Главная › Электронные компоненты › Микросхемы › Драйверы MOSFET и IGBT

Драйверы MOSFET и IGBT, стр.2

_{55 из более 1000}

Сортировка: РекомендуемХиты продажДешевлеДорожеКоличество

IR25600STRPBF, Драйвер ключей сдвоенного нижнего уровня [SO-8N] Бренд: Infineon Конфигурация: Low-Side Тип канала: независимый Кол-во каналов: 2 Тип управляемого затвора: IGBT, N-CH MOSFET Напряжение питания, В: 6…20 Логическое напряжение (VIL), В: 0.8 Логическое напряжение (VIH), В: 2.7 Пиковый выходной ток нарастания (Source), А: 2.3 Пиковый выходной ток спада (Sink), А: 3.3 Тип входа: неинвертирующий Номинальное время нарастания (Rise Time), нс: 15 Номинальное время затухания (Fall Time), нс: 10 Рабочая температура, °C: -40…+150(TJ) Корпус: SOIC-8(0.154 inch)	быстрый просмотр		330 руб. ×	от 5 шт. — 306 руб.
IR25603STRPBF, Тактируемый полумостовой драйвер, [SO-8] Бренд: Infineon Конфигурация: Half-Bridge Тип канала: синхронный Кол-во каналов: 2 Тип управляемого затвора: IGBT, N-CH MOSFET Напряжение питания, В: 10…15.6 Пиковый выходной ток нарастания (Source), А: 0.18 Пиковый выходной ток спада (Sink), А: 0.26 Тип входа: RC входная схема Максимальное напряжение смещения, В: 600 Номинальное время нарастания (Rise Time), нс: 80 Номинальное время затухания (Fall Time), нс: 45 Рабочая температура, °C: -40…+150(TJ) Корпус: SOIC-8(0.154 inch)	быстрый просмотр		290 руб. ×	от 5 шт. — 245 руб.
IR4426STRPBF, Драйвер ключей сдвоенного нижнего уровня, [SO-8] Бренд: Infineon Конфигурация: Low-Side Тип канала: независимый Кол-во каналов: 2 Тип управляемого затвора: IGBT, N-CH MOSFET Напряжение питания, В: 6…20 Логическое напряжение (VIL), В: 0.8 Логическое напряжение (VIH), В: 2.7 Пиковый выходной ток нарастания (Source), А: 2.3 Пиковый выходной ток спада (Sink), А: 3.3 Тип входа: инвертирующий Номинальное время нарастания (Rise Time), нс: 15 Номинальное время затухания (Fall Time), нс: 10 Рабочая температура, °C: -40…+150(TJ) Корпус: SOIC-8(0.154 inch)	быстрый просмотр		260 руб. ×	от 10 шт. — 239 руб.
IR4427STRPBF, Драйвер ключей сдвоенного нижнего уровня [SOIC-8] (=IR4427SPBF) Бренд: Infineon Конфигурация: Low-Side Тип канала: независимый Кол-во каналов: 2 Тип управляемого затвора: IGBT, N-CH MOSFET Напряжение питания, В: 6…20 Логическое напряжение (VIL), В: 0.8 Логическое напряжение (VIH), В: 2.7 Пиковый выходной ток нарастания (Source), А: 2.3 Пиковый выходной ток спада (Sink), А: 3.3 Тип входа: неинвертирующий Номинальное время нарастания (Rise Time), нс: 15 Номинальное время затухания (Fall Time), нс: 10 Рабочая температура, °C: -40…+150(TJ) Корпус: SOIC-8(0.154 inch)	быстрый просмотр		150 руб. ×	от 15 шт. — 135 руб.
IRS2011STRPBF, Драйвер ключей нижнего и верхнего уровней, [SO-8] Бренд: Infineon Конфигурация: Half-Bridge Тип канала: независимый Кол-во каналов: 2 Тип управляемого затвора: N-CH MOSFET Напряжение питания, В: 10…20 Логическое напряжение (VIL), В: 0.8 Логическое напряжение (VIH), В: 2.7 Пиковый выходной ток нарастания (Source), А: 1 Пиковый выходной ток спада (Sink), А: 1 Тип входа: инвертирующий Максимальное напряжение смещения, В: 200 Номинальное время нарастания (Rise Time), нс: 5 Номинальное время затухания (Fall Time), нс: 15 Рабочая температура, °C: -40…+150(TJ) Корпус: SOIC-8(0.154 inch)	быстрый просмотр		660 руб. ×	от 5 шт. — 646 руб.
IRS21531DSPBF, Драйвер MOSFET/IGBT, RC входная цепь, 2-OUT, High и Low-Side, полумост [SOIC-8] Бренд: Infineon Конфигурация: Half-Bridge Тип канала: синхронный Кол-во каналов: 2 Тип управляемого затвора: N-CH MOSFET Напряжение питания, В: 10…15.4 Пиковый выходной ток нарастания (Source), А: 0.18 Пиковый выходной ток спада (Sink), А: 0.26 Тип входа: RC входная схема Максимальное напряжение смещения, В: 600 Номинальное время нарастания (Rise Time), нс: 120 Номинальное время затухания (Fall Time), нс: 50 Рабочая температура, °C: -40…+125(TJ) Корпус: SOIC-8(0.154 inch)	быстрый просмотр		330 руб. ×	от 5 шт. — 262 руб.
IRS2153DSTRPBF, Полумостовой драйвер с генератором, [SO-8] Бренд: Infineon Конфигурация: Half-Bridge Тип канала: синхронный Кол-во каналов: 2 Тип управляемого затвора: N-CH MOSFET Напряжение питания, В: 10…15.4 Пиковый выходной ток нарастания (Source), А: 0.18 Пиковый выходной ток спада (Sink), А: 0.26 Тип входа: RC входная схема Максимальное напряжение смещения, В: 600 Номинальное время нарастания (Rise Time), нс: 120 Номинальное время затухания (Fall Time), нс: 50 Рабочая температура, °C: -40…+125(TJ) Корпус: SOIC-8(0.154 inch)	быстрый просмотр		230 руб. ×	от 10 шт. — 212 руб.
IRS2181STRPBF, Драйвер MOSFET/IGBT, неинвертируюший вход, 2-OUT, High и Low-Side [SOIC-8] Бренд: Infineon Конфигурация: Half-Bridge Тип канала: независимый Кол-во каналов: 2 Тип управляемого затвора: IGBT, N-CH MOSFET Напряжение питания, В: 10…20 Логическое напряжение (VIL), В: 0.8 Логическое напряжение (VIH), В: 2.5 Пиковый выходной ток нарастания (Source), А: 1.9 Пиковый выходной ток спада (Sink), А: 2.3 Тип входа: неинвертирующий Максимальное напряжение смещения, В: 600 Номинальное время нарастания (Rise Time), нс: 40 Номинальное время затухания (Fall Time), нс: 20 Рабочая температура, °C: -40…+150(TJ) Корпус: SOIC-8(0.154 inch)	быстрый просмотр		570 руб. ×	от 5 шт. — 459 руб.
IRS21867STRPBF, Драйвер HIGH AND LOW SIDE [SO-8] Бренд: Infineon Конфигурация: Half-Bridge Тип канала: независимый Кол-во каналов: 2 Тип управляемого затвора: IGBT, N-CH MOSFET Напряжение питания, В: 10…20 Логическое напряжение (VIL), В: 0.8 Логическое напряжение (VIH), В: 2.5 Пиковый выходной ток нарастания (Source), А: 4 Пиковый выходной ток спада (Sink), А: 4 Тип входа: неинвертирующий Максимальное напряжение смещения, В: 600 Номинальное время нарастания (Rise Time), нс: 22 Номинальное время затухания (Fall Time), нс: 18 Рабочая температура, °C: -40…+150(TJ) Корпус: SOIC-8(0.154 inch)	быстрый просмотр		870 руб. ×	от 5 шт. — 808 руб.
IRS2186SPBF, Драйвер ключей нижнего и верхнего уровней, [SOIC-8] Бренд: Infineon Конфигурация: High-Side/Low-Side Тип канала: независимый Кол-во каналов: 2 Тип управляемого затвора: IGBT, N-CH MOSFET Напряжение питания, В: 10…20 Логическое напряжение (VIL), В: 0.8 Логическое напряжение (VIH), В: 2.5 Пиковый выходной ток нарастания (Source), А: 4 Пиковый выходной ток спада (Sink), А: 4 Тип входа: неинвертирующий Максимальное напряжение смещения, В: 600 Номинальное время нарастания (Rise Time), нс: 22 Номинальное время затухания (Fall Time), нс: 18 Рабочая температура, °C: -40…+150(TJ) Корпус: SOIC-8(0.154 inch)	быстрый просмотр		790 руб. ×	от 50 шт. — 735 руб.
IRS4427SPBF, Драйвер IGBT/MOSFET [SOIC-8] Бренд: Infineon Конфигурация: Low-Side Тип канала: независимый Кол-во каналов: 2 Тип управляемого затвора: IGBT, N-CH MOSFET Напряжение питания, В: 6…20 Логическое напряжение (VIL), В: 0.8 Логическое напряжение (VIH), В: 2.5 Пиковый выходной ток нарастания (Source), А: 2.3 Пиковый выходной ток спада (Sink), А: 3.3 Тип входа: инвертирующий, неинвертирующий Номинальное время нарастания (Rise Time), нс: 25 Номинальное время затухания (Fall Time), нс: 25 Рабочая температура, °C: -40…+150(TJ) Корпус: SOIC-8(0.154 inch)	быстрый просмотр		300 руб. ×	от 15 шт. — 279 руб.
IRS4428SPBF, Драйвер 25В DUAL LOW SIDE [SO-8] Бренд: Infineon Конфигурация: Low-Side Тип канала: независимый Кол-во каналов: 2 Тип управляемого затвора: IGBT, N-CH MOSFET Напряжение питания, В: 6…20 Логическое напряжение (VIL), В: 0.8 Логическое напряжение (VIH), В: 2.5 Пиковый выходной ток нарастания (Source), А: 2.3 Пиковый выходной ток спада (Sink), А: 3.3 Тип входа: инвертирующий, неинвертирующий Номинальное время нарастания (Rise Time), нс: 25 Номинальное время затухания (Fall Time), нс: 25 Рабочая температура, °C: -40…+150(TJ) Корпус: SOIC-8(0.154 inch)	быстрый просмотр		260 руб. ×	от 5 шт. — 206 руб.
L6388ED013TR, Драйвер MOSFET/IGBT, High/Low-side [SOIC-8] 371 шт. Бренд: ST Microelectronics Конфигурация: Half-Bridge Тип канала: независимый Кол-во каналов: 2 Тип управляемого затвора: IGBT, N-CH MOSFET Напряжение питания, В: 17(Max) Логическое напряжение (VIL), В: 1.1 Логическое напряжение (VIH), В: 1.8 Пиковый выходной ток нарастания (Source), А: 0.4 Пиковый выходной ток спада (Sink), А: 0.65 Тип входа: инвертирующий Максимальное напряжение смещения, В: 600 Номинальное время нарастания (Rise Time), нс: 70 Номинальное время затухания (Fall Time), нс: 40 Рабочая температура, °C: -40…+150(TJ) Корпус: SOIC-8(0.154 inch)	быстрый просмотр	371 шт.	240 руб. ×	от 5 шт. — 220 руб.
MAX4420ESA+, Драйвер MOSFET, высокоскоростной, 6А, [NSOIC-8] Бренд: Maxim Конфигурация: Low-Side Тип канала: Один Кол-во каналов: 1 Тип управляемого затвора: N/P-CH MOSFET Напряжение питания, В: 4.5…18 Логическое напряжение (VIL), В: 0.8 Логическое напряжение (VIH), В: 2.4 Пиковый выходной ток нарастания (Source), А: 6 Пиковый выходной ток спада (Sink), А: 6 Тип входа: неинвертирующий Номинальное время нарастания (Rise Time), нс: 25 Номинальное время затухания (Fall Time), нс: 25 Рабочая температура, °C: -40…+85(TA) Корпус: SOIC-8(0.154 inch)	быстрый просмотр		760 руб. ×	от 5 шт. — 720 руб.
MC33151DG, Высокоскоростной двухканальный драйвер MOSFET, [SOIC-8] Бренд: ON Semiconductor Конфигурация: Low-Side Тип канала: независимый Кол-во каналов: 2 Тип управляемого затвора: N-CH MOSFET Напряжение питания, В: 6.5…18 Логическое напряжение (VIL), В: 0.8 Логическое напряжение (VIH), В: 2.6 Пиковый выходной ток нарастания (Source), А: 1.5 Пиковый выходной ток спада (Sink), А: 1.5 Тип входа: инвертирующий Номинальное время нарастания (Rise Time), нс: 31 Номинальное время затухания (Fall Time), нс: 32 Рабочая температура, °C: -40…+150(TJ) Корпус: SOIC-8(0.154 inch)	быстрый просмотр		330 руб. ×	от 5 шт. — 310 руб.
MC33152DR2G, Драйвер MOSFET, Low-Side [SOIC-8] Бренд: ON Semiconductor Конфигурация: Low-Side Тип канала: независимый Кол-во каналов: 2 Тип управляемого затвора: N-CH MOSFET Напряжение питания, В: 6.1…18 Логическое напряжение (VIL), В: 0.8 Логическое напряжение (VIH), В: 2.6 Пиковый выходной ток нарастания (Source), А: 1.5 Пиковый выходной ток спада (Sink), А: 1.5 Тип входа: неинвертирующий Номинальное время нарастания (Rise Time), нс: 36 Номинальное время затухания (Fall Time), нс: 32 Рабочая температура, °C: -40…+150(TJ) Корпус: SOIC-8(0.154 inch)	быстрый просмотр		160 руб. ×	от 5 шт. — 116 руб.
MC33153DR2G, Драйвер IGBT/MOSFET, Low-Side [SOIC-8] Бренд: ON Semiconductor Конфигурация: Low-Side Тип канала: Один Кол-во каналов: 1 Тип управляемого затвора: IGBT, N-CH MOSFET Напряжение питания, В: 11…20 Логическое напряжение (VIL), В: 1.2 Логическое напряжение (VIH), В: 3.2 Пиковый выходной ток нарастания (Source), А: 1 Пиковый выходной ток спада (Sink), А: 2 Тип входа: инвертирующий Номинальное время нарастания (Rise Time), нс: 17 Номинальное время затухания (Fall Time), нс: 17 Рабочая температура, °C: -40…+150(TJ) Корпус: SOIC-8(0.154 inch)	быстрый просмотр		370 руб. ×	от 5 шт. — 310 руб.
MC34151DR2G, Высокоскоростной двухканальный драйвер MOSFET, [SOIC-8] Бренд: ON Semiconductor Конфигурация: Low-Side Тип канала: независимый Кол-во каналов: 2 Тип управляемого затвора: N-CH MOSFET Напряжение питания, В: 6.5…18 Логическое напряжение (VIL), В: 0.8 Логическое напряжение (VIH), В: 2.6 Пиковый выходной ток нарастания (Source), А: 1.5 Пиковый выходной ток спада (Sink), А: 1.5 Тип входа: инвертирующий Номинальное время нарастания (Rise Time), нс: 31 Номинальное время затухания (Fall Time), нс: 32 Рабочая температура, °C: 0…+150(TJ) Корпус: SOIC-8(0.154 inch)	быстрый просмотр		180 руб. ×
MC34152DG, Драйвер MOSFET х 2, 18В, 1.5A, [SO-8] Бренд: ON Semiconductor Конфигурация: Low-Side Тип канала: независимый Кол-во каналов: 2 Тип управляемого затвора: N-CH MOSFET Напряжение питания, В: 6.1…18 Логическое напряжение (VIL), В: 0.8 Логическое напряжение (VIH), В: 2.6 Пиковый выходной ток нарастания (Source), А: 1.5 Пиковый выходной ток спада (Sink), А: 1.5 Тип входа: неинвертирующий Номинальное время нарастания (Rise Time), нс: 36 Номинальное время затухания (Fall Time), нс: 32 Рабочая температура, °C: 0…+150(TJ) Корпус: SOIC-8(0.154 inch)	быстрый просмотр		170 руб. ×	от 10 шт. — 138 руб.
TC4420EOA713, Драйвер MOSFET 6A HS [SOIC-8] Бренд: Microchip Конфигурация: Low-Side Тип канала: Один Кол-во каналов: 1 Тип управляемого затвора: N/P-CH MOSFET Напряжение питания, В: 4.5…18 Логическое напряжение (VIL), В: 0.8 Логическое напряжение (VIH), В: 2.4 Пиковый выходной ток нарастания (Source), А: 6 Пиковый выходной ток спада (Sink), А: 6 Тип входа: неинвертирующий Номинальное время нарастания (Rise Time), нс: 25 Номинальное время затухания (Fall Time), нс: 25 Рабочая температура, °C: -40…+150(TJ) Корпус: SOIC-8(0.154 inch)	быстрый просмотр		370 руб. ×	от 5 шт. — 347 руб.