Сортировка:
РекомендуемХиты продажДешевлеДорожеКоличество
369 шт.
Бренд: ST Microelectronics
Конфигурация: Half-Bridge
Тип канала: независимый
Кол-во каналов: 2
Тип управляемого затвора: IGBT, N-CH MOSFET
Напряжение питания, В: 17(Max)
Логическое напряжение (VIL), В: 1.1
Логическое напряжение (VIH), В: 1.8
Пиковый выходной ток нарастания (Source), А: 0.4
Пиковый выходной ток спада (Sink), А: 0.65
Тип входа: инвертирующий
Максимальное напряжение смещения, В: 600
Номинальное время нарастания (Rise Time), нс: 70
Номинальное время затухания (Fall Time), нс: 40
Рабочая температура, °C: -40…+150(TJ)
Корпус: SOIC-8(0.154 inch)
|
быстрый просмотр | 369 шт. |
240 руб. × |
от 5 шт. — 220 руб.
|