Драйверы MOSFET и IGBT

4 из более 1000
Сортировка: РекомендуемХиты продажДешевлеДорожеКоличество
Бренд
сбросить
Конфигурация
сбросить
Тип канала
сбросить
Кол-во каналов
сбросить
Тип управляемого затвора
сбросить
Напряжение питания, В
сбросить
Логическое напряжение (VIL), В
сбросить
Логическое напряжение (VIH), В
сбросить
Пиковый выходной ток нарастания (Source), А
сбросить
Пиковый выходной ток спада (Sink), А
сбросить
Тип входа
сбросить
Максимальное напряжение смещения, В
сбросить
Номинальное время нарастания (Rise Time), нс
сбросить
Номинальное время затухания (Fall Time), нс
сбросить
Рабочая температура, °C
сбросить
Корпус
сбросить
Товары в наличии
Москва
Санкт-Петербург
Архангельск
Астрахань
Барнаул
Белгород
Брянск
Владимир
Волгоград
Вологда
Воронеж
Екатеринбург
Иваново
Ижевск
Иркутск
Йошкар‑Ола
Казань
Калуга
Кемерово
Киров
Кострома
Краснодар
Красноярск
Курган
Курск
Липецк
Набережные Челны
Нижний Новгород
Новосибирск
Омск
Орёл
Оренбург
Пенза
Пермь
Псков
Ростов-на-Дону
Рязань
Самара
Саранск
Саратов
Смоленск
Ставрополь
Сургут
Тамбов
Тверь
Томск
Тула
Тюмень
Ульяновск
Уфа
Хабаровск
Чебоксары
Челябинск
Ярославль
Цена, руб.
Мин. цена
Макс. цена
IR2130PBF, Трехфазный мостовой драйвер, [DIP-28]
Бренд: Infineon
Конфигурация: Half-Bridge
Тип канала: 3-фазный
Кол-во каналов: 6
Тип управляемого затвора: IGBT, N-CH MOSFET
Напряжение питания, В: 10…20
Логическое напряжение (VIL), В: 0.8
Логическое напряжение (VIH), В: 2.2
Пиковый выходной ток нарастания (Source), А: 0.25
Пиковый выходной ток спада (Sink), А: 0.5
Тип входа: инвертирующий
Максимальное напряжение смещения, В: 600
Номинальное время нарастания (Rise Time), нс: 80
Номинальное время затухания (Fall Time), нс: 35
Рабочая температура, °C: -40…+150(TJ)
Корпус: dip-28(0.600 inch)
быстрый просмотр
1 280 руб. ×
от 5 шт. — 1 240 руб.
IR2130SPBF, Трехфазный мостовой драйвер, [SO-28]
Бренд: Infineon
Конфигурация: Half-Bridge
Тип канала: 3-фазный
Кол-во каналов: 6
Тип управляемого затвора: IGBT, N-CH MOSFET
Напряжение питания, В: 10…20
Логическое напряжение (VIL), В: 0.8
Логическое напряжение (VIH), В: 2.2
Пиковый выходной ток нарастания (Source), А: 0.25
Пиковый выходной ток спада (Sink), А: 0.5
Тип входа: инвертирующий
Максимальное напряжение смещения, В: 600
Номинальное время нарастания (Rise Time), нс: 80
Номинальное время затухания (Fall Time), нс: 35
Рабочая температура, °C: -40…+150(TJ)
Корпус: dip-28(0.600 inch)
быстрый просмотр
1 280 руб. ×
от 5 шт. — 1 250 руб.
IR2132SPBF, Драйвер MOSFET/IGBT, инвертируюший вход, 6-OUT, High и Low-Side, 3-фазный мост [SOIC-28W]
Бренд: Infineon
Конфигурация: Half-Bridge
Тип канала: 3-фазный
Кол-во каналов: 6
Тип управляемого затвора: IGBT, N-CH MOSFET
Напряжение питания, В: 10…20
Логическое напряжение (VIL), В: 0.8
Логическое напряжение (VIH), В: 2.2
Пиковый выходной ток нарастания (Source), А: 0.25
Пиковый выходной ток спада (Sink), А: 0.5
Тип входа: инвертирующий
Максимальное напряжение смещения, В: 600
Номинальное время нарастания (Rise Time), нс: 80
Номинальное время затухания (Fall Time), нс: 35
Рабочая температура, °C: -40…+150(TJ)
Корпус: dip-28(0.600 inch)
быстрый просмотр
680 руб. ×
от 5 шт. — 660 руб.
L6390D, Драйвер MOSFET/IGBT, High/Low-side [SOIC-16]
694 шт.
Бренд: ST Microelectronics
Конфигурация: Half-Bridge
Тип канала: независимый
Кол-во каналов: 2
Тип управляемого затвора: IGBT, N-CH MOSFET
Напряжение питания, В: 12.5…20
Логическое напряжение (VIL), В: 1.1
Логическое напряжение (VIH), В: 1.9
Пиковый выходной ток нарастания (Source), А: 0.29
Пиковый выходной ток спада (Sink), А: 0.43
Тип входа: неинвертирующий
Максимальное напряжение смещения, В: 600
Номинальное время нарастания (Rise Time), нс: 75
Номинальное время затухания (Fall Time), нс: 35
Рабочая температура, °C: -40…+150(TJ)
Корпус: soic-16(0.154 inch)
быстрый просмотр
694 шт.
440 руб. ×
от 5 шт. — 420 руб.