HGTG30N60A4, Транзистор IGBT 600В 75А, [TO-247]

Фото 2/7 HGTG30N60A4, Транзистор IGBT 600В 75А, [TO-247]Фото 3/7 HGTG30N60A4, Транзистор IGBT 600В 75А, [TO-247]Фото 4/7 HGTG30N60A4, Транзистор IGBT 600В 75А, [TO-247]Фото 5/7 HGTG30N60A4, Транзистор IGBT 600В 75А, [TO-247]Фото 6/7 HGTG30N60A4, Транзистор IGBT 600В 75А, [TO-247]Фото 7/7 HGTG30N60A4, Транзистор IGBT 600В 75А, [TO-247]
Фото 1/7 HGTG30N60A4, Транзистор IGBT 600В 75А, [TO-247]
1781 шт. со склада г.Москва
390 руб.
от 15 шт.372 руб.
от 150 шт.370 руб.
Добавить в корзину 1 шт. на сумму 390 руб.
В кредит от 0 руб./мес
Номенклатурный номер: 9000047217
Артикул: HGTG30N60A4
Страна происхождения: КИТАЙ
Производитель: ON Semiconductor

Описание

Корпус TO-247-3

Технические параметры

Технология/семейство SMPS
Наличие встроенного диода нет
Максимальное напряжение КЭ ,В 600
Максимальный ток КЭ при 25°C, A 75
Импульсный ток коллектора (Icm), А 240
Напряжение насыщения при номинальном токе, В 2.6
Максимальная рассеиваемая мощность, Вт 463
Время задержки включения (td(on)) при при 25°C, нс 25
Время задержки выключения (td(off)) при при 25°C, нс 150
Рабочая температура (Tj), °C -55…+150
Корпус to-247
Структура n-канал
Управляющее напряжение,В 7
Вес, г 7.5

Техническая документация

HGTG30N60A4 datasheet
pdf, 197 КБ
HGTG30N60A4 datasheet
pdf, 197 КБ
Datasheet HGTG30N60A4
pdf, 389 КБ
Datasheet HGTG30N60A4
pdf, 357 КБ
Datasheet HGTG30N60A4
pdf, 373 КБ
Datasheet HGTG30N60A4
pdf, 372 КБ
HGTG30N60A4_D
pdf, 370 КБ

Дополнительная информация

SMD справочник
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов

Сроки доставки

Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.

Цена и наличие в магазинах