2N5190G, 100uA 40V 40W 20@1.5A,2V 4A 2MHz NPN 1.4V@4A,1A -65°C~+150°C@(Tj) TO-225-3 BIpolar TransIstors - BJT
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
210 руб.
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 210 руб.
Описание
Market demand for this product has caused an extension in leadtimes. Delivery dates may fluctuate. Product exempt from discounts.
Технические параметры
| Collector Emitter Voltage Max | 40В |
| Continuous Collector Current | 4А |
| DC Current Gain hFE Min | 10hFE |
| DC Усиление Тока hFE | 10hFE |
| Power Dissipation | 40Вт |
| Количество Выводов | 3вывод(-ов) |
| Максимальная Рабочая Температура | 150 C |
| Монтаж транзистора | Through Hole |
| Полярность Транзистора | NPN |
| Стиль Корпуса Транзистора | TO-225 |
| Частота Перехода ft | 2МГц |
| Brand: | onsemi |
| Collector- Base Voltage VCBO: | 40 V |
| Collector- Emitter Voltage VCEO Max: | 40 V |
| Collector-Emitter Saturation Voltage: | 1.4 V |
| Configuration: | Single |
| DC Collector/Base Gain hfe Min: | 25 |
| Emitter- Base Voltage VEBO: | 5 V |
| Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 500 |
| Gain Bandwidth Product fT: | 2 MHz |
| Manufacturer: | onsemi |
| Maximum DC Collector Current: | 4 A |
| Maximum Operating Temperature: | +150 C |
| Minimum Operating Temperature: | -65 C |
| Mounting Style: | Through Hole |
| Package / Case: | TO-225-3 |
| Packaging: | Bulk |
| Pd - Power Dissipation: | 40 W |
| Product Category: | Bipolar Transistors-BJT |
| Product Type: | BJTs-Bipolar Transistors |
| Series: | 2N5190 |
| Subcategory: | Transistors |
| Technology: | Si |
| Transistor Polarity: | NPN |
| Вес, г | 1.1 |
Техническая документация
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы биполярные (BJTs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
