ISL9V3040D3ST, Транзистор IGBT 430В 21A [TO-252AA]
![Фото 1/3 ISL9V3040D3ST, Транзистор IGBT 430В 21A [TO-252AA]](https://static.chipdip.ru/lib/294/DOC005294472.jpg)
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
490 руб.
от 15 шт. —
462 руб.
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 490 руб.
Описание
The Insulated Gate Bipolar Transistor or IGBT is a three-terminal power semiconductor device, noted for high efficiency and fast switching.
Технические параметры
| Технология/семейство | Ignition | |
| Наличие встроенного диода | Нет | |
| Максимальное напряжение КЭ ,В | 430 | |
| Максимальный ток КЭ при 25°C, A | 21 | |
| Напряжение насыщения при номинальном токе, В | 1.6 | |
| Максимальная рассеиваемая мощность, Вт | 150 | |
| Время задержки выключения (td(off)) при при 25°C, нс | 4800 | |
| Рабочая температура (Tj), °C | -40…+175 | |
| Корпус | DPAK/TO-252AA | |
| Вес, г | 0.4 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 1680 КБ
Datasheet
pdf, 326 КБ
Документация
pdf, 476 КБ
Datasheet ISL9V3040
pdf, 475 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы биполярные с изолированным затвором (IGBTs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
С этим товаром покупают
