ADP3110AKCPZ-RL, Драйвер МОП-транзистора, высокой стороны и низкой стороны, питание 4.6В-13.2В, 1А, 20нс, [DFN-8]

Фото 2/3 ADP3110AKCPZ-RL, Драйвер МОП-транзистора, высокой стороны и низкой стороны, питание 4.6В-13.2В, 1А, 20нс, [DFN-8]Фото 3/3 ADP3110AKCPZ-RL, Драйвер МОП-транзистора, высокой стороны и низкой стороны, питание 4.6В-13.2В, 1А, 20нс, [DFN-8]
Фото 1/3 ADP3110AKCPZ-RL, Драйвер МОП-транзистора, высокой стороны и низкой стороны, питание 4.6В-13.2В, 1А, 20нс, [DFN-8]
78 шт. со склада г.Москва
Ожидается на склад г.Москва: 23 июля 2021 г. — 200 шт.
55 руб.
от 5 шт.45 руб.
от 50 шт.42 руб.
Добавить в корзину 1 шт. на сумму 55 руб.
В кредит от 0 руб./мес
Номенклатурный номер: 9000373028
Артикул: ADP3110AKCPZ-RL
Производитель: ON Semiconductor

Описание

The ADP3110AKCPZ-RL is a 12V dual bootstrapped MOSFET Driver with output disable function. The MOSFET gate driver optimized to drive the gates of both high-side and low-side power MOSFETs in a synchronous buck converter. The high-side & low-side driver is capable of driving a 3000pF load with a 25ns propagation delay and a 30ns transition time. With a wide operating voltage range, high or low-side MOSFET gate drive voltage can be optimized for the best efficiency. Internal adaptive non-overlap circuitry further reduces switching losses by preventing simultaneous conduction of both MOSFETs. The floating top driver design can accommodate VBST voltages as high as 35V, with transient voltage as high as 40V. Both gate outputs can be driven low by applying a low logic level to the output disable (OD) pin. An under-voltage lockout function ensures that both driver outputs are low when the supply voltage is low and a thermal shutdown function provides the IC with over-temperature protectio

• All-in-one synchronous buck driver
• Bootstrapped high-side drive
• One PWM signal generates both drives
• Anti-cross conduction protection circuitry

Технические параметры

Конфигурация half-bridge
Тип канала синхронный
Кол-во каналов 2
Тип управляемого затвора N-CH MOSFET
Напряжение питания, В 4.6…13.2
Логическое напряжение (VIL), В 0.8
Логическое напряжение (VIH), В 2
Тип входа Инвертирующий, Неинвертирующий
Максимальное напряжение смещения, В 35
Номинальное время нарастания (Rise Time), нс 20
Номинальное время затухания (Fall Time), нс 11
Рабочая температура, °C 0…+150 (TJ)
Корпус DFN-8 EP (3x3)
Вес, г 0.04

Техническая документация

ADP3110A
pdf, 127 КБ

Дополнительная информация

Datasheet ADP3110AKCPZ-RL
Datasheet ADP3110AKCPZ-RL
SMD справочник
Типы корпусов импортных микросхем

Сроки доставки

Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.

Цена и наличие в магазинах