2N5686, TRANSISTOR
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
77 шт., срок 8-10 недель
3 110 руб.
от 5 шт. —
2 080 руб.
от 10 шт. —
1 660 руб.
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 3 110 руб.
Описание
Полупроводники - Дискретные\Транзисторы\Биполярные Транзисторы\Биполярные Одиночные Массивы Транзисторов - BJT
Технические параметры
Collector Emitter Voltage Max | 80В |
Continuous Collector Current | 50А |
DC Current Gain hFE Min | 15hFE |
Power Dissipation | 300Вт |
Количество Выводов | 2вывод(-ов) |
Максимальная Рабочая Температура | 200°C |
Монтаж транзистора | Through Hole |
Полярность Транзистора | NPN |
Стиль Корпуса Транзистора | TO-3 |
Частота Перехода ft | 2МГц |
Вес, г | 13.61 |
Техническая документация
Datasheet 2N5686
pdf, 274 КБ
Чертеж
pdf, 173 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы биполярные (BJTs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.