150 шт. — 137 руб.
SGP02N120XKSA1 (GP02N120), Транзистор IGBT 1200В 6.2А 62Вт [TO-220]
107 шт.
Пр-во: Infineon
Технология/семейство: npt
Наличие встроенного диода: нет
Максимальное напряжение КЭ ,В: 1200
Максимальный ток КЭ при 25°C, A: 6.2
Импульсный ток коллектора (Icm), А: 9.6
Напряжение насыщения при номинальном токе, В: 3.6
Максимальная рассеиваемая мощность, Вт: 62
Время задержки включения (td(on)) при при 25°C, нс: 23
Время задержки выключения (td(off)) при при 25°C, нс: 260
Рабочая температура (Tj), °C: -55…+150
Корпус: pg-to-220-3-1
быстрый просмотр
107 шт.
240 руб. ×
от 15 шт. — 222 руб.
от 150 шт. — 221 руб.
SGP07N120XKSA1 (GP07N120), FastIGBT 1200В 8A, [TO-220]
61 шт.
Пр-во: Infineon
Технология/семейство: npt
Наличие встроенного диода: нет
Максимальное напряжение КЭ ,В: 1200
Максимальный ток КЭ при 25°C, A: 16.5
Импульсный ток коллектора (Icm), А: 27
Напряжение насыщения при номинальном токе, В: 3.6
Максимальная рассеиваемая мощность, Вт: 125
Время задержки включения (td(on)) при при 25°C, нс: 27
Время задержки выключения (td(off)) при при 25°C, нс: 440
Рабочая температура (Tj), °C: -55…+150
Корпус: pg-to-220-3-1
быстрый просмотр
61 шт.
230 руб. ×
от 15 шт. — 220 руб.
от 150 шт. — 219 руб.
SGP15N120XKSA1 (GP15N120), Биполярный транзистор IGBT, 1200 В, 30 А, 198 Вт, (замена для BUP213), [TO-220]
203 шт.
Пр-во: Infineon
Технология/семейство: npt
Наличие встроенного диода: нет
Максимальное напряжение КЭ ,В: 1200
Максимальный ток КЭ при 25°C, A: 30
Импульсный ток коллектора (Icm), А: 52
Напряжение насыщения при номинальном токе, В: 3.6
Максимальная рассеиваемая мощность, Вт: 198
Время задержки включения (td(on)) при при 25°C, нс: 18
Время задержки выключения (td(off)) при при 25°C, нс: 580
Рабочая температура (Tj), °C: -55…+150
Корпус: pg-to-220-3-1
быстрый просмотр
203 шт.
380 руб. ×
от 15 шт. — 359 руб.
от 150 шт. — 358 руб.
SGW25N120FKSA1, Транзистор IGBT, NPT, 1200В, 25А [PG-TO-247-3]
468 шт.
Пр-во: Infineon
Технология/семейство: npt
Наличие встроенного диода: нет
Максимальное напряжение КЭ ,В: 1200
Максимальный ток КЭ при 25°C, A: 46
Импульсный ток коллектора (Icm), А: 84
Напряжение насыщения при номинальном токе, В: 3.6
Максимальная рассеиваемая мощность, Вт: 313
Время задержки включения (td(on)) при при 25°C, нс: 45
Время задержки выключения (td(off)) при при 25°C, нс: 730
Рабочая температура (Tj), °C: -55…+150
Корпус: pg-to-247-3
быстрый просмотр
468 шт.
680 руб. ×
от 15 шт. — 653 руб.
от 150 шт. — 651 руб.
STGB10NB37LZT4, Биполярный транзистор IGBT, 440 В, 20 А, 125 Вт, [D2-PAK]
167 шт.
Пр-во: ST Microelectronics
Технология/семейство: powermesh, internally clamped
Наличие встроенного диода: нет
Максимальное напряжение КЭ ,В: 440
Максимальный ток КЭ при 25°C, A: 20
Импульсный ток коллектора (Icm), А: 40
Напряжение насыщения при номинальном токе, В: 1.8
Максимальная рассеиваемая мощность, Вт: 125
Время задержки включения (td(on)) при при 25°C, нс: 1300
Время задержки выключения (td(off)) при при 25°C, нс: 8000
Рабочая температура (Tj), °C: -65…+175
Корпус: d2-pak
быстрый просмотр
167 шт.
170 руб. ×
от 15 шт. — 167 руб.
от 150 шт. — 161 руб.
STGD18N40LZT4, IGBT транзистор, 400V, 25A, [D-PAK]
702 шт.
Пр-во: ST Microelectronics
Технология/семейство: powermesh, internally clamped
Наличие встроенного диода: нет
Максимальное напряжение КЭ ,В: 420
Максимальный ток КЭ при 25°C, A: 25
Импульсный ток коллектора (Icm), А: 40
Напряжение насыщения при номинальном токе, В: 1.7
Максимальная рассеиваемая мощность, Вт: 125
Время задержки включения (td(on)) при при 25°C, нс: 650
Время задержки выключения (td(off)) при при 25°C, нс: 13500
Рабочая температура (Tj), °C: -55…+175
Корпус: d-pak
быстрый просмотр
702 шт.
200 руб. ×
от 15 шт. — 187 руб.
от 150 шт. — 186 руб.
HGTG40N60B3, Транзистор, UFS IGBT, N-канал, 70А, 600В, [TO-247]
142 шт.
Пр-во: Fairchild
Технология/семейство: ufs
Наличие встроенного диода: нет
Максимальное напряжение КЭ ,В: 600
Максимальный ток КЭ при 25°C, A: 70
Импульсный ток коллектора (Icm), А: 330
Напряжение насыщения при номинальном токе, В: 2
Максимальная рассеиваемая мощность, Вт: 290
Время задержки включения (td(on)) при при 25°C, нс: 47
Время задержки выключения (td(off)) при при 25°C, нс: 170
Рабочая температура (Tj), °C: -55…+150
Корпус: to-247
быстрый просмотр
142 шт.
730 руб. ×
от 15 шт. — 719 руб.
от 150 шт. — 716 руб.
IRG4BC30FPBF, IGBT 600В 31А 5кГц, [TO-220AB]
117 шт.
Пр-во: IR
Технология/семейство: gen4
Наличие встроенного диода: нет
Максимальное напряжение КЭ ,В: 600
Максимальный ток КЭ при 25°C, A: 31
Импульсный ток коллектора (Icm), А: 124
Напряжение насыщения при номинальном токе, В: 1.8
Максимальная рассеиваемая мощность, Вт: 100
Время задержки включения (td(on)) при при 25°C, нс: 21
Время задержки выключения (td(off)) при при 25°C, нс: 200
Рабочая температура (Tj), °C: -55…+150
Корпус: TO-220AB
быстрый просмотр
117 шт.
100 руб. ×
от 15 шт. — 95 руб.
от 150 шт. — 92 руб.
IRG4BC30WPBF, Транзистор IGBT N-канал 600В 23А [TO-220AB]
297 шт.
Пр-во: Infineon
Технология/семейство: gen4
Наличие встроенного диода: нет
Максимальное напряжение КЭ ,В: 600
Максимальный ток КЭ при 25°C, A: 23
Импульсный ток коллектора (Icm), А: 92
Напряжение насыщения при номинальном токе, В: 2.7
Максимальная рассеиваемая мощность, Вт: 100
Время задержки включения (td(on)) при при 25°C, нс: 25
Время задержки выключения (td(off)) при при 25°C, нс: 99
Рабочая температура (Tj), °C: -55…+150
Корпус: TO-220AB
быстрый просмотр
297 шт.
140 руб. ×
от 15 шт. — 137 руб.
от 150 шт. — 136 руб.
IRG4BC40SPBF, Транзистор, IGBT 600В 31А 1кГц [TO-220AB]
6 шт.
Пр-во: IR
Технология/семейство: gen4
Наличие встроенного диода: нет
Максимальное напряжение КЭ ,В: 600
Максимальный ток КЭ при 25°C, A: 60
Импульсный ток коллектора (Icm), А: 120
Напряжение насыщения при номинальном токе, В: 1.5
Максимальная рассеиваемая мощность, Вт: 160
Время задержки включения (td(on)) при при 25°C, нс: 22
Время задержки выключения (td(off)) при при 25°C, нс: 650
Рабочая температура (Tj), °C: -55…+150
Корпус: TO-220AB
быстрый просмотр
6 шт.
190 руб. ×
от 10 шт. — 185 руб.
от 100 шт. — 183 руб.
Страницы Ctrl ← предыдущая Ctrl → следующая
Товаров на странице
  • 20
  • 40
  • 60