Драйверы MOSFET и IGBT

22 из более 1000
Сортировка: РекомендуемХиты продажДешевлеДорожеКоличество
Бренд
сбросить
Конфигурация
сбросить
Тип канала
сбросить
Кол-во каналов
сбросить
Тип управляемого затвора
сбросить
Напряжение питания, В
сбросить
Логическое напряжение (VIL), В
сбросить
Логическое напряжение (VIH), В
сбросить
Пиковый выходной ток нарастания (Source), А
сбросить
Пиковый выходной ток спада (Sink), А
сбросить
Тип входа
сбросить
Максимальное напряжение смещения, В
сбросить
Номинальное время нарастания (Rise Time), нс
сбросить
Номинальное время затухания (Fall Time), нс
сбросить
Рабочая температура, °C
сбросить
Корпус
сбросить
Товары в наличии
Москва
Санкт-Петербург
Архангельск
Астрахань
Барнаул
Белгород
Брянск
Владимир
Волгоград
Вологда
Воронеж
Екатеринбург
Иваново
Ижевск
Иркутск
Йошкар‑Ола
Казань
Калуга
Кемерово
Киров
Кострома
Краснодар
Красноярск
Курган
Курск
Липецк
Набережные Челны
Нижний Новгород
Новосибирск
Омск
Орёл
Оренбург
Пенза
Пермь
Псков
Ростов-на-Дону
Рязань
Самара
Саранск
Саратов
Смоленск
Ставрополь
Сургут
Тамбов
Тверь
Томск
Тула
Тюмень
Ульяновск
Уфа
Хабаровск
Чебоксары
Челябинск
Ярославль
Цена, руб.
Мин. цена
Макс. цена
IR2101PBF, Драйвер ключей верхнего и нижнего уровней, [DIP-8]
Бренд: Infineon
Конфигурация: Half-Bridge
Тип канала: независимый
Кол-во каналов: 2
Тип управляемого затвора: IGBT, N-CH MOSFET
Напряжение питания, В: 10…20
Логическое напряжение (VIL), В: 0.8
Логическое напряжение (VIH), В: 3
Пиковый выходной ток нарастания (Source), А: 0.21
Пиковый выходной ток спада (Sink), А: 0.36
Тип входа: неинвертирующий
Максимальное напряжение смещения, В: 600
Номинальное время нарастания (Rise Time), нс: 100
Номинальное время затухания (Fall Time), нс: 50
Рабочая температура, °C: -40…+150(TJ)
Корпус: DIP-8(0.300 inch)
быстрый просмотр
200 руб. ×
от 5 шт. — 176 руб.
IR2101STRPBF, Драйвер ключей верхнего и нижнего уровней [SOIC-8]
Бренд: Infineon
Конфигурация: Half-Bridge
Тип канала: независимый
Кол-во каналов: 2
Тип управляемого затвора: IGBT, N-CH MOSFET
Напряжение питания, В: 10…20
Логическое напряжение (VIL), В: 0.8
Логическое напряжение (VIH), В: 3
Пиковый выходной ток нарастания (Source), А: 0.21
Пиковый выходной ток спада (Sink), А: 0.36
Тип входа: неинвертирующий
Максимальное напряжение смещения, В: 600
Номинальное время нарастания (Rise Time), нс: 100
Номинальное время затухания (Fall Time), нс: 50
Рабочая температура, °C: -40…+150(TJ)
Корпус: SOIC-8(0.154 inch)
быстрый просмотр
87 руб. ×
от 10 шт. — 82 руб.
IR2102PBF, Драйвер ключей верхнего и нижнего уровней, [DIP-8]
Бренд: Infineon
Конфигурация: Half-Bridge
Тип канала: независимый
Кол-во каналов: 2
Тип управляемого затвора: IGBT, N-CH MOSFET
Напряжение питания, В: 10…20
Логическое напряжение (VIL), В: 0.8
Логическое напряжение (VIH), В: 3
Пиковый выходной ток нарастания (Source), А: 0.21
Пиковый выходной ток спада (Sink), А: 0.36
Тип входа: инвертирующий
Максимальное напряжение смещения, В: 600
Номинальное время нарастания (Rise Time), нс: 100
Номинальное время затухания (Fall Time), нс: 50
Рабочая температура, °C: -40…+150(TJ)
Корпус: DIP-8(0.300 inch)
быстрый просмотр
290 руб. ×
от 5 шт. — 244 руб.
IR2102SPBF, Драйвер ключей верхнего и нижнего уровней [SOIC-8]
Бренд: Infineon
Конфигурация: Half-Bridge
Тип канала: независимый
Кол-во каналов: 2
Тип управляемого затвора: IGBT, N-CH MOSFET
Напряжение питания, В: 10…20
Логическое напряжение (VIL), В: 0.8
Логическое напряжение (VIH), В: 3
Пиковый выходной ток нарастания (Source), А: 0.21
Пиковый выходной ток спада (Sink), А: 0.36
Тип входа: инвертирующий
Максимальное напряжение смещения, В: 600
Номинальное время нарастания (Rise Time), нс: 100
Номинальное время затухания (Fall Time), нс: 50
Рабочая температура, °C: -40…+150(TJ)
Корпус: SOIC-8(0.154 inch)
быстрый просмотр
250 руб. ×
от 5 шт. — 224 руб.
IR2103PBF, Полумостовой драйвер, [DIP-8]
Бренд: Infineon
Конфигурация: Half-Bridge
Тип канала: независимый
Кол-во каналов: 2
Тип управляемого затвора: IGBT, N-CH MOSFET
Напряжение питания, В: 10…20
Логическое напряжение (VIL), В: 0.8
Логическое напряжение (VIH), В: 3
Пиковый выходной ток нарастания (Source), А: 0.21
Пиковый выходной ток спада (Sink), А: 0.36
Тип входа: инвертирующий, неинвертирующий
Максимальное напряжение смещения, В: 600
Номинальное время нарастания (Rise Time), нс: 100
Номинальное время затухания (Fall Time), нс: 50
Рабочая температура, °C: -40…+150(TJ)
Корпус: DIP-8(0.300 inch)
быстрый просмотр
210 руб. ×
от 5 шт. — 182 руб.
IR2103STRPBF, Драйвер FET-IGBT, [SO-8]
Бренд: Infineon
Конфигурация: Half-Bridge
Тип канала: независимый
Кол-во каналов: 2
Тип управляемого затвора: IGBT, N-CH MOSFET
Напряжение питания, В: 10…20
Логическое напряжение (VIL), В: 0.8
Логическое напряжение (VIH), В: 3
Пиковый выходной ток нарастания (Source), А: 0.21
Пиковый выходной ток спада (Sink), А: 0.36
Тип входа: инвертирующий, неинвертирующий
Максимальное напряжение смещения, В: 600
Номинальное время нарастания (Rise Time), нс: 100
Номинальное время затухания (Fall Time), нс: 50
Рабочая температура, °C: -40…+150(TJ)
Корпус: SOIC-8(0.154 inch)
быстрый просмотр
160 руб. ×
от 5 шт. — 123 руб.
IR2104PBF, Полумостовой драйвер, [DIP-8]
Бренд: Infineon
Конфигурация: Half-Bridge
Тип канала: синхронный
Кол-во каналов: 2
Тип управляемого затвора: IGBT, N-CH MOSFET
Напряжение питания, В: 10…20
Логическое напряжение (VIL), В: 0.8
Логическое напряжение (VIH), В: 3
Пиковый выходной ток нарастания (Source), А: 0.21
Пиковый выходной ток спада (Sink), А: 0.36
Тип входа: неинвертирующий
Максимальное напряжение смещения, В: 600
Номинальное время нарастания (Rise Time), нс: 100
Номинальное время затухания (Fall Time), нс: 50
Рабочая температура, °C: -40…+150(TJ)
Корпус: DIP-8(0.300 inch)
быстрый просмотр
230 руб. ×
от 5 шт. — 208 руб.
IR2104STRPBF, Полумостовой драйвер HIGH/LOW SIDE [SOIC-8]
Бренд: Infineon
Конфигурация: Half-Bridge
Тип канала: синхронный
Кол-во каналов: 2
Тип управляемого затвора: IGBT, N-CH MOSFET
Напряжение питания, В: 10…20
Логическое напряжение (VIL), В: 0.8
Логическое напряжение (VIH), В: 3
Пиковый выходной ток нарастания (Source), А: 0.21
Пиковый выходной ток спада (Sink), А: 0.36
Тип входа: неинвертирующий
Максимальное напряжение смещения, В: 600
Номинальное время нарастания (Rise Time), нс: 100
Номинальное время затухания (Fall Time), нс: 50
Рабочая температура, °C: -40…+150(TJ)
Корпус: SOIC-8(0.154 inch)
быстрый просмотр
150 руб. ×
от 10 шт. — 131 руб.
IR2106STRPBF, Драйвер ключей верхнего и нижнего уровней, [SO-8]
Бренд: Infineon
Конфигурация: Half-Bridge
Тип канала: независимый
Кол-во каналов: 2
Тип управляемого затвора: IGBT, N-CH MOSFET
Напряжение питания, В: 10…20
Логическое напряжение (VIL), В: 0.8
Логическое напряжение (VIH), В: 2.9
Пиковый выходной ток нарастания (Source), А: 0.2
Пиковый выходной ток спада (Sink), А: 0.35
Тип входа: неинвертирующий
Максимальное напряжение смещения, В: 600
Номинальное время нарастания (Rise Time), нс: 150
Номинальное время затухания (Fall Time), нс: 50
Рабочая температура, °C: -40…+150(TJ)
Корпус: SOIC-8(0.154 inch)
быстрый просмотр
490 руб. ×
от 5 шт. — 437 руб.
IR21084SPBF, SMPS драйверы верхнего и нижнего ключей (600V, 0.12/0.25A) [SO-14]
Бренд: Infineon
Конфигурация: Half-Bridge
Тип канала: независимый
Кол-во каналов: 2
Тип управляемого затвора: IGBT, N-CH MOSFET
Напряжение питания, В: 10…20
Логическое напряжение (VIL), В: 0.8
Логическое напряжение (VIH), В: 2.9
Пиковый выходной ток нарастания (Source), А: 0.2
Пиковый выходной ток спада (Sink), А: 0.35
Тип входа: неинвертирующий
Максимальное напряжение смещения, В: 600
Номинальное время нарастания (Rise Time), нс: 150
Номинальное время затухания (Fall Time), нс: 50
Рабочая температура, °C: -40…+150(TJ)
Корпус: SOIC-14(0.154 inch)
быстрый просмотр
450 руб. ×
от 5 шт. — 381 руб.
IR2109PBF, Драйвер ключей нижнего и верхнего уровней [DIP-8]
Бренд: Infineon
Конфигурация: Half-Bridge
Тип канала: синхронный
Кол-во каналов: 2
Тип управляемого затвора: IGBT, N-CH MOSFET
Напряжение питания, В: 10…20
Логическое напряжение (VIL), В: 0.8
Логическое напряжение (VIH), В: 2.9
Пиковый выходной ток нарастания (Source), А: 0.2
Пиковый выходной ток спада (Sink), А: 0.35
Тип входа: неинвертирующий
Максимальное напряжение смещения, В: 600
Номинальное время нарастания (Rise Time), нс: 150
Номинальное время затухания (Fall Time), нс: 50
Рабочая температура, °C: -40…+150(TJ)
Корпус: DIP-8(0.300 inch)
быстрый просмотр
290 руб. ×
от 5 шт. — 255 руб.
IR2109SPBF, Драйвер ключей нижнего и верхнего уровней, [SO-8]
Бренд: Infineon
Конфигурация: Half-Bridge
Тип канала: синхронный
Кол-во каналов: 2
Тип управляемого затвора: IGBT, N-CH MOSFET
Напряжение питания, В: 10…20
Логическое напряжение (VIL), В: 0.8
Логическое напряжение (VIH), В: 2.9
Пиковый выходной ток нарастания (Source), А: 0.2
Пиковый выходной ток спада (Sink), А: 0.35
Тип входа: неинвертирующий
Максимальное напряжение смещения, В: 600
Номинальное время нарастания (Rise Time), нс: 150
Номинальное время затухания (Fall Time), нс: 50
Рабочая температура, °C: -40…+150(TJ)
Корпус: SOIC-8(0.154 inch)
быстрый просмотр
240 руб. ×
от 5 шт. — 234 руб.
IR2136PBF, Драйвер MOSFET/IGBT для 3-фазных приложений [DIP-28W]
Бренд: Infineon
Конфигурация: Half-Bridge
Тип канала: 3-фазный
Кол-во каналов: 6
Тип управляемого затвора: IGBT, N-CH MOSFET
Напряжение питания, В: 10…20
Логическое напряжение (VIL), В: 0.8
Логическое напряжение (VIH), В: 3
Пиковый выходной ток нарастания (Source), А: 0.2
Пиковый выходной ток спада (Sink), А: 0.35
Тип входа: инвертирующий
Максимальное напряжение смещения, В: 600
Номинальное время нарастания (Rise Time), нс: 125
Номинальное время затухания (Fall Time), нс: 50
Рабочая температура, °C: -40…+150(TJ)
Корпус: dip-28(0.600 inch)
быстрый просмотр
690 руб. ×
от 5 шт. — 636 руб.
IR2136SPBF, 3х фазный мостовой драйвер MOSFET/ IGBT, [SO-28]
Бренд: Infineon
Конфигурация: Half-Bridge
Тип канала: 3-фазный
Кол-во каналов: 6
Тип управляемого затвора: IGBT, N-CH MOSFET
Напряжение питания, В: 10…20
Логическое напряжение (VIL), В: 0.8
Логическое напряжение (VIH), В: 3
Пиковый выходной ток нарастания (Source), А: 0.2
Пиковый выходной ток спада (Sink), А: 0.35
Тип входа: инвертирующий
Максимальное напряжение смещения, В: 600
Номинальное время нарастания (Rise Time), нс: 125
Номинальное время затухания (Fall Time), нс: 50
Рабочая температура, °C: -40…+150(TJ)
Корпус: soic-28(0.295 inch)
быстрый просмотр
600 руб. ×
от 5 шт. — 552 руб.
IRS21531DSPBF, Драйвер MOSFET/IGBT, RC входная цепь, 2-OUT, High и Low-Side, полумост [SOIC-8]
Бренд: Infineon
Конфигурация: Half-Bridge
Тип канала: синхронный
Кол-во каналов: 2
Тип управляемого затвора: N-CH MOSFET
Напряжение питания, В: 10…15.4
Пиковый выходной ток нарастания (Source), А: 0.18
Пиковый выходной ток спада (Sink), А: 0.26
Тип входа: RC входная схема
Максимальное напряжение смещения, В: 600
Номинальное время нарастания (Rise Time), нс: 120
Номинальное время затухания (Fall Time), нс: 50
Рабочая температура, °C: -40…+125(TJ)
Корпус: SOIC-8(0.154 inch)
быстрый просмотр
330 руб. ×
от 5 шт. — 262 руб.
IRS2153DPBF, Полумостовой драйвер с генератором, [DIP-8]
Бренд: Infineon
Конфигурация: Half-Bridge
Тип канала: синхронный
Кол-во каналов: 2
Тип управляемого затвора: N-CH MOSFET
Напряжение питания, В: 10…15.4
Пиковый выходной ток нарастания (Source), А: 0.18
Пиковый выходной ток спада (Sink), А: 0.26
Тип входа: RC входная схема
Максимальное напряжение смещения, В: 600
Номинальное время нарастания (Rise Time), нс: 120
Номинальное время затухания (Fall Time), нс: 50
Рабочая температура, °C: -40…+125(TJ)
Корпус: DIP-8(0.300 inch)
быстрый просмотр
430 руб. ×
от 5 шт. — 420 руб.
IRS2153DSTRPBF, Полумостовой драйвер с генератором, [SO-8]
Бренд: Infineon
Конфигурация: Half-Bridge
Тип канала: синхронный
Кол-во каналов: 2
Тип управляемого затвора: N-CH MOSFET
Напряжение питания, В: 10…15.4
Пиковый выходной ток нарастания (Source), А: 0.18
Пиковый выходной ток спада (Sink), А: 0.26
Тип входа: RC входная схема
Максимальное напряжение смещения, В: 600
Номинальное время нарастания (Rise Time), нс: 120
Номинальное время затухания (Fall Time), нс: 50
Рабочая температура, °C: -40…+125(TJ)
Корпус: SOIC-8(0.154 inch)
быстрый просмотр
230 руб. ×
от 10 шт. — 212 руб.
IRS23364DJPBF, Драйвер IGBT/MOSFET мостовой трехфазный [PLCC-44, 32 Leads]
Бренд: Infineon
Конфигурация: Half-Bridge
Тип канала: 3-фазный
Кол-во каналов: 6
Тип управляемого затвора: IGBT, N-CH MOSFET
Напряжение питания, В: 11.5…20
Логическое напряжение (VIL), В: 0.8
Логическое напряжение (VIH), В: 2.5
Пиковый выходной ток нарастания (Source), А: 0.2
Пиковый выходной ток спада (Sink), А: 0.35
Тип входа: неинвертирующий
Максимальное напряжение смещения, В: 600
Номинальное время нарастания (Rise Time), нс: 125
Номинальное время затухания (Fall Time), нс: 50
Рабочая температура, °C: -40…+150(TJ)
Корпус: PLCC-44, 32 Pins(16.58x16.58)
быстрый просмотр
1 000 руб. ×
от 5 шт. — 969 руб.
IRS2453DSPBF, Драйвер MOSFET/IGBT, RC входная цепь, 4-OUT, High и Low-Side, мост [SOIC-14]
Бренд: Infineon
Конфигурация: Full-Bridge
Тип канала: синхронный
Кол-во каналов: 1
Тип управляемого затвора: N-CH MOSFET
Напряжение питания, В: 10…15.6
Логическое напряжение (VIL), В: 1.7
Логическое напряжение (VIH), В: 9.3
Пиковый выходной ток нарастания (Source), А: 0.18
Пиковый выходной ток спада (Sink), А: 0.26
Тип входа: RC входная схема
Максимальное напряжение смещения, В: 600
Номинальное время нарастания (Rise Time), нс: 120
Номинальное время затухания (Fall Time), нс: 50
Рабочая температура, °C: -25…+125(TJ)
Корпус: SOIC-14(0.154 inch)
быстрый просмотр
280 руб. ×
от 5 шт. — 245 руб.
IR2104SPBF, Полумостовой драйвер, [SO-8]
Бренд: Infineon
Конфигурация: Half-Bridge
Тип канала: синхронный
Кол-во каналов: 2
Тип управляемого затвора: IGBT, N-CH MOSFET
Напряжение питания, В: 10…20
Логическое напряжение (VIL), В: 0.8
Логическое напряжение (VIH), В: 3
Пиковый выходной ток нарастания (Source), А: 0.21
Пиковый выходной ток спада (Sink), А: 0.36
Тип входа: неинвертирующий
Максимальное напряжение смещения, В: 600
Номинальное время нарастания (Rise Time), нс: 100
Номинальное время затухания (Fall Time), нс: 50
Рабочая температура, °C: -40…+150(TJ)
Корпус: SOIC-8(0.154 inch)
быстрый просмотр
270 руб. ×
Страница
  • 1
  • 2
Товаров на странице
  • 20
  • 40
  • 60