STGB7NC60HDT4
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
1 шт. со склада г.Москва, срок 9-10 дней
840 руб.
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 840 руб.
Альтернативные предложения3
Описание
Электроэлемент
Описание Биполярный транзистор IGBT, 50 КГц, 14 А, 600 В Характеристики Категория | Транзистор |
Тип | БТИЗ |
Вид | IGBT |
Технические параметры
Brand | STMicroelectronics |
Collector- Emitter Voltage VCEO Max | 600 V |
Collector-Emitter Saturation Voltage | 2.5 V |
Configuration | Single |
Continuous Collector Current | 14 A |
Continuous Collector Current at 25 C | 10 A |
Continuous Collector Current Ic Max | 25 A |
Factory Pack Quantity | 1000 |
Gate-Emitter Leakage Current | +/-100 nA |
Height | 4.6 mm |
Length | 10.28 mm |
Manufacturer | STMicroelectronics |
Maximum Gate Emitter Voltage | +/-20 V |
Maximum Operating Temperature | +150 C |
Minimum Operating Temperature | -55 C |
Mounting Style | SMD/SMT |
Package / Case | D2PAK-3 |
Packaging | Reel |
Pd - Power Dissipation | 25 W |
Product Category | IGBT Transistors |
RoHS | Details |
Series | STGB7NC60HD |
Technology | Si |
Width | 9.35 mm |
Collector Emitter Saturation Voltage | 2.5В |
Collector Emitter Voltage Max | - |
Power Dissipation | 80Вт |
Количество Выводов | 3вывод(-ов) |
Линейка Продукции | - |
Максимальная Рабочая Температура | 150°C |
Монтаж транзистора | Surface Mount |
Стиль Корпуса Транзистора | TO-263(D2PAK) |
Уровень Чувствительности к Влажности (MSL) | MSL 1-Безлимитный |
Brand: | STMicroelectronics |
Collector- Emitter Voltage VCEO Max: | 600 V |
Collector-Emitter Saturation Voltage: | 2.5 V |
Configuration: | Single |
Continuous Collector Current at 25 C: | 10 A |
Continuous Collector Current Ic Max: | 25 A |
Continuous Collector Current: | 14 A |
Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 1000 |
Gate-Emitter Leakage Current: | +/-100 nA |
Manufacturer: | STMicroelectronics |
Maximum Gate Emitter Voltage: | -20 V, 20 V |
Maximum Operating Temperature: | +150 C |
Minimum Operating Temperature: | -55 C |
Mounting Style: | SMD/SMT |
Package / Case: | D2PAK-3 |
Pd - Power Dissipation: | 25 W |
Product Category: | IGBT Transistors |
Product Type: | IGBT Transistors |
Series: | STGB7NC60HD |
Subcategory: | IGBTs |
Technology: | Si |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 1339 КБ
Документация
pdf, 1358 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы биполярные с изолированным затвором (IGBTs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.